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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有导电膜的传感器芯片-CN200810214290.4无效
发明人： 石王诚一郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种传感器芯片(90、100)，包括设置在半导体基板(10)中的传感器元件(31)和用于控制传感器元件(31)的控制电路(32)。控制电路(32)包括多个电路元件(32a至32j)，每个电路元件由P－N结分离隔离。传感器芯片(90、100)还包括导电膜(21至23、24a至26a、24b至26b、27)，其设置在电路元件(32a至32j)中至少一个的上方并且围绕该电路元件，并且具有固定为预定值的电势。
具有导电传感器芯片

[发明专利]旋转检测装置-CN200710149707.9有效
发明人： 石王诚一郎;角谷和好 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：一种检测磁转子(RT)旋转的旋转检测装置，包括：具有磁阻装置(1，2，MRE1－MRE4)的传感器芯片(11)；以及偏磁磁体(13)。磁阻装置(1，2，MRE1－MRE4)能检测传感器芯片(11)附近的磁矢量变化，从而旋转检测装置检测磁转子(RT)的旋转。磁矢量的变化是由偏磁磁场和磁转子(RT)旋转产生的。偏磁磁体(13)布置在传感器芯片(11)周围，从而可以控制磁矢量偏转角度。
旋转检测装置

[发明专利]旋转检测装置-CN200510081440.5有效
发明人：角谷和好;石王诚一郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：一种检测磁转子(RT)旋转的旋转检测装置，包括：具有磁阻装置(1，2，MRE1－MRE4)的传感器芯片(11)；以及偏磁磁体(13)。磁阻装置(1，2，MRE1－MRE4)能检测传感器芯片(11)附近的磁矢量变化，从而旋转检测装置检测磁转子(RT)的旋转。磁矢量的变化是由偏磁磁场和磁转子(RT)旋转产生的。偏磁磁体(13)布置在传感器芯片(11)周围，从而可以控制磁矢量偏转角度。
旋转检测装置

[发明专利]薄膜类型的半导体压力传感器-CN03123715.0有效
发明人： 石王诚一郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2003-05-20 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：一种薄膜类型半导体压力传感器(S1)包括一基本上矩形(110)的半导体基片(10)，所述半导体基片具有四个侧边(10a)、一(110)晶面方向的有效表面(11)和一与所述有效表面相反的(110)晶面方向的背面(12)。表面(11，12)中的每个表面被四个侧边(10a)包围，四个侧边(10a)中的每个侧面与大致平行于有效表面(11)的方向的晶轴的夹角大致是45°。基片(10)包括有效表面(11)上的薄膜(14)。通过在背面(12)上形成凹入部分(13)，形成所述薄膜(14)。薄膜(14)包括标准电阻(Rc1，Rc2，Rs1，Rs2)。根据标准电阻(Rc1，Rc2，Rs1，Rs2)上电阻的变化，检测压力。
薄膜类型半导体压力传感器

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