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[发明专利]包含自对准位线接触件的三维存储器设备及其形成方法-CN202280017698.0在审
发明人：天野文贵;大泽祐辅;石川宪辅;虫贺光昭;河崎基树;矢田信介;宫本真人;深田翔;柏村孝;藤野茂弘 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：竖直层堆叠可形成在阵列区上方，该竖直层堆叠包括位线级介电层和蚀刻停止介电层。位线沟槽穿过该竖直层堆叠而形成。位线沟槽填充结构形成在该位线沟槽中。该位线沟槽填充结构中的每个位线沟槽填充结构包括位线和封盖介电条带的堆叠。至少一个通孔级介电层可形成在该竖直层堆叠上方。位线接触通孔腔可穿过该至少一个通孔级介电层和该封盖介电条带中的一个封盖介电条带而形成。形成在该位线接触通孔腔中的位线接触通孔结构包括阶梯式底表面，该阶梯式底表面包括该位线中的一个位线的顶表面、该蚀刻停止介电层的侧壁区段和该蚀刻停止介电层的顶表面的区段。
包含对准接触三维存储器设备及其形成方法

[发明专利]含有多层钛氮化物扩散屏障的半导体器件以及其制造方法-CN201780003018.9在审
发明人：天野文贵;石川宪辅;井上慎也;佐野道明 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：半导体器件包含硅表面(1402)、接触硅表面的钛硅化物层(1404)、位于钛硅化物层之上的第一钛氮化物层(1406)、接触第一钛氮化物层的钛氮氧化物层(1512)、接触钛氮氧化物层的第二钛氮化物层(1516)，以及位于第二钛氮化物层之上的金属填充层(84B)。
钛氮化物半导体器件钛氮氧化物钛硅化物层硅表面金属填充层多层屏障扩散制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410029741.9有效
发明人：野口纯司;大岛隆文;三浦典子;石川宪辅;岩崎富生;胜山清美;斋藤达之;田丸刚;山口日出 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，目的是提高包含以铜作为主要成分的主导体膜的埋入布线的可靠性。在包含作为下层布线的布线(20)的上表面的绝缘膜(16)上，形成由铜的阻挡性优良的碳氮化硅膜组成的绝缘膜(21)，在绝缘膜(21)上形成由与低介电常数材料膜的粘合性优良的碳化硅膜组成的绝缘膜(22)，在绝缘膜(22)上，形成由低介电常数材料组成的绝缘膜(23)作为层间绝缘膜，之后，形成作为上层布线的布线(34)。使用绝缘膜(21)和绝缘膜(22)的层叠膜作为铜布线的阻挡绝缘膜，并将下层一侧的绝缘膜(21)做成高阻挡性的膜，将上层一侧的绝缘膜(22)做成高粘合性的膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN03131485.6无效
发明人：斋藤敏男;石川宪辅;芦原洋司;斋藤达之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明给出一种半导体器件，包含：第一绝缘膜，沉积在半导体衬底上；互连开口部分，形成在第一绝缘膜中；互连，置于互连开口部分中；以及第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜和互连上。所述互连具有：第一导电膜；第二导电膜，由化学气相沉积或ALD通过第一导电膜形成，由钛硅氮、钽硅氮、氮化钽和氮化钛中的任意一种组成；第三导电膜，通过第一和第二导电膜形成，由具有和铜的优良粘合性的材料组成；以及第四导电膜，通过第一、第二和第三导电膜形成，主要成分为铜。本发明使得有可能改善主要由铜组成的导电膜和另一具有阻挡铜扩散的功能的导电膜—每层导电膜都构成半导体器件的互连—之间的粘合。
半导体器件