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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200980132004.2无效
发明人：宝藏寺裕之;守田俊章;保田雄亮;依田智子;白井优之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时实现电磁波屏蔽性和搭载电子部件时的加热工序中的可靠性的半导体器件。在半导体器件中，具有搭载在电路基板1主面上的高频率安装部件5、6，将安装部件5、6与电路基板1主面的布线图案4进行电连接，形成绝缘性树脂的封固体7使其密封安装部件5、6，将金属粒子涂布在封固体7的表面，将涂布后的金属粒子烧结，由此形成电磁波屏蔽层2，将电磁波屏蔽层2与电路基板1的接地图案3进行电连接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010105258.X无效
发明人：依田智子;白井优之;中岛浩一;小作浩;田上知纪;冈部宽;原敦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中提供一种允许减少半导体器件的尺寸而不减弱电磁屏蔽效果和防范回流加热的可靠性的技术。在多个部件安装于模块衬底的部件安装表面之上之后，形成树脂以覆盖安装的部件。另外在树脂的表面(上表面和侧表面)之上形成屏蔽层，该屏蔽层包括Cu镀膜和Ni镀膜的叠置膜。在屏蔽层中，多个微通道裂缝沿着颗粒边界并且以网状配置随机形成而不在直线中相互耦合，并且通过微通道裂缝形成从树脂向屏蔽层的表面延伸的多个路径。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]带屏蔽装置的电子部件及其制造方法-CN200910212025.7无效
发明人：依田智子;山口欣秀;白井优之;长谷川优 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种形成镀膜并在单面带有耐回流可靠性高的屏蔽装置的电子部件，该电子部件不会从基板侧面浸透CO2、漂移可靠性高、且通过在高压CO2下形成镀敷基底而大幅提高了密接性。在带屏蔽装置的电子部件中，具备：布线基板(10)；搭载在布线基板(10)的主面上的至少一个半导体芯片(21)；对布线基板(10)的整个上表面进行密封的密封体(23)；以及形成在密封体(23)的上表面的Ni镀敷膜(118)，Ni镀敷膜(118)形成于在保护了布线基板的背面的状态下仅形成在密封体(23)的上表面的使用了高压CO2的Pd前处理层(117)上，且和布线基板的侧面的接地布线层的端部、或与接地布线层的端部连接的GND连接用通孔(101)电连接。
屏蔽装置电子部件及其制造方法