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[发明专利]金属回收装置-CN200580028214.9无效
发明人：岩间久;田中宏明;木村治伸;田中仁志;广田宽 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C25C7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种金属回收装置，其能够以容易再利用的状态有效地回收溶液中的金属。金属回收装置具有金属回收盘(2)，该金属回收盘(2)具有：从溶液析出的金属成分(R)所附着的电沉积面(2a、2t)；在电沉积面(2a、2t)的图案的周围形成的绝缘物(2b)。金属回收盘(2)浸渍在电解处理槽(1)内的含金属的溶液中，由此，溶液中的金属选择性地析出在电沉积面(2a、2t)上并成为块。该金属块以块的状态由刮取板(6)刮取而被回收。
金属回收装置

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN200580024082.2有效
发明人： 田中宏明;河路佐智子 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有集电极、集电极上形成的p⁺集电极区(22)、集电极区上形成的n^－漂移区(24)、漂移区上形成的p^－体区(26)、以及体区中形成的多个n⁺发射极区(28)。发射极区连接到发射极。多个沟槽栅极(32)形成于体区中。每个沟槽栅极通过绝缘层(34)与将漂移区和发射极区隔开的那部分体区相对。体区被分为多个体区段，这些体区段被划分为两组。一组(26a)在体区段中带有发射极区，另一组(26b)在体区段中不带发射极区。多个第一沟槽(35a、35b、35c)形成于不带发射极区的体区段中。
绝缘双极晶体管

[发明专利]薄膜晶体管、TFT阵列基板、液晶显示器及其制造方法-CN200610142087.1有效
发明人： 田中宏明 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2006-10-08 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括：栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层(每一层都直接或间接形成在绝缘基板上)，和形成在钝化层上的导电层。该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接。钝化层具有包括至少堆叠的第一子层和第二子层的多层结构，第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率。第一子层比第二子层更接近于基板设置。第二子层具有等于或小于导电层的厚度。在蚀刻工艺中，可以很好地控制钝化层和底层栅绝缘层的形状或结构，并且防止形成在钝化层上的导电层被分割开。
薄膜晶体管 tft 阵列液晶显示器及其制造方法

[发明专利]热交换器及空调装置-CN200610108789.8无效
发明人：小仓信博;田中宏明;古贺诚一;船山一美 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： F28F1/32 文献下载
摘要：本发明一种热交换器以及空调装置，其能够抑制由于蓄积于排水盘中的排水的毛细管现象而在室内热交换器的制冷剂管取出侧相反一侧的管板外侧的制冷剂管的U形部生锈的现象。在板金制的外箱(11)内设有室内热交换器(19)、鼓风机(17)以及具有使所述热交换器的下端部没入水中的排水槽的排水盘(18)。所述热交换器包括一对钣金制的管板(19a、19b)、位于一对管板间的多个散热片(19c)、蛇行状地通过在所述一对管板及所述多个散热片上穿设的孔的制冷剂管(19d)，特别是该制冷剂管相对于管板在其外侧折弯成U形，在室内热交换器的管板的散热片侧的面上设有使该散热片从管板离开规定尺寸的间隙确保用突起(196)。
热交换器空调装置

[发明专利]气液溶解装置-CN200580003399.8有效
发明人：北迫弘;胜部政男;坂本胜弘;佐合纯造;田中宏明;津森俊 -专利权人：松江土建株式会社;独立行政法人土木研究所
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： C02F3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种气液溶解装置，用于使包含氧气的气体溶解于从缺氧水域提取的水中，增加溶解于水中的氧气浓度，并且将溶有高浓度氧气的水注回缺氧水域。装置包括一泵3，用于从缺氧水域抽取水，一氧气供给单元4，用于提供包含氧气的气体，一拉长的圆柱体气液溶解腔5，包括至少一个设置在较低位置的通孔5b和一个设置在上部的圆顶状隔离板5a，一喷嘴2，用于向上喷射氧气供给单元4提供的氧气和泵3提供的水，从而使得气体和水撞击气液溶解腔5的隔离板5a内壁，通过喷射出来的气体和水的力量来有利地搅拌气体和水，并且具有一个内部为锥形的顶部，一气液分离腔6，用于通过通孔5b与气液溶解腔5连通，将经过通孔5b从气液溶解腔5中流出的气泡和水分离开来，并且将气泡和水存储下来，一供水口6b，用于将同气泡分离开来的水注回缺氧水域。
溶解装置

[发明专利]车刀及使用了该车刀的梳刀型车床-CN200610100998.8有效
发明人：上田正信;田中宏明 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： B23B27/00 文献下载
摘要：提供一种车刀及使用该车刀的梳刀型车床，其课题在于在不增加车刀的设置个数的前提下，使梳刀型车床的加工功能增加，实现车削加工的生产率的提高和作业的工时的削减、设备的削减。在梳刀型车床的刀架上安装而使用的车刀(1)的结构是，在一根刀柄(2)上，设置通过夹紧机构(10)分别固定的多个刀具(6)，且在设置于刀柄的头部(3)的侧面或端面的座部(4)，安装了在这多个刀具(6)之中的至少一个、例如刀具(6_－1)。
车刀使用梳刀型车床

[发明专利]压力传感器-CN200610094123.1有效
发明人： 田中宏明 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2006-06-26 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：一种压力传感器，用于检测压力并基于传感器芯片的压电电阻效应输出信号，该压力传感器包括：衬底，其在一侧上具有传感器芯片和在另一侧上具有凹入部分；传感器芯片中的压电电阻；基座，其附装到衬底并具有通孔以在薄部分上将压力引入到传感器芯片；和填充在凹入部分和通孔中用于保护传感器芯片的凝胶材料。通孔的直径对基座的厚度的比值基本上在1至3的范围内。
压力传感器

[发明专利]制造压力传感器的方法-CN200610005464.7无效
发明人：富坂学;渡边善文;田中宏明 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2006-01-17 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：一种制造压力传感器的方法，包括如下步骤：制备半导体基底(21)；在基底(21)上形成绝缘膜(22)；在绝缘膜(22)上形成第一金属膜(23)；在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)；在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成第二保护膜(26)；在第二保护膜(26)上进行附着力减小处理，附着力是在第二保护膜(26)和第二金属膜(24，27－29)之间；在第一金属膜(23)以及第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27－29)；以及去除一部分第二金属膜(24，27－29)。
制造压力传感器方法

[发明专利]形成布线图案的方法-CN200510083212.1有效
发明人： 田中宏明 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2005-07-07 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：在绝缘基板上形成光致抗蚀剂图案以便其具有倒锥形截面和将要形成的布线图案的反图案。接着，用墨水喷射系统将含纳米颗粒的墨水注入在布线区域上，之后跟随着夷平工艺、干燥工艺、抗蚀剂分离工艺和烘焙工艺。这样形成了布线图案。
形成布线图案方法

[发明专利]半导体传感器以及用于电镀半导体器件的方法-CN200380100334.6无效
发明人： 田中宏明;丰田稻男;渡边善文;近藤市治;真山惠次;阿部吉次 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。
半导体传感器以及用于电镀半导体器件方法

[发明专利]具有隔膜的压力传感器-CN200510006285.0有效
发明人： 田中宏明;丰田稻男;铃木康利 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2005-02-02 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种压力传感器，包括：壳体(11)；具有测量仪电阻器(5)的传感器芯片(1)；设置在所述测量仪电阻器(5)上的凸起部(2)；能够随压力变形的金属隔膜(17)；以及设置在所述金属隔膜(17)与所述凸起部(2)之间的载荷传输部件(18)。壳体(11)容纳传感器芯片(1)、凸起部(2)和载荷传输部件(18)。壳体(11)由金属隔膜(17)覆盖。以这样一种方式检测施加于隔膜(17)的压力，即，与压力相对应的载荷通过金属隔膜(17)、载荷传输部件(18)和凸起部(2)被施加到测量仪电阻器(5)，从而根据测量仪电阻器(5)的电阻变化测量压力。测量仪电阻器(5)大于凸起部(2)。
具有隔膜压力传感器

[发明专利]薄膜晶体管电路器件及其制造方法、以及液晶显示设备-CN200410054443.5有效
发明人： 田中宏明;安田亨宁;铃木圣二 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：对于薄膜晶体管电路器件来说需要一种薄膜晶体管电路器件及其制造方法，其中该器件包括的布线结构是在下层中为铝合金和在上层中为钼合金，其中钼合金在空气中的腐蚀不易进行。薄膜晶体管电路器件暴露出被绝缘膜所覆盖的布线部分和在所暴露的表面上包含有由引脚电极金属所形成的引脚，该器件在暴露的表面上包含引脚，该引脚是由引脚电极金属形成的，其中的绝缘膜将形成于衬底的中心部分的主电路区的薄膜晶体管与形成于衬底外围的保护电路区连接起来，并且其中布线的最上层表面是含铌的钼合金。
薄膜晶体管电路器件及其制造方法以及液晶显示设备

[发明专利]集成电路卡及其制造方法-CN200410070321.5无效
发明人：山田信昭;铃木一成;仓富文司;田中宏明;小野泽朗 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： G06K19/00 文献下载
摘要：一种插入式通用IC卡的多功能结构，其制造成本降低。插入式UICC的本体由模制树脂构成。将带状基片和安装在该带状基片一个侧面上的芯片密封在该模制树脂的内部。该带状基片的相对侧面(与芯片安装侧相对)暴露于模制树脂的外部，并且构成插入式UICC的表面部分。作为插入式UICC外部端子的接触图形形成在暴露于模制树脂外部的带状基片的表面上。在其本体由模制树脂构成的插入式UICC中，即使芯片是大尺寸芯片，也能够有效地防止芯片开裂。
集成路卡及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200410046413.X无效
发明人：安田亨宁;田中宏明 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管基板及其制造方法，其中将在空气中容易腐蚀的栅极引线122暴露在当把最终的TFT基板100中的包括栅极端子和漏极端子的内显示区域与静电保护引线4和静电保护元件19分开的时候形成的切割面上，在栅极端子3和漏极端子8的附近切断由耐蚀的铟钛氧化物(ITO)形成的栅极端电极115。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其生产方法-CN200410028747.4有效
发明人： 田中宏明 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2004-03-15 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在本发明提供的TFT(薄膜晶体管)中，供氢层能够形成在使氢的扩散距离缩短且不增加光刻法的位置处。在TFT中，用于使氢扩散到存在于多晶硅薄膜和门绝缘膜界面处的悬空键中的供氢层形成在门绝缘膜和门电极之间的位置处。根据该结构，在氢化过程中，氢的扩散距离可以缩短，在不花费大量热处理时间的情况下可以充分进行氢化。
薄膜晶体管及其生产方法