|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 27个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]绝缘反射基板及其制造方法-CN201280033029.9无效
-
畠中优介;上杉彰男
-
富士胶片株式会社
-
2012-07-02
-
2014-03-12
-
C25D11/16
- 发明的目的是提供一种绝缘反射基板，所述绝缘反射基板能够提供具有优异的绝缘性和优异的扩散反射率的发光元件。本发明的绝缘反射基板(1)包括铝层(2)和设置在所述铝层(2)的表面上的氧化铝层(3)。所述的氧化铝层(3)具有80μm至300μm的厚度(包括端点)，并且所述氧化铝层(3)在所述氧化铝层的表面中具有各自具有开口的大凹坑(4)。所述大凹坑(4)具有大于1μm但30μm以下的平均开口直径和80μm以上但小于所述氧化铝层(3)的厚度的平均深度。两个大凹坑(4)之间的平均距离是10μm以上但小于所述氧化铝层(3)的厚度。所述大凹坑(4)的开口的总面积与所述氧化铝层(3)的表面积的比率为10％至40％(包括端点)。每个大凹坑(4)具有小凹坑(5)，所述小凹坑在所述大凹坑(4)的内表面中各自具有开口，并且所述小凹坑(5)具有5-1,000nm的平均开口直径。
- 绝缘反射及其制造方法
- [发明专利]光反射基板-CN201180062875.9无效
-
堀田吉则;畠中优介
-
富士胶片株式会社
-
2011-12-21
-
2013-08-28
-
C25D11/16
- 本发明的目的在于，提供显示出高反射率、并且可以获得反射率的各向异性小、各向同性优异的发光的光反射基板、以及使用了它的发光元件。本发明的光反射基板是具备铝基板、和其上的铝的阳极氧化皮膜的光反射基板，所述阳极氧化皮膜表面的第一方向的表面粗糙度Ra1、和与所述第一方向正交的第二方向的表面粗糙度Ra2的比(其中，以Ra1及Ra2中的更大的值的一方作为分母，以值小的一方作为分子。而且，在Ra1及Ra2为相同值的情况下，无论哪一个为分母都可以。)为0.4～1.0，Ra1及Ra2分别为0.1～0.4μm。
- 反射
- [发明专利]微细结构体及微细结构体制备方法-CN201110176921.X有效
-
山下广祐;畠中优介
-
富士胶片株式会社
-
2011-06-22
-
2012-01-11
-
H01L23/498
- 本发明提供一种微细结构体和制备这种微细结构体的方法，所述微细结构体能够提供能减少布线缺陷的各向异性导电部件。所述微细结构体包括形成于绝缘基体中并被金属和绝缘物质填充的通孔。所述通孔具有1×106至1×1010个孔/mm2的密度，10nm至5000nm的平均开口直径，以及10μm至1000μm的平均深度。通孔由金属单独实现的封孔率为80％以上，并且通孔由金属和绝缘物质实现的封孔率为99％以上。所述绝缘物质是选自以下各项中的至少一种：氢氧化铝、二氧化硅、金属醇盐、氯化锂、氧化钛、氧化镁、氧化钽、氧化铌和氧化锆。
- 微细结构体制方法
|
