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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202180061683.X在审
发明人：秋山浩二;田村知大;菲利普·盖伯特 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上或在形成于半导体基板的下部电极上，形成电介质膜的工序；使金属选择性地附着在电介质膜的表面上的规定区域的工序；通过对金属实施热处理，在电介质膜的表面上的规定区域形成绝缘性的金属氧化膜的工序；以及在电介质膜的表面上的规定区域形成有金属氧化膜的状态下，在电介质膜上形成上部电极的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]导电性部件的形成方法和沟道的形成方法-CN202211121926.7在审
发明人：秋山浩二;田村知大;藁科尚士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本发明提供能够控制性良好且简易地使晶粒大粒径化的导电性部件的形成方法和沟道的形成方法。首先，在基片上形成第一部分和第二部分，其中，第一部分含有构成要得到的导电性部件的第一元素和与第一元素发生共晶反应的第二元素，第二部分含有与第二元素形成金属间化合物的第三元素。接着，使第一部分成为液相状态后调整基片的温度来使第一元素的初晶晶析。接着，在将基片的温度维持为相同温度的状态下，使第二元素从第一部分扩散到第二部分，使第一部分中的第一元素的晶体相对于液相的比率增加，使第一元素的晶粒生长。接着，将第二元素向第二部分的扩散结束后的第一部分，作为具有第一元素的晶粒的导电性部件。
导电性部件形成方法沟道