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[发明专利]氮化物半导体装置-CN201880073367.2有效
发明人：柴田大辅;田村聪之;平下奈奈子 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：氮化物半导体装置(100)具备：基板(110)；漂移层(120)；阻挡层(130)；栅极开口部(140)，贯通阻挡层(130)；被依次设置的电子传输层(150)及电子供给层(151)，具有位于阻挡层(130)的上方的部分和沿着栅极开口部(140)的内表面的部分；栅极电极(170)，以覆盖栅极开口部(140)的方式而被设置；源极开口部(160)，贯通电子传输层(150)及电子供给层(151)；源极电极(180S)，被设置在源极开口部(160)；以及漏极电极(180D)，在平面视的情况下，栅极开口部(140)的长度方向上的端部(143)的轮廓(143a)的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。
氮化物半导体装置

[发明专利]半导体继电器-CN201780082127.4有效
发明人：柴田大辅;田村聪之;宇治田信二;平下奈奈子;小川雅弘;梶谷亮 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。
半导体继电器

[发明专利]氮化物半导体装置-CN201980021326.3在审
发明人：宇治田信二;柴田大辅;田村聪之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：氮化物半导体装置(10)具备依次被设置的基板(12)；漂移层(14)；第1基础层(16)；到达漂移层(14)的栅极开口部(22)；沿着栅极开口部(22)的内表面设置的电子传输层(24)和电子供给层(26)；以覆盖栅极开口部(22)的方式设置的栅极电极(30)；延伸到第1基础层(16)的源极开口部(32)；被设置在源极开口部(32)并且与第1基础层(16)连接的源极电极(34)；被设置在基板(12)的背面侧的漏极电极(36)；在基板(12)的最外周部(48)，贯通电子传输层(24)和电子供给层(26)并延伸到第1基础层(16)的外周开口部(38)；被设置在外周开口部(38)，与第1基础层(16)连接，不与电子传输层(24)和电子供给层(26)接触的电位固定电极(40)。
氮化物半导体装置

[发明专利]氮化物半导体装置-CN201980019884.6在审
发明人：小川雅弘;柴田大辅;田村聪之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：氮化物半导体装置(10)具备：基板(12)；依次设置在基板(12)的第1主面(12a)上方的第1导电型的漂移层(14)以及第2导电型的第1基础层(16)；栅极开口部(22)，贯通第1基础层(16)并且延伸到漂移层(14)；电子传输层(26)，具有位于第1基础层(16)的上方的部分以及沿着栅极开口部(22)的内表面的部分；栅极电极(30)，被设置在电子传输层(26)的上方且覆盖栅极开口部(22)；源极电极(34)，与第1基础层(16)连接；漏极电极(36)，设置在基板(12)的第2主面(12b)侧；以及高电阻层(24)，由氮化物半导体构成，设置在栅极开口部(22)中的第1基础层(16)与电子传输层(26)之间，其电阻值比第1基础层(16)高。
氮化物半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710740104.X有效
发明人：梅田英和;海原一裕;田村聪之 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：减少半导体装置的寄生电容以及泄漏电流。例如在由硅构成的基板上依次外延生长有例如由厚度为100nm的AlN构成的缓冲层、厚度为2μm的非掺杂GaN层、以及厚度为20nm且Al组分比为20％的非掺杂AlGaN，源极电极以及漏极电极以与非掺杂AlGaN层欧姆接触的方式形成。而且，在栅极布线的正下方的非掺杂GaN层与非掺杂AlGaN层中，例如形成有通过Ar等的离子注入而高电阻化了的高电阻区域，高电阻区域与元件区域的边界位于栅极布线正下方。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201380047535.8有效
发明人：梅田英和;海原一裕;田村聪之 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：减少半导体装置的寄生电容以及泄漏电流。例如在由硅构成的基板上依次外延生长有例如由厚度为100nm的AlN构成的缓冲层、厚度为2μm的非掺杂GaN层、以及厚度为20nm且Al组分比为20％的非掺杂AlGaN，源极电极以及漏极电极以与非掺杂AlGaN层欧姆接触的方式形成。而且，在栅极布线的正下方的非掺杂GaN层与非掺杂AlGaN层中，例如形成有通过Ar等的离子注入而高电阻化了的高电阻区域，高电阻区域与元件区域的边界位于栅极布线正下方。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180043623.1有效
发明人：木下雄介;田村聪之;按田义治;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。
半导体装置

[发明专利]场效应晶体管-CN201180037480.3有效
发明人：胁田尚英;田中健一郎;石田昌宏;田村聪之;柴田大辅 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-18 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。
场效应晶体管

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN200980152766.9无效
发明人：梶谷亮;田村聪之;春日井秀纪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：氮化物半导体装置具备：在基板(101)上形成的第一氮化物半导体层(107)、在第一氮化物半导体层(107)上形成的缺陷导入层(108)、以及在缺陷导入层(108)上接触形成的具有露出缺陷导入层(108)的开口部的第二氮化物半导体层(109)。缺陷导入层(108)与第一氮化物半导体层(107)以及第二氮化物半导体层(109)相比，结晶缺陷密度较大。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体激光元件-CN200980108300.9无效
发明人：小野泽和利;田村聪之;春日井秀纪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及的氮化物半导体激光元件具备：形成在基板上的由氮化物半导体构成的活性层(106)；和形成在活性层(106)上，具有使电流选择性地向活性层(106)流动的开口部(109a)的电流缩窄层(109)；在将开口部(109a)与电流缩窄层(109)之间的有效折射率差设为Δn、将从活性层(106)发出的激光之中被封闭在活性层(106)中的激光的垂直方向的光封闭率设为Γv时，满足0.044＜Δn/Γv＜0.062的关系。
氮化物半导体激光元件

[发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200980000087.X无效
发明人：小野泽和利;田村聪之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括：主面的晶面方位为(1-100)的基板(11)，形成在基板(11)上且具有条状光波导部的半导体叠层体(12)，以及形成在基板(11)上的出射端面的至少一部分的多个锥状突起部(13)。出射端面的晶面方位为(000-1)。
半导体激光装置及其制造方法

[发明专利]自激振荡型氮化物半导体激光装置及其制造方法-CN200610171146.8无效
发明人： 田村聪之;池户教夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自激振荡型氮化物半导体激光装置。在包括由n型包层11和p型包层13夹着的活性层12和具有使流向活性层12的电流狭窄的开口部的电流狭窄层14的埋入结构中，在电流狭窄层14上形成有由添加了p型杂质的氮化物半导体形成的再成长层15来将电流狭窄层14的开口部覆盖好。埋设在开口部的再成长层15中与开口部侧面相邻且具有一定宽度W的区域成为n型化区域15a。这样一来，通过使实际效果是电流狭窄层14的开口部变窄来得到自激振荡型氮化物半导体激光装置10。
振荡氮化物半导体激光装置及其制造方法

[发明专利]氮化物系化合物半导体元件的制造方法-CN200410104567.X无效
发明人：大野启;田村聪之;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体元件的制造方法，包括：在母基板(11)上形成氮化物半导体层(13)工序；在氮化物半导体层(13)上面的一部分形成、顺次为干式蚀刻掩膜层(14a)、电子释放层(14b)的导电性膜(14)工序；对氮化物半导体层(13)进行干式蚀刻工序；经导电性膜(14)使从氮化物半导体层(13)向外部释放电子，对氮化物半导体层(13)进行湿式蚀刻工序。根据本发明的制造方法，即便进行干式蚀刻也不形成损伤层。
氮化物化合物半导体元件制造方法

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