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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201510993486.8有效
发明人： 神崎照明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置。使得能够提供可用性优秀的半导体装置。半导体装置具有由多个边包围的主表面、具有布置在该主表面之上的多个电极焊盘的半导体芯片以及分别经由导线耦接到电极焊盘的多个引线。电极焊盘包括时间上并行地供应有多个比特的多个第一电极焊盘。第一电极焊盘包括第二和第三电极焊盘。不同于所述第一电极焊盘的第四电极焊盘被布置在第二和第三电极焊盘之间。
半导体装置

[发明专利]半导体集成电路-CN201710321201.5在审
发明人： 神崎照明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G06F1/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路。本发明的一个目的是在内部时钟的频率的设置可动态地改变的LSI中不安装大规模电路的情况下，减小用于根据内部时钟频率改变内部电路的操作模式的程序的负担。在包括根据所供应的参数从时钟源生成内部时钟的内部时钟生成电路的LSI中，提供存储时钟源的频率信息的寄存器、存储参数的寄存器、以及具有多种操作模式的内部电路、控制与从寄存器供应的频率信息和参数相关联的内部电路的操作模式的表单电路。
半导体集成电路

[发明专利]半导体器件-CN201010168001.9有效
发明人： 神崎照明;出口善宣;三木一伸 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-02-22 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体器件，其中抗焊盘中所产生应力的强度被提高了。提供有多个焊盘(1)。在每个焊盘(1)中，在使用最上层形成的第一金属(11)下提供有多个线条状第二金属(12)。这样，为提高抗焊盘中所产生应力的强度，将焊盘(1)沿第二金属(12)的纵向排列。亦即：将焊盘(1)排列成使第二金属(12)的纵向(L1)和焊盘(1)的排列方向(L2)在同一方向。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200810181599.8有效
发明人： 神崎照明;出口善宣;三木一伸 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-02-22 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件，其中抗焊盘中所产生应力的强度被提高了。提供有多个焊盘(1)。在每个焊盘(1)中，在使用最上层形成的第一金属(11)下提供有多个线条状第二金属(12)。这样，为提高抗焊盘中所产生应力的强度，将焊盘(1)沿第二金属(12)的纵向排列。亦即：将焊盘(1)排列成使第二金属(12)的纵向(L1)和焊盘(1)的排列方向(L2)在同一方向。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200580012550.4有效
发明人： 神崎照明;出口善宣;三木一伸 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-02-22 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种半导体器件，其中抗焊盘中所产生应力的强度被提高了。提供有多个焊盘(1)。在每个焊盘(1)中，在使用最上层形成的第一金属(11)下提供有多个线条状第二金属(12)。这样，为提高抗焊盘中所产生应力的强度，将焊盘(1)沿第二金属(12)的纵向排列。亦即：将焊盘(1)排列成使第二金属(12)的纵向(L1)和焊盘(1)的排列方向(L2)在同一方向。
半导体器件

[发明专利]变换信号的电压振幅的电平变换电路-CN200510108951.1无效
发明人： 神崎照明 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-09-21 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种电平变换电路，由2个P沟道MOS晶体管(3，4)构成电流镜向电路。输入信号从[L]电平升高为[H]电平的场合，由于与其中一个P沟道MOS晶体管(3)的漏极连接的N沟道MOS晶体管(6)变成非导通，可防止2个P沟道MOS晶体管(3，4)中流过漏电流，消耗功率变小。另外，输入信号从[H]电平降低为[L]电平的场合，与另一个P沟道MOS晶体管(4)的漏极连接的N沟道MOS晶体管(5)变成导通，另一个P沟道MOS晶体管(4)的漏极的节点(N2)由于固定为[H]电平，可防止该节点(N2)的电位出现不稳定。
变换信号电压振幅电平电路

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共 6 条

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