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- [发明专利]溅射靶及其制造方法-CN00807317.1有效
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中岛光一;石塚庆一;熊原吉一
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株式会社日本能源
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2000-05-01
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2002-05-22
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C23C14/34
- 本发明涉及一种生产透明导电薄膜的IZO溅射靶,它含100－2000ppm的Sn,其主要由In和Zn的氧化物组成,本发明还涉及一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶的方法,该靶含100－2000ppm的Sn,它主要由在1100－1500℃下烧结In2O3和ZnO的混合粉末的所得的In和Zn的氧化物组成,以致其ZnO的含量为0.5－25重量%。生产透明导电薄膜的IZO溅射靶和透明导电薄膜可恒定地获得,并有很好的再现性,其中主要由In和Zn的氧化物组成的IZO透明导电薄膜得到了改进,未影响其特性,加入微量的Sn降低了其体电阻,在溅射时可稳定放电。
- 溅射及其制造方法
- [发明专利]溅射靶-CN00801420.5有效
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熊原吉一;石塚庆一
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株式会社日矿材料
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2000-05-01
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2001-10-17
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C23C14/34
- 本发明涉及溅射靶，该溅射靶的表面或两个面的磨削方向或磨削的切线方向的一部分与焊到垫板后的靶的翘曲方向平行，或处于与翘曲方向成45°角的范围内；或者，当靶为矩形时，处于焊到垫板后的靶的翘曲方向和对角线的夹角的范围内，特别是可得到这样的溅射靶该靶在陶瓷靶的制造工序，即靶和垫板的接合工序中，可以有效地降低或防止由于热膨胀率的不同所致裂纹，同时，在溅射时也可有效地降低或防止同样的裂纹或翘曲。
- 溅射
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