专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN201911214209.7有效
  • 石桥秀俊;吉田博 - 三菱电机株式会社
  • 2019-12-02 - 2023-10-13 - H01L23/057
  • 目的在于提供可兼顾轻量化和所需强度的确保的半导体装置。还涉及电力变换装置。半导体装置(202)具有:绝缘基板,具有绝缘层(5)、上部导体部(3)和下部导体部(6);半导体芯片(1、2);壳体,围绕绝缘基板及半导体芯片;以及封装材料,将壳体的内部进行封装。上部导体部的厚度形成得比下部导体部的厚度厚,上部导体部具有:电路图案,在电路图案配置半导体芯片;以及外周图案,在电路图案的外周侧隔开间隔而设置,上部导体部的外周图案、绝缘层的外周部及下部导体部的外周部固定于在壳体的周壁部(10a)的内周部形成的凹部(10b),形成从壳体的周壁部的外周部向外侧凸出的凸缘部(10c),在凸缘部形成能够安装散热鳍片的安装孔(10d)。
  • 半导体装置以及电力变换
  • [发明专利]半导体装置-CN202010027903.4有效
  • 北林拓也;吉田博;石桥秀俊;村田大辅 - 三菱电机株式会社
  • 2020-01-10 - 2023-05-05 - H01L23/62
  • 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有:绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c);半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b);通孔(100),其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a);通孔的内壁处的导电性膜(4);以及隔热材料(5),其在通孔的内部,在俯视观察时被导电性膜包围,导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置及电力转换装置-CN201910815062.0有效
  • 石桥秀俊;吉田博;村田大辅;北林拓也 - 三菱电机株式会社
  • 2019-08-30 - 2023-04-18 - H01L23/498
  • 本发明涉及半导体装置及电力转换装置,目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备:多个半导体芯片;中继基板,其设置于多个半导体芯片之上;第1外部电极;以及第2外部电极,中继基板具备:绝缘板,其形成有贯穿孔;下部导体,其设置于绝缘板的下表面,具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体;上部导体,其设置于绝缘板的上表面;连接部,其设置于贯穿孔,连接第2下部导体和上部导体;以及凸出部,其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分,从绝缘板向外侧凸出,凸出部与第1外部电极连接,第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接,俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。
  • 半导体装置电力转换
  • [发明专利]半导体装置-CN201811139732.3有效
  • 石桥秀俊;浅田晋助;木村义孝;江草稔 - 三菱电机株式会社
  • 2018-09-28 - 2023-02-28 - H01L23/31
  • 抑制半导体装置整体的高度尺寸扩大,且兼顾半导体装置的电绝缘性和压接端子的变形容许度。半导体装置具备绝缘基板、设于绝缘基板上的半导体元件、壳体框、压接端子、设于绝缘基板上的内壁部内侧而封装半导体元件的封装材料。壳体框在绝缘基板的俯视观察时以包围半导体元件的方式设于绝缘基板周缘。壳体框由绝缘物构成,具备外壁部、与外壁部相比设于绝缘基板中央侧的内壁部、夹在外壁部和内壁部间而与外壁部及内壁部一起构成凹部的凹部底面。压接端子具备经由配线与半导体元件连接的根部、从根部立起的主体部、设于主体部上端的压入部,根部埋入至凹部底面,主体部从凹部底面立起,从而主体部在内壁部和外壁部之间延伸,压入部凸出至凹部的上方。
  • 半导体装置
  • [发明专利]功率模块-CN201810175418.4有效
  • 村田大辅;吉田博;石桥秀俊 - 三菱电机株式会社
  • 2018-03-02 - 2022-05-13 - H01L25/07
  • 一种功率模块。防止流过铜块的电流的大小产生波动。具备:中继基板,其在表面和背面分别具有第1导体层和第2导体层;铜块,其插入至在中继基板的厚度方向贯穿的孔,将第1导体层和第2导体层导通;半导体元件,其在与铜块的端面相对的位置具有主电极,一个主电极仅与一个铜块电连接;绝缘基板,其经由接合材料接合于半导体元件的背面;以及封装材料,其对中继基板、铜块、及半导体元件进行封装。
  • 功率模块
  • [发明专利]半导体装置-CN201680079904.5有效
  • 吉田博;井本裕儿;石桥秀俊;村田大辅;中原贤太;冈诚次;藤野纯司;浅地伸洋 - 三菱电机株式会社
  • 2016-01-29 - 2021-08-13 - H01L25/07
  • 具有:基板;多个半导体芯片,它们固定于该基板;绝缘板,其形成有贯穿孔;第1下部导体,其具有下部主体和下部凸出部,该下部主体形成于该绝缘板的下表面,与该多个半导体芯片中的任意者焊接,该下部凸出部与该下部主体相连,在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外;第2下部导体,其形成于该绝缘板的下表面,与该多个半导体芯片中的任意者焊接;上部导体,其具有上部主体和上部凸出部,该上部主体形成于该绝缘板的上表面,该上部凸出部与该上部主体相连,在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外;连接部,其设置于该贯穿孔,将该上部主体和该第2下部导体连接;第1外部电极,其与该下部凸出部连接;以及第2外部电极,其与该上部凸出部连接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法-CN201911112072.4在审
  • 村田大辅;吉田博;石桥秀俊 - 三菱电机株式会社
  • 2019-11-14 - 2020-05-29 - H01L21/52
  • 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法,其目的在于得到能够高效地散热的半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具备:绝缘基板,其具有有机绝缘层以及设置于该有机绝缘层之上的电路图案;以及半导体芯片,其设置于该电路图案的上表面,该电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。本发明涉及的半导体装置的制造方法在有机绝缘层之上形成厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm的金属层,通过机械加工将该金属层进行图案化而形成电路图案,在该电路图案的上表面设置半导体芯片。
  • 半导体装置电力变换制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201710490908.9有效
  • 冈诚次;吉田博;石桥秀俊;井本裕儿;村田大辅;中原贤太 - 三菱电机株式会社
  • 2017-06-23 - 2020-04-10 - H01L23/02
  • 目的是提供可防止由于将外部电极焊接于半导体芯片而产生的问题并减小电流路径的电阻的半导体装置。具备:固定于基板的多个半导体芯片;形成有贯通孔的绝缘板;第1下部导体,其是1个导体,具有形成在该绝缘板下表面的与该多个半导体芯片的任意者电连接的下部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的下部凸出部;第2下部导体,其形成在该绝缘板下表面,与该多个半导体芯片的任意者电连接;上部导体,其是1个导体,具有在该绝缘板上表面形成的上部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的上部凸出部;连接部,其设置于该贯通孔,连接该上部主体和该第2下部导体;以及树脂,其覆盖该半导体芯片和该绝缘板,该下部凸出部和该上部凸出部延伸至该树脂之外。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201610268559.1有效
  • 吉田博;大坪义贵;石桥秀俊;中原贤太 - 三菱电机株式会社
  • 2016-04-27 - 2019-05-17 - H01L23/367
  • 本发明提供一种具有高散热性且能够对以热应力为起因的翘曲进行抑制的半导体装置。第1导体层(4)设置在绝缘板(12)的第1面(S1)之上,具有第1体积。第2导体层(2)设置在绝缘板(12)的第2面(S2)之上,具有第2体积。第3导体层(3)设置在绝缘板(12)的第2面(S2)之上,具有第3体积。第3导体层具有比第2导体层厚的安装区域(3M)。第2体积及第3体积之和大于或等于第1体积的70%且小于或等于130%。半导体芯片(1)设置在安装区域(3M)之上。封装部(10)由绝缘体制成,在壳体(9)内将半导体芯片(1)封装。
  • 半导体装置

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