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[发明专利]坩埚熔液冷凝应力分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311060860.X在审
发明人： 祝经明;吴进;毕诗博;黄星星;肖永能;胡强;雷震霖 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请属于分子束外延坩埚应力分析技术领域，公开了一种坩埚熔液冷凝应力分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和物料的第二结构参数，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置材料参数、塑性节点、相变材料节点和物理约束条件，设置坩埚模型和物料模型的传热条件和辐射条件，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、模型划分条件和求解器设置，计算不同情况下坩埚的应力数据，得到各不同情况对于坩埚熔液冷凝应力的影响分析数据，通过设置辐射条件并添加相变材料节点，模拟不同情况的冷凝应力分析，提高了分析坩埚熔液冷凝应力的效率和准确度。
坩埚冷凝应力分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种分子束流调节装置、调节方法及形成控制方法-CN202310608040.3在审
发明人：吴进;黄星星;胡强;祝经明;郭远军 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束流调节装置、调节方法及形成控制方法，涉及材料生长领域，其中装置包括坩埚、调节盒、收合扇和转动盘；所述调节盒安装在所述坩埚出口端，具有连通所述坩埚出口端的束流口；所述转动盘转动安装在所述调节盒内，具有多个圆周阵列设置的滑动槽；所述收合扇包括多个收合叶片，多个所述收合叶片圆周阵列设置在所述调节盒内且为依次错位叠放，以使收合扇中部具有束流孔，所述收合叶片的一端与所述调节盒转动连接，另一端具有与所述滑动槽配合的凸柱。本申请的分子束流调节装置能解决薄膜生成过程中深径比变化导致的薄膜生成不均匀问题，从而能达到提高同一生长批次和不同生长批次薄膜均匀性的效果。
一种分子调节装置方法形成控制

[发明专利]坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310608061.5有效
发明人： 祝经明;黄星星;吴进;沈若尧;毕诗博;王凤双;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
坩埚应力影响分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种Micro-LED的检测装置-CN202310758442.1在审
发明人：肖永能;胡强;郭晓东;侯少毅;祝经明 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED的检测装置，包括：箱体、送料机构、夹盘机构；箱体的内壁上设置有测试组，测试组包括多个激光发生部和多个第一激光接收端；夹盘机构包括第一固定架、第一夹盘和多个第二激光接收端，第一夹盘和多个第二激光接收端均设置在第一固定架上，第一夹盘用于夹取晶圆，夹盘机构与送料机构连接，送料机构用于驱动第一固定架以将晶圆送至箱体内；多个激光发生部用于向晶圆提供不同角度的激光照射，每个第一激光接收端和每个第二激光接收端均用于接收至少两个激光发生部照射并由晶圆反射的反射光，从而使晶圆的整体检测效果更加准确。
一种 micro led 检测装置

[发明专利]金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法-CN202211279601.1有效
发明人：郭可升;刘乔;胡强;侯少毅;杨振怀;郭晓东;祝经明 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法，属于真空计领域，金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤：在两片衬底的正面沉积金刚石；其中一片衬底直接沉积得到第一部件，另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件；取下金属环，并去除第一部件和第二部件背面的衬底；在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层；在金属层上焊上导线，且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔；将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合；在第二部件朝上的状态下沉积金刚石，得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容，用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。
金刚石薄膜电容及其制造方法真空计

[发明专利]一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质-CN202211348133.9在审
发明人： 祝经明;黄星星;吴进;胡强;卫红;沈若尧;王凤双;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及热场分析领域，具体为一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质。该源炉热场分布分析方法包括步骤：根据源炉中各个部件的结构参数建立二维轴对称简化模型；将二维轴对称简化模型导入COMSOL软件中，并根据各个部件的制作材料设定材料参数；设定各个部件的传热类型；设定温度条件；计算分析得到源炉的热场分布图像，本发明以模拟实验的方式替代实测，确保获得准确的实验结果同时大大减少实验过程的资源浪费和实验成本。
一种源炉热场分布分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种Micro-LED-Wafe外观检测装置及方法-CN202310291080.X在审
发明人：肖永能;胡强;郭晓东;侯少毅;托乎提努尔;祝经明 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED‑Wafe外观检测装置及方法，Micro‑LED‑Wafe外观检测装置通过在圆筒罩底部设置有第一喷气口，由第一喷气装置将气体从第一喷气口喷出以使晶圆悬浮于圆筒罩中，通过在圆筒罩的周壁上均匀设置有多组第二喷气口，由第二喷气装置将气体从各第二喷气口喷出以保持晶圆位于圆筒罩的轴心线上，并由第一摄像头组和第二摄像头组对晶圆的表面图像进行拍摄，从而，无需对晶圆进行夹持也能实现对晶圆的全面检测，而且各个摄像头与晶圆之间不存在除空气以外的其他介质，减少了由于其它中间介质的存在而导致的检测误差，从而保证了检测结果的准确性。
一种 micro led wafe 外观检测装置方法

[发明专利]一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法-CN202211399743.1在审
发明人：黄星星;祝经明;吴进;毕诗博;侯少毅 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B21F45/00 文献下载
摘要：本申请涉及加热工装技术领域，具体涉及一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法,加热丝缠绕工装包括：固定柱、第一固定板、第二固定板、第一旋转环和第二旋转环；第一固定板和第二固定板相互平行并分别可拆卸地与固定柱的两端连接，第一固定板和第二固定板的周面均间隔环布有多个定位凹槽，且各个定位凹槽沿厚度方向贯通第一固定板或第二固定板的两个侧面；第一旋转环和第二旋转环分别可转动且可拆卸地设置在第一固定板和第二固定板的周面上，第一旋转环和第二旋转环均设置有一个开口，开口贯通第一旋转环或第二旋转环的内外周面，开口的大小与定位凹槽相适配；降低加热丝产生塑性变形的几率，有效保证分子束外延源炉的温度场分布均匀。
一种分子外延加热缠绕工装方法

[发明专利]一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法-CN202210426801.9在审
发明人：郭可升;刘乔;杨振怀;祝经明;肖永能;胡强 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本申请涉及摩擦发电领域，公开了一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法，包括以下步骤：利用激光在金刚石基材正面的表面或内部加工形成石墨电极；在所述金刚石基材的底面沉积金属薄膜电极；将导线与所述石墨电极焊接，将导线与所述金属薄膜电极进行焊接，形成所述金刚石摩擦发电器件。本申请金刚石摩擦发电器件采用金刚石作为摩擦发电主体材料，具有高化学稳定性、耐摩擦、高硬度等特点，使用寿命长，环境稳定性高；而且，使用激光在金刚石基材正面的表面或内部制备石墨电极，简单快捷、精准度高。
一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法

[发明专利]薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210548370.3有效
发明人： 祝经明;徐平;胡琅;胡强;卫红;杨振怀;郭可升;侯少毅;毕诗博;沈若尧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
薄膜沉积模拟方法装置电子设备存储介质

[发明专利]真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统-CN202210544153.7有效
发明人：王凤双;侯少毅;胡强;卫红;刘乔;祝经明;毕诗博 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06F16/00 文献下载
摘要：本申请属于真空计量技术领域，公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统，通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号；分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理，得到第一峰值信号和第二峰值信号；对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理，得到电压差值信号；对所述电压差值信号进行计算处理，得到真空度检测结果，其中差分处理可以减少信号干扰，提高检测精度，从而保证真空度检测结果的可靠性。
真空检测方法装置电子设备存储介质系统

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