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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210356920.1在审
发明人：李国兴;薛胜元;康智凯;林俊贤;白启宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包括先提供一基底包含第一NMOS区域、第一PMOS区域、第二NMOS区域、第二PMOS区域以及一MOS电容区，然后形成一鳍状结构NMOS晶体管于该第一NMOS区域，形成一鳍状结构PMOS晶体管于该第一PMOS区域，形成一平面型NMOS晶体管于该第二NMOS区域，形成一平面型PMOS晶体管于该第二PMOS区域，再形成一平面型MOS电容于该MOS电容区。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体存储器结构及其制作方法-CN202111085199.9在审
发明人：李国兴;吴建良;林文凯;叶德炜;薛胜元;白启宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储器结构及其制作方法，其中该半导体存储器结构，包含基底，具有晶体管形成区和靠近晶体管形成区的电容形成区；晶体管，设置于晶体管形成区内的基底上；电容，设置在电容形成区域内并且电连接到晶体管；第一层间介电层，覆盖晶体管形成区与电容形成区，其中第一层间介电层围绕晶体管的金属栅极与电容的下电极板；以及盖层，位于第一层间介电层上，其中，盖层在晶体管形成区内具有第一厚度并且在电容形成区内具有第二厚度，其中，第一厚度大于第二厚度，盖层在电容形成区域内充当电容的电容介电层。
半导体存储器结构及其制作方法

[发明专利]一次性可编程存储器结构-CN202110412932.7在审
发明人：李国兴;白启宏;翁彰键;薛胜元;曾靖翔;徐世杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明提供一种一次性可编程存储器结构，包括基底、晶体管、电容器与互连线结构。晶体管位于基底上。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极设置在基底上方。第二电极设置在第一电极上。第一电极位于第二电极与基底之间。绝缘层设置在第一电极与第二电极之间。互连线结构电连接于晶体管与电容器的第一电极之间。互连线结构在第一电极的顶面电连接于第一电极。上述一次性可编程存储器结构可有效地防止在基底中产生噪声源。
一次性可编程存储器结构

[发明专利]一次性可编程存储单元及其制作方法-CN202110393219.2在审
发明人：李国兴;翁彰键;薛胜元;曾靖翔;白启宏;徐世杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开一种一次性可编程存储单元及其制作方法，其中该一次性可编程存储单元，包含一基底，其包含被一隔离区域围绕的一主动区域；一晶体管，设置在所述主动区域上；以及电耦合至所述晶体管的一扩散接触熔丝，其中，所述扩散接触熔丝包含：位于所述主动区域中的一扩散区；所述扩散区上的一硅化物层；以及部分地位于所述硅化物层上并且部分地位于所述隔离区域上的一接触部。
一次性可编程存储单元及其制作方法

[发明专利]用于一次性编程的位单元结构-CN202110376168.2在审
发明人：李国兴;薛胜元;白启宏;康智凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开一种用于一次性编程的位单元结构，包括一基底、一第一掺杂区位于该基底中并与一来源线电连接、一第二掺杂区位于该基底中且具有源极与漏极，该漏极与一位线电连接、一重掺杂通道区位于该基底中并连接该第一掺杂区与该第二掺杂区的该源极、以及一字符线，横跨在该第二掺杂区上且介于该源极与该漏极之间。
用于一次性编程单元结构

[发明专利]半导体存储单元及其形成方法-CN202110301918.X在审
发明人：李国兴;李坤宪;薛胜元;翁彰键;曾靖翔;吴宗训;白启宏;徐世杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储单元及其形成方法，其中该半导体存储单元包含一基底，该基底中包含有一第一导电型态，一掺杂区，位于该基底中，其中该掺杂区具有一第二导电型态，且该第一导电型态与该第二导电型态互补，一电容绝缘层与一上电极，位于该掺杂区上，一晶体管，位于该基底上，以及一浅沟隔离，位于该晶体管与该电容绝缘层之间，且位于该掺杂区内。
半导体存储单元及其形成方法

[发明专利]滑坡式底部过滤浪板-CN201811295292.0在审
发明人：吴健隆;白启宏 -专利权人：吴健隆;白启宏
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B01D29/03 文献下载
摘要：本发明公开一种滑坡式底部过滤浪板，其设有隔板，隔板上面前端设有水流循环区与滑坡区，中段处设有集漏区凸槽，隔板下面相应形成集漏区凹槽，滑坡式底部过滤浪板上还设有吸尘抽水区及入水管接头与出水管接头，利用抽水泵管路的设置进行抽水，可让鱼的排泄物与杂质顺着水流引入吸尘抽水区至水族箱上方的过滤白棉，而干净水流于滑坡式底部过滤浪板上方并回流至水族箱内部，如此不断地循环，让鱼的排泄物与杂质沉淀在滑坡式底部过滤浪板上，使水族箱底部具备活氧层并因水质优化可增加硝化菌，且可有效去除有机氮以及有机氨，维护水族箱内的优化水质。
滑坡底部过滤

[发明专利]电阻及其制作方法-CN201110271859.2有效
发明人：杨杰甯;徐世杰;林俊贤;王尧展;白启宏;曾纪升 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻以及具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法，该制作方法首先提供基底，且该基底上定义有晶体管区与电阻区。接下来，在该晶体管区与该电阻区内分别形成晶体管与电阻，且该晶体管具有虚置栅极。随后，移除该虚置栅极与部分该电阻，以分别于该晶体管与该电阻内形成第一沟槽与二个第二沟槽，并于该第一沟槽与这些第二沟槽内分别形成至少一高介电常数栅极介电层。之后，在该第一沟槽与这些第二沟槽中分别形成金属栅极与金属结构。
电阻及其制作方法

[发明专利]半导体元件隔离结构及其形成方法-CN200810109876.4有效
发明人：吕水烟;叶洸玮;陈信琦;陈琮文;朱庆芳;白启宏;陈界得 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件隔离结构及其形成方法。一种半导体元件隔离结构的形成方法，首先，提供基底，基底具有至少一浅沟槽隔离结构。接着，进行金属硅化工艺，金属硅化工艺会于浅沟槽隔离结构表面形成凹陷。之后，形成覆盖层覆盖基底并填入凹陷，接着，进行蚀刻工艺，以去除位于凹陷外的覆盖层，最后，形成接触窗蚀刻停止层覆盖基底并填满凹陷。因预先用覆盖层填补凹陷，使覆盖于基底上与填充于凹陷中的接触窗蚀刻停止层不产生隙缝或孔洞。
半导体元件隔离结构及其形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的保护方法及应用于其的保护层-CN200710141088.9无效
发明人：王尧展;徐世杰;吴志强;林煌益;白启宏;陈琮文;施宏霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的保护方法，适用于半导体元件工艺中，半导体元件工艺包括第一工艺与第二工艺，在第一工艺中于浅沟槽隔离结构表面形成凹陷，此保护方法包括在第二工艺中沿着凹陷轮廓在凹陷表面形成氮化硅层。
沟槽隔离结构保护方法应用于保护层

[发明专利]含磷硅酸盐玻璃层间介质层的制造方法-CN200510027480.1无效
发明人：毛刚;张弓;王欣;白启宏;张文广 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-07-04 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：含磷硅酸盐玻璃层间介质层的制造方法，包括步骤：步骤S101，用高密度等离子体淀积方法淀积非掺杂的硅玻璃(HDP USG)介质层，非掺杂的硅玻璃(PSG USG)层；步骤S102，用减压化学汽相淀积(Sub－atmosphere CVD)方法淀积含磷四乙氧基硅(P TEOS)层；步骤S103，用用化学机械抛光(CMP)平整淀积的含磷四乙氧基硅(P TEOS)层表面；步骤S104，用等离子体增强型学汽相淀积(PECVD)方法淀积氧化硅(SiO2)层；步骤S105，淀积氮氧化硅(SiON)层作为抗反射层(DRAC)。形成具有四层膜构成的叠层结构的含磷硅酸盐玻璃层间介质层。
硅酸盐玻璃介质制造方法

[发明专利]一种在化学机械研磨中减少导体结构碟陷与侵蚀的方法-CN200510026257.5有效
发明人：王欣;白启宏;刘俊良 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在铜的化学机械研磨过程中的后期，由于不同区域铜的研磨速率不同，产生的铜导体结构中的碟陷与侵蚀。本发明提出在化学机械研磨中减少导体结构碟陷与侵蚀的方法，通过施加反向直流偏压，平衡不同区域铜的研磨速率，克服了铜的碟陷与侵蚀。
一种化学机械研磨减少导体结构侵蚀方法

[发明专利]在集成电路器件的大马士革铜工艺中电容器制造的方法及其结构-CN200310122959.4有效
发明人： 白启宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-12-30 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成集成电路器件用的金属－绝缘体－金属电容器结构的方法及其所得结构。本方法包括形成双大马士革结构，所述结构具有包括铜的第一导电部分，通过介电材料第一导电部分与第二导电部分隔开。第二导电部分在介电材料下通过第三导电部分耦合到第一导电部分。第一导电部分、介电材料和第二导电部分形成对于第三导电部分的充分平坦的表面。第一导电部分和第二导电部分通过第三导电部分耦合，形成第一极板。选择性地去除第一导电部分和第二导电部分间的介电材料，形成第一导电部分和第二导电部分确定的开口。在开口内形成绝缘层，形成电容器介电层。在绝缘层上形成高于充分平坦表面的铜层，形成第二极板。平坦化铜层以确定第二极板。
集成电路器件大马士革工艺电容器制造方法及其结构

[发明专利]检测及鉴别肠病毒的方法及其所用之引物及探针-CN01100622.6无效
发明人：李泔泓;白启宏;曾杨源;王意雯;王献煌 -专利权人：晶宇生物科技实业股份有限公司
申请日： 2001-01-15 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明揭示了核苷酸引物对在检测检体中肠病毒之存在与否中的应用。本发明亦揭示能够与肠病毒核酸之有义链或相关于该有义链之核酸进行特异性杂交反应之合成性核苷酸序列。本发明提供了检测肠病毒核酸在检体中存在与否的方法以及在检体中检测肠病毒之试剂盒。本发明特别提供检测及鉴别检体中肠病毒71型及/或柯萨奇病毒A16型的方法及试剂盒。
检测鉴别肠病毒方法及其所用引物探针

[发明专利]生物芯片及其制造方法-CN99125472.4无效
发明人：李泔泓;施宇豪;蔡娟美;王意雯;萧夐;白启宏;王献煌 -专利权人：晶宇生物科技实业股份有限公司
申请日： 1999-12-06 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明提供一种简便、有效且节省成本的生物芯片及其制造方法，其中该生物芯片包含一有机聚合物基质，该基质具有一由该有机聚合物所直接组成的裸表面、以及多个固着于该基质上之生物分子，其中，所述的生物分子是稳定键结(以共价键结或离子键结方式)而直接固着于该基质的裸表面上的，藉此这些生物分子得以稳定且直接地固着于该基质上，并得以进行各种生化反应。
生物芯片及其制造方法

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