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[发明专利]对话处理装置及对话处理系统-CN201880058572.1有效
发明人：杉浦千加志;佐佐木淳哉;后藤哲也;长健太;田中浩之;铃木优 -专利权人：株式会社东芝;东芝数字解决方案株式会社
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F16/332 文献下载
摘要：实施方式的对话处理装置(10)具有一个或者多个分项目处理部(12)和对话控制部(11)。对话控制部(11)向各分项目处理部(12)发送输入信息。各分项目处理部(12)从输入信息中抽取自身应获得的信息的候选，并与表示该候选的可靠性的程度的信息一起发送给对话控制部(11)。对话控制部(11)将可靠性的程度满足第一基准的候选确定为对应的项目的信息，如果具有信息未确定的项目，则向用户输出询问该项目的信息的应答。多个的分项目处理部(12A、12B、12C、12D)中的每一个是通过对具有基本规则的通用处理部(20A、20B、20C、20D)提供项目名称(22A、22B、22C、22D)和动作参数(23A、23B、23C、23D)而被构建的，该基本规则用于根据与应获得的信息的类型对应的对话知识(21A、21B、21C、21D)进行候选的抽取并计算可靠性的程度。
对话处理装置系统

[发明专利]生物分子的提取方法、提取系统以及提取容器-CN201780049695.4在审
发明人：紫藤千晶;田中浩之 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够使用通过胶带剥离法采集的皮肤组织来简便且稳定地进行生物分子的提取的方法以及系统。本发明涉及的生物分子的提取方法是使用提取容器内的提取试剂和磁性体来提取皮肤组织中所含的生物分子的方法，特征如下。即，使采集了皮肤组织的胶带接触提取试剂和磁性体，使提取容器内的磁性体凭借设置于提取容器的外部的磁石产生的磁力而移动，通过磁性体与附着有皮肤组织的所述胶带的机械摩擦而将生物分子从皮肤组织提取到提取试剂中。
皮肤组织生物分子提取容器磁性体提取试剂胶带采集机械摩擦提取系统磁力剥离法磁石附着外部移动

[发明专利]用于微反应器的绝热的方法及设备-CN201210356871.8有效
发明人： B·琼斯;P·费奥里尼;田中浩之 -专利权人： IMEC公司;鲁汶天主教大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于微反应器绝热的方法及设备。本发明提供了一种微流控设备（104），包括：‑半导体衬底；‑在所述半导体衬底中的至少一个微反应器(105)；‑在所述半导体衬底中连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个微流控通道(101)；‑结合至所述半导体衬底(900)以便密封所述一个或多个微流控通道(101)的覆盖层(106)；以及‑围绕所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)的至少一个贯通衬底的沟(100)。
用于反应器绝热方法设备

[发明专利]语音传译装置、语音传译方法及语音传译程序-CN201410815097.1无效
发明人： 田中浩之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G06F17/28 文献下载
摘要：本发明呈现适当的用例。根据实施方式，语音传译装置具备提取部、赋予部、检索部和排序部。提取部通过从文本组提取短语而获得短语集合，所述文本组包含当前的语音识别结果和所述对话历史中包含的过去的语音识别结果及机器翻译结果。赋予部对属于短语集合的每个短语，赋予权重，该权重依赖于成为出现该短语的文本的基础的发话语音所关联的对话状态与当前的对话状态的差别。检索部通过从多个第1语言的用例检索包含短语集合中包含的任一短语的用例而获得命中用例集合。排序部基于权重及相似度计算命中用例集合中包含的每个命中用例的得分，基于该得分对命中用例集合中包含的命中用例进行排序。
语音传译装置方法程序

[发明专利]机器翻译装置、方法及程序-CN201310463708.6无效
发明人： 田中浩之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G06F17/28 文献下载
摘要：本发明提供机器翻译装置、方法及程序。机器翻译装置包括：翻译部，将第1语言的原文翻译为第2语言的译文；译词候选取得部，对于与译文中的第1译词对应的原文中的原词，取得作为该原词的翻译的不同于该第1译词的一个以上的第2译词，将该第1译词及该第2译词作为译词候选；流畅度计算部，按译词候选计算表示在译文中的第1译词的插入位置插入译词候选时生成自然译文的合适度的流畅度；逆向翻译部，按译词候选获得译词候选向第1语言的逆向翻译结果即一个以上的逆向翻译词；类似度计算部，按逆向翻译词计算原词和逆向翻译词在第1语言中的意思的类似度；和译词选择部，根据类似度和流畅度，从译词候选选择用于置换第1译词的校正译词。
机器翻译装置方法程序

[发明专利]二次电池和二次电池的集电端子结构-CN201310297898.9无效
发明人： 田中浩之 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01M2/26 文献下载
摘要：本发明涉及二次电池和二次电池的集电端子结构。二次电池（10）具有卷绕电极体（20），和连接到电极体的相对两个集电箔（20a，20a）的两个集电端子（45，45）。约束部（20b，20b）在电极体被压缩的压缩方向上彼此对向，集电箔在约束部被约束。各集电端子（45）具有集电部（45a）和通电部（45b），集电部具有实心结构并插入在对向的约束部之间以与电极体连接，通电部与集电部一体形成。通电部的宽度与电极体在压缩方向上的厚度大致相等，并且通电部从卷绕中心轴线的方向看时沿电极体的相对两个端面中对应的一个端面延伸。
二次电池端子结构

[发明专利]焦磷酸的测定方法以及SNP分型方法-CN201280004414.0无效
发明人： 田中浩之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G01N27/28 文献下载
摘要：本发明提供通过小型传感器以高灵敏度并且高精度检测试样溶液中的焦磷酸的焦磷酸的检测方法以及SNP分型方法。本发明中，将容量超过测定腔的容量的试样溶液从流路供给到所述测定腔，使液滴从所述开口部露出。液滴具有球形。球形通过在液滴的表面上产生的表面张力来维持。使液滴中包含的试样溶液的至少一部分蒸发，增加测定腔中包含的试样溶液的焦磷酸的浓度。
磷酸测定方法以及 snp

[发明专利]发光二极管-CN201180002711.7有效
发明人： 田中浩之;长尾宣明;滨田贵裕;藤井映志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触，p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接，单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga，单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比，单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201180002705.1有效
发明人： 田中浩之;长尾宣明;滨田贵裕;藤井映志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，发光二极管还具有在单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，各单晶ZnO棒的下部，具有从单晶ZnO透明电极膜向n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。
发光二极管

[发明专利]驱动半导体存储装置的方法-CN201080021659.5有效
发明人：金子幸广;田中浩之;上田路人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：在本发明的驱动方法中，具有：通过分别对第一栅极电极(12)、第二栅极电极(17)、源极电极(15s)和漏极电极(15d)施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＞Vs和V2＞Vd的关系的电压V1、V2、Vs和Vd，对半导体存储装置写入第一电阻值的工序(1)；通过施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的关系的电压，对半导体存储装置写入第二电阻值的工序(2)；和通过施加满足V1＜Vs、V1＜Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的关系的电压，对半导体存储装置写入第三电阻值的工序(3)。
驱动半导体存储装置方法

[发明专利]半导体存储单元及其制造方法-CN200980158826.8无效
发明人： 田中浩之;金子幸広;加藤刚久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种半导体存储单元，具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件、和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，铁电体膜(4)与顺电体膜(9)隔着非晶半导体膜(5)而层叠，在铁电体膜(4)侧，形成MFSFET(21)的第1栅电极(3)，在顺电体膜(9)侧，形成MISFET的第2栅电极(10)。非晶半导体膜(5)构成MFSFET(21)以及MISFET(22)的共用的沟道层，在非晶半导体膜(5)的主面上，形成MFSFET(21)以及MISFET(22)共用的源电极(6)以及漏电极(8)。
半导体存储单元及其制造方法

[发明专利]半导体存储单元及其制造方法-CN200980158825.3无效
发明人：金子幸広;加藤刚久;田中浩之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种半导体存储单元(20)，其具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，MFSFET的第1栅电极(3)由在基板(1)上的结晶性绝缘膜(2)表面形成的结晶性导电膜(3)构成，铁电体膜(4)按照覆盖第1栅电极(3)的方式形成在结晶性绝缘膜(2)，顺电体膜(9)隔着半导体膜(5)形成在铁电体膜(4)上，MISFET(22)的第2栅电极(10)形成在顺电体膜(9)上。
半导体存储单元及其制造方法

[发明专利]半导体存储单元及其制造方法以及半导体存储装置-CN200980152064.0无效
发明人：金子幸広;加藤刚久;田中浩之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明的半导体存储单元具备由第1场效应晶体管构成的存储器元件(21)和由的第2场效应晶体管构成的选择开关元件(22)，第1场效应晶体管用铁电体膜构成栅极绝缘膜(13)，第2场效应晶体管用顺电体膜构成栅极绝缘膜(16)，铁电体膜和顺电体膜隔着由化合物半导体构成的半导体膜(14)而层叠。在铁电体膜侧形成第1场效应晶体管的第1栅极电极(12)，在顺电体膜侧与第1栅极电极(12)相对置地形成第2场效应晶体管的第2栅极电极(17)，半导体膜(14)构成第1以及第2场效应晶体管的公共的沟道层。
半导体存储单元及其制造方法以及装置

[发明专利]电池及其制造方法-CN200880100569.8有效
发明人：永松茂隆;棚桥隆幸;田中浩之 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01M2/02 文献下载
摘要：由本发明提供的电池(100)包括：具有正极和负极的电极体(80)、以及容纳所述电极体的外壳(50)；在所述外壳的内壁面(56)与电极体(80)之间配置有隔离所述外壳和电极体的绝缘膜(10)。并且，所述绝缘膜(10)被形成为电极体(80)插入其中的袋状，所述袋状绝缘膜(10)在与电极体(80)的侧面(81)相对的面上具有间隙填充部(20)，所述间隙填充部填塞所述电极体与所述外壳的内壁面(56)之间的间隙。
电池及其制造方法

[发明专利]电子照相调色剂和电子照相显影剂以及成像方法-CN200610148488.8有效
发明人：大门克己;鹤见洋介;池田雄介;田中浩之;吉田聪;水谷则之;高木慎平;前畑英雄;北川聪一郎;高桥贤;吉野进 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G03G9/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子照相调色剂和电子照相显影剂以及成像方法，所述调色剂包含着色剂、防粘剂、非结晶性树脂和结晶性树脂，其中所述结晶性树脂是具有碳原子数大于或等于18的烷基的聚丙烯酸烷基酯或聚甲基丙烯酸烷基酯，而且是通过与10摩尔％～50摩尔％的具有羧基的乙烯基单体的共聚反应而制得。
电子照相调色显影剂以及成像方法

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