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[发明专利]垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法-CN200810184082.4有效
发明人：李守烈;吴邦元;白斗高;张泰盛;禹钟均;崔锡范;尹相皓;金东佑;吕寅泰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n-型GaN基半导体层、有源层、以及p-型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p-电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n-型GaN基半导体层上形成n-电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
垂直氮化发光二极管及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN200810134736.2有效
发明人：尹相皓;李守烈;白斗高;崔锡范;张泰盛;禹钟均 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有良好的光提取效率的半导体发光器件，以通过增加反射层的全反射率来有效反射移动进入该器件的光。根据本发明的一个方面的半导体发光器件包括：衬底；反射电极；顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层。这里，反射电极包括：第一反射层，设置在衬底上并包括反射由有源层产生的光的导电反射材料；以及第二反射层，设置在第一反射层上，包括反射由有源层产生的光的一个或多个介电部和填充有导电填料以将第一导电类型半导体层和第一反射层电连接的一个或多个接触孔，并且第二反射层的厚度大于所产生的光的波长。
半导体发光器件

[发明专利]垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法-CN200710097453.0有效
发明人：李守烈;吴邦元;白斗高;张泰盛;禹钟均;崔锡范;尹相皓;金东佑;吕寅泰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n－型GaN基半导体层、有源层、以及p－型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p－电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n－型GaN基半导体层上形成n－电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
垂直氮化发光二极管及其制造方法

[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制造方法-CN200710105256.9有效
发明人：崔锡范;吴邦元;禹钟均;白斗高 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2007-05-28 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种垂直GaN基LED，包括n－电极；在该n－电极下形成的n－型GaN层，该n－型GaN层具有不规则表面结构，该不规则表面结构包括具有以均匀间隔形成的不规则结构的第一不规则表面结构和具有以不均匀间隔形成的不规则结构的第二不规则表面结构，该第二不规则表面结构形成于该第一不规则表面结构之上；在该n－型GaN层下形成的有源层；在该有源层下形成的p－型GaN层；在该p－型GaN层下形成的p－电极；以及在该p－电极下形成的结构支持层。
氮化发光二极管及其制造方法