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[实用新型]一种半导体器件-CN202222540639.1有效
发明人： 祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件，包括第一半导体层；形成在第一半导体层之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，形成在漂移区内的柱区；形成在漂移区上方的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；电场过渡层的电荷总量Q总满足预设条件使得半导体器件关断，电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在电场终止层减小至0，电场过渡层的电荷总量Q总满足的预设条件为小于等于k％×Ec/εs。本申请实施例解决了传统的SJ‑双极型半导体器件关断能量损耗较大的技术问题。
一种半导体器件

[发明专利]半导体器件及半导体器件制备方法-CN202310780511.9在审
发明人： 祁金伟 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及半导体器件制备方法，半导体器件，包括：衬底；至少两层超级结结构层，设于衬底一侧，超级结结构层包括交替排列、且延伸方向相同的P型条状埋区和N型条状埋区，且相邻超级结结构层内的P型条状埋区的延伸方向不同；N型埋层，设于相邻超级结结构层之间。通过增加纵向超级结结构层，从而提高了整个器件的耐压性能，实现超高压超结IGBT，且通过设置N型埋层，可阻止空穴的流出，N型埋层的下方出现空穴的积累，当空穴的数量大于电子的数量时，该区域将不能保持电荷平衡，则发射极注入更多的电子流至该区域，载流子的浓度局部增多，实现导通压降的减小。
半导体器件制备方法

[发明专利]沟槽型MOSFET器件及其制造方法-CN202310639488.1有效
发明人： 祁金伟 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET器件包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区；设置在外延层内的第二掺杂类型的基区；设置在外延层内的栅极沟槽结构；栅极沟槽结构，包括：设置在外延层内的第一栅极沟槽结构；设置在基区内的第二栅极沟槽结构，第二栅极沟槽结构与第一栅极沟槽结构接触设置。根据本申请实施例，能够提高栅极沟槽结构角部处的氧化层的可靠性，进而提高器件的可靠性。
沟槽 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]沟槽型MOSFET器件-CN202310639556.4有效
发明人： 祁金伟 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种沟槽型MOSFET器件，沟槽型MOSFET器件包括第一表面、第二表面、在第一表面与第二表面之间层叠设置的第一半导体层和第二半导体层、由第一表面向第二表面延伸设置的多个第一沟槽和多个第二沟槽。第一半导体层为阱区，第一沟槽和第二沟槽通过阱区间隔设置。第一沟槽内设置有栅极，第二沟槽设置有源极连接部和掺杂层，掺杂层至少位于第二沟槽底部，掺杂层为第二掺杂类型。第二半导体层内设置有隔断部，隔断部至少与第一沟槽间隔设置，隔断部沿沟槽型MOSFET器件厚度方向上的投影至少与第一沟槽沿厚度方向上投影的边缘交叠，隔断部为第二掺杂类型。根据本申请能够提高器件的可靠性。
沟槽 mosfet 器件

[发明专利]超级结MOS器件的制作方法以及超级结MOS器件-CN202310685119.6在审
发明人： 祁金伟;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供了一种超级结MOS器件的制作方法以及超级结MOS器件。该方法包括：提供基底，包括层叠的衬底以及第一外延层；在第一外延层中形成多个间隔设置的籽晶，任意相邻的两个籽晶之间的第一外延层的宽度大于籽晶的宽度，籽晶的远离衬底的表面与第一外延层的远离衬底的表面齐平；在各籽晶的远离衬底的表面上形成超级结柱，且在相邻的超级结柱之间形成外延柱，外延柱与第一外延层接触；在各外延柱的远离衬底的一侧形成栅极结构。超级结柱的宽度小于外延柱的宽度，保证了外延柱的通流空间较大，又因为超级结柱是在籽晶的远离衬底的表面上形成的，保证了可得到质量较好且厚度较小的超级结柱，保证了超级结MOS器件的性能较好。
超级 mos 器件制作方法以及

[发明专利]半导体器件的终端结构-CN202310780159.9在审
发明人：兰金龙;祁金伟 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件的终端结构，半导体器件的终端结构包括外延层、绝缘层以及第一金属层。外延层包括相对设置的第一表面和第二表面。外延层包括元胞区半导体部、多个掺杂部以及终端区半导体部。多个掺杂部至少位于终端区半导体部背向第一表面的一侧。其中，各掺杂部均包括M个子掺杂部。各掺杂部内，第N个子掺杂部沿第一方向上的尺寸以及第N个子掺杂部与第N‑1个子掺杂部沿第一方向之间的距离之和为预定值，多个预定值相等。各掺杂部内，沿元胞区半导体部指向终端区半导体部的方向上，多个子掺杂部沿第一方向上的尺寸呈递减趋势，M≥2，N为M中的任意自然数。本申请能够有效降低终端结构的尺寸。
半导体器件终端结构

[发明专利]超级结MOSFET器件的制作方法-CN202310686115.X在审
发明人： 祁金伟;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供了一种超级结MOSFET器件的制作方法。该方法包括：首先，提供层叠的基底以及第一预备外延层；然后，去除部分第一预备外延层，形成多个间隔设置的第一沟槽，剩余的第一预备外延层形成第一外延层；之后，采用低温外延生长工艺，在各第一沟槽中形成超级结柱，其中，超级结柱的掺杂类型与第一外延层的掺杂类型不同，任意相邻的两个超级结柱之间的第一外延层的宽度大于超级结柱的宽度，即相邻的两个超级结柱之间的距离大于超级结柱的宽度，宽度为垂直基底厚度方向上的宽度；最后，在第一外延层的远离基底的一侧至少形成多个间隔设置的栅极结构。保证了第一外延层的通流面积较大，保证了超级结MOSFET器件的性能较好。
超级 mosfet 器件制作方法

[发明专利]超级结MOSFET器件及其制作方法-CN202310686122.X在审
发明人： 祁金伟;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种超级结MOSFET器件及其制作方法。该超级结MOSFET器件包括基底以及多个场板结构，其中，基底包括层叠的衬底以及第一外延层；多个场板结构间隔设置在第一外延层中，场板结构包括氧化层以及竖直场板，氧化层与第一外延层接触，竖直场板位于氧化层中，竖直场板的延伸方向与第一外延层的厚度方向相同，相邻的两个场板结构之间的距离大于场板结构的宽度，宽度为场板结构的垂直于厚度方向的宽度。保证了超级结MOSFET器件的通流能力较好，且由于场板结构的存在，使得超级结MOSFET器件的耐压能力较好，保证了超级结MOSFET器件的性能较好。
超级 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种IGBT器件-CN202211166946.6在审
发明人： 祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括集电极；形成在集电极之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，以及形成在漂移区内的多个的柱区；形成在漂移区上方的阱区；其中，电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；IGBT器件关断，所述电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0，电场在电场过渡层和电场终止层的交界位置自上而下平滑降低。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件在关断过程中关断损耗较大以及电场突变导致器件稳定性不足的技术问题。
一种 igbt 器件

[发明专利]半导体器件的终端结构-CN202310639732.4有效
发明人： 祁金伟 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件的终端结构，半导体器件的终端结构包括：第一表面、第二表面、在第一表面与第二表面之间层叠设置的第一半导体层和第二半导体层、由第一表面向第二表面延伸设置的多个沟槽，第一半导体层为主结，沟槽位于第一半导体层沿第一方向上的一侧，沟槽设置有掺杂层，至少部分沟槽的延伸尺寸沿第一方向呈逐渐减小的趋势。其中，沟槽包括子沟槽，沿第一表面至第二表面的方向上，各沟槽内第一级子沟槽至第N级子沟槽依次分布，至少部分相邻两个沟槽中靠近主结的一者包括M个子沟槽，另一者包括M‑1个子沟槽，第一方向为主结指向沟槽的方向，N≥1，且M≥2。本申请能够有效改善终端耐压性能的同时，降低耐压结构的工艺要求。
半导体器件终端结构

[发明专利]一种IGBT器件的制备方法及IGBT器件-CN202211079127.8在审
发明人：刘倩;祁金伟 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种IGBT器件的制备方法及IGBT器件。制备方法包括：在衬底上形成第二掺杂类型的外延层；自外延层上表面向下进行挖槽，形成柱区沟槽；在柱区沟槽填充第一掺杂类型的材料；挖槽，形成第一栅极沟槽，第一栅极沟槽自第一掺杂类型材料的上表面向下延伸，其中，未被挖掉的第一掺杂类型材料作为柱区；在第一栅极沟槽内形成第一栅氧化层；在第一栅氧化层之上形成第一栅极；在外延层的上部分中形成第一掺杂类型的阱区，阱区的底部高于柱区的顶部且外延层位于所述阱区之下的部分作为漂移区，且所述阱区和柱区被漂移区和所述第一栅氧化层隔开。本申请实施例解决了传统的IGBT器件的制备方法流程复杂制造成本高的技术问题。
一种 igbt 器件制备方法

[发明专利]一种二极管器件-CN202211102827.4在审
发明人： 祁金伟;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种二极管器件，包括：第一掺杂类型的第一半导体层；形成在第一半导体层之上的第一掺杂类型的电场终止层；形成在电场终止层之上的第一掺杂类型的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的第一掺杂类型的漂移区，以及形成在漂移区内间隔排列的多个第二掺杂类型的柱区；形成在漂移区上方的第二掺杂类型的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；二极管器件关断，电场过渡层被完全耗尽，电场在电场过渡层降低且在电场终止层减小至0。本申请实施例解决了传统的SJ‑二极管器件在关断过程拖尾电流带来的关断能量损耗较大的技术问题。
一种二极管器件

[发明专利]一种IGBT器件及开关电路-CN202211167593.1在审
发明人： 祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种IGBT器件及开关电路。IGBT器件包括集电极；形成在所述集电极之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，以及形成在漂移区的柱区；形成在漂移区上方的阱区；其中，电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；IGBT器件在不同预设工作电压关断时，电场过渡层均被完全耗尽，电场在电场过渡层降低且在电场终止层减小至0，IGBT器件的预设工作电压为大于等于10％×BV小于等于80％×BV。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件因关断能量损耗较大导致无法在低压工作的技术问题。
一种 igbt 器件开关电路

[发明专利]一种半导体器件及半导体器件的制备方法-CN202211079136.7在审
发明人： 祁金伟;刘倩 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及半导体器件的制备方法。半导体器件包括：第一掺杂类型的漂移区；第二掺杂类型的阱区，形成在所述漂移区之上，所述阱区和所述漂移区上下相邻设置；第一栅极沟槽，贯穿所述阱区且向下伸入到所述漂移区内；第一栅氧化层，形成在所述第一栅极沟槽内且所述第一栅氧化层的下端伸入到所述漂移区内；第二掺杂类型的柱区，形成在所述漂移区内，所述柱区的上部分与所述第一栅氧化层连接，且所述柱区与所述阱区被所述漂移区和所述第一栅氧化层隔开；第一栅极，形成在所述第一栅氧化层之上。本申请实施例解决了传统的半导体器件的超级结结构复杂制造成本高的技术问题。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体器件-CN202211167575.3在审
发明人： 祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件，包括第一半导体层；形成在第一半导体层之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，形成在漂移区内的柱区；形成在漂移区上方的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；电场过渡层的电荷总量Q总满足预设条件使得半导体器件关断，电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在电场终止层减小至0，电场过渡层的电荷总量Q总满足的预设条件为小于等于k％×Ec/εs。本申请实施例解决了传统的SJ‑双极型半导体器件关断能量损耗较大的技术问题。
一种半导体器件

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