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[发明专利]在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备-CN201210287489.6有效
发明人：约瑟夫·C·奥利桑;安东尼·丽奥 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01J37/141 文献下载
摘要：提供了在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备。一种在工件中注入离子的方法包括：产生离子束；将离子束调节到平面中的所需的平行度；测定所述平面中的所调节的离子束的离子束方向；绕垂直于所述平面的轴线将工件倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度；以及对倾斜到注入角度的工件实施注入。
离子注入调节离子束平行方法设备

[发明专利]用于差错检测和工艺控制的等离子体离子注入监视系统-CN201110319342.6无效
发明人：方子伟;高圣天;埃德蒙·J·温德;丹尼尔·迪斯塔索;卢多维克·戈代;高本雄;贾伊·T·朔伊尔 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2005-05-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于差错检测和工艺控制的等离子体离子注入监视系统。具体涉及一种等离子体离子注入装置，包括：工艺室；位于所述工艺室中用于支撑衬底的台板；位于所述工艺室中且与所述台板空间上分开的阳极；被耦合到所述工艺室的工艺气体源，其中，含有工艺气体离子的等离子体在所述阳极与所述台板之间的等离子体放电区域中被产生；脉冲源，用于在所述台板与所述阳极之间施加注入脉冲以将来自等离子体的离子向衬底中加速；以及被配置以获取所述注入脉冲的样本的数据获取单元，其中，所获取的样本指示等离子体离子注入装置的操作情况。
用于差错检测工艺控制等离子体离子注入监视系统

[发明专利]稳定的和可重复的等离子体离子注入的方法-CN201010221761.1有效
发明人：史蒂文·R·沃尔特;方子伟;贾斯廷·托科;卡勒顿·F·埃利斯三世 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2005-05-09 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：一种用于衬底的等离子体离子注入的方法包括提供等离子体离子注入系统，所述等离子体离子注入系统具有工艺室(10)、用于在所述工艺室中产生等离子体(40)的源、用于在所述工艺室中承托衬底(20)的台板(14)、与所述台板隔开的阳极(24)、和用于产生将离子从所述等离子体向着所述衬底加速的注入脉冲的脉冲源(30)。在一方面，改变注入工艺的参数以至少部分地补偿被注入的离子和所述衬底之间的相互作用的非期望效应。例如，在所述注入工艺期间，可以改变剂量率、离子能量或两者。在另一方面，预处理步骤包括：将离子从所述等离子体向所述阳极加速以引起源于所述阳极的二次电子的发射，和将所述二次电子从所述阳极向衬底加速以便预处理所述衬底。
稳定重复等离子体离子注入方法

[发明专利]减少CMOS器件中的源极和漏极寄生电容-CN200580032866.X无效
发明人：尤里·叶罗欣;郑宇桥;杰伊·T·舒尤尔;史蒂文·R·沃尔特 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种制造基于半导体的器件的方法，包括：提供掺杂的半导体衬底；将第二掺杂剂引入衬底中以限定pn结；和将中和物质引入pn结附近的衬底中以减少与pn结相关的电容。基于半导体的器件包括具有第一和第二掺杂剂的半导体衬底。第一和第二掺杂剂限定pn结，并且中和物质中和pn附近的第一掺杂剂的一部分以减少与pn结相关的电容。
减少 cmos 器件中的寄生电容

[发明专利]用于等离子体注入的蚀刻和沉积控制-CN200580024912.1无效
发明人：维克拉姆·辛格;哈罗德·佩辛;蒂莫西·米勒;阿图尔·古普塔;方子伟 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：一种用于衬底的离子注入的方法，包括：由至少一种包括至少一种注入物质的注入材料形成等离子体，将所述至少一种注入物质注入到所述衬底的表面中，并将至少一种表面修饰物质导向到所述表面来减小与所述等离子体相关联的表面损坏。一种用于离子注入的装置被配置成实施此方法。
用于等离子体注入蚀刻沉积控制

[发明专利]稳定的和可重复的等离子体离子注入的方法-CN200580020902.0有效
发明人：史蒂文·R·沃尔特;方子伟;贾斯廷·托科;卡勒顿·F·埃利斯三世 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2005-05-09 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于衬底的等离子体离子注入的方法包括提供等离子体离子注入系统，所述等离子体离子注入系统具有工艺室(10)、用于在所述工艺室中产生等离子体(40)的源、用于在所述工艺室中承托衬底(20)的台板(14)、与所述台板隔开的阳极(24)、和用于产生将离子从所述等离子体向着所述衬底加速的注入脉冲的脉冲源(30)。在一方面，改变注入工艺的参数以至少部分地补偿被注入的离子和所述衬底之间的相互作用的非期望效应。例如，在所述注入工艺期间，可以改变剂量率、离子能量或两者。在另一方面，预处理步骤包括：将离子从所述等离子体向所述阳极加速以引起源于所述阳极的二次电子的发射，和将所述二次电子从所述阳极向衬底加速以便预处理所述衬底。
稳定重复等离子体离子注入方法

[发明专利]用于差错检测和工艺控制的等离子体离子注入监视系统-CN200580021855.1有效
发明人：方子伟;高圣天;埃德蒙·J·温德;丹尼尔·迪斯塔索;卢多维克·戈代;高本雄;贾伊·T·朔伊尔 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2005-05-26 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体离子注入系统，包括工艺室(10)，用于在工艺室中产生等离子体的源，位于工艺室中用于支撑衬底的台板(14)，和用于产生将来自等离子体的离子向衬底中加速的注入脉冲的脉冲源。在一个方面中，系统包括被配置以测量工艺室中离子质量和能量的等离子体监视器和被配置以响应于所测量的质量和能量来确定系统的操作情况的分析器(100)。在另一个方面中，系统包括被配置以获取注入脉冲样本的数据获取单元(300)和被配置以基于所获取的样本来确定系统的操作情况的分析器。
用于差错检测工艺控制等离子体离子注入监视系统

[发明专利]等离子体离子注入系统的原位处理室制备方法-CN200580020329.3无效
发明人：维克拉姆·辛格;阿图尔·古普塔;哈罗尔德·M·佩尔欣;史蒂文·R·沃尔瑟;安妮·L·泰斯托尼 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种衬底的等离子体离子注入方法，所述方法包括：提供包含处理室、在处理室内生产等离子体的源、在处理室内支持衬底的台板和加速离子从等离子体进入衬底的电压电源的等离子体离子注入系统；在处理室的内表面上沉积新涂层，所述涂层在组成上类似于由衬底的等离子体离子注入所产生的沉积膜；在沉积新涂层之前，通过使用一种或多种活性清洗前体除去旧膜来清洗处理室的内表面；根据等离子体离子注入方法进行衬底的等离子体离子注入和在一个或多个衬底的等离子体离子注入之后重复清洗处理室的内表面和沉积新涂层的步骤。
等离子体离子注入系统原位处理制备方法

[发明专利]用于高速晶片处置的方法和设备-CN200480008071.0无效
发明人：格兰特·肯奇·拉森 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了用于高速工件处置的方法和设备。用于工件处置的方法包括：利用第一机器人从第一盒移走工件；将所述工件从所述第一机器人直接传递到第二机器人而不将所述工件传递到传递站；利用所述第二机器人将所述工件放置在处理站处的工件支持器上；以及在处理之后利用所述第一机器人将所述工件从所述工件支持器传递到所述第一盒。所述第一和第二机器人的末端执行器可每个具有用于有效工件处置的多个竖向位置。所述工件的移位误差和旋转误差可无需使用传递站而感测和校正。所述方法和设备可用于处置半导体晶片。
用于高速晶片处置方法设备

[发明专利]移动靶等离子注入系统和方法-CN03817188.0有效
发明人：史蒂文·R·沃尔特 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子注入系统和方法在基体处在两个以上不同位置的时候将来自等离子体的离子注入半导体基体。半导体基体可以在注入处理期间移动，例如，为了帮助补偿递送给基体的剂量的不均匀性。除此之外，只有部分基体可以在对基体的某个部分进行注入处理期间被注入。众多基体可以在同一等离子注入室中同时进行注入处理，借此可能减少注入处理时间。
移动靶等离子注入系统方法

[发明专利]用于等离子搀杂系统的均匀性控制-CN02826673.0无效
发明人：史蒂文·R·沃尔特 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-10-24 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：这项发明提供一种用来在等离子搀杂系统中控制注入工件的离子的剂量均匀性的方法和装置。等离子搀杂系统包括包含用来支撑工件的台板和与台板隔开的阳极的等离子搀杂室。剂量均匀性可以通过旋转晶片均化方位角的变化得到改善。磁性元件可以放置在等离子体放电区域周围，以便控制等离子体的径向密度分布。从阳极到工件的间隔可以在阳极区域内变化。阳极可以包括个别可调整的阳极元件。
用于等离子搀杂系统均匀控制

[发明专利]在综合处理系统中用于等离子搀杂和离子注入的方法和装置-CN02823322.0无效
发明人：史蒂文·R·沃尔特 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-10-17 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：这些方法和装置是在综合处理系统中为等离子搀杂和离子注入准备的。装置包括处理室、用来产生离子束并且将离子束引进处理室的射束线离子注入组件、包括可进入处理室的等离子搀杂室的等离子搀杂组件和晶片定位器。该定位器在射束线注入模式中将半导体晶片放置在离子束路径中，而在等离子搀杂模式中将半导体晶片放置在等离子搀杂室中。
综合处理系统用于等离子搀杂离子注入方法装置

[发明专利]用于离子注入的方法和装置-CN02814496.1有效
发明人：杰伊·T·舒尤尔;格雷戈里·R·杰比拉热 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：这项发明提供用于诸如半导体晶片之类的工件的受控的离子注入的方法和装置。这种方法包括产生离子束，让离子束在第一方向扫过工件以产生扫描线，在第二方向相对于离子束这样平移工件，以致扫描线以及标准的空间频率分布在工件上，从而获得工件的剂量图，以如果所获得的剂量图不在技术要求范围之内而且必要的剂量修正少于能用扫描线的标准空间频率获得的最小剂量修正则开始剂量修正注入并且在剂量修正期间控制扫描线的空间频率。
用于离子注入方法装置

[发明专利]低射束发散度的低能量射束的引出和减速-CN01821377.4有效
发明人：约翰·H·凯勒 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司;K2科勒咨询有限责任公司
申请日： 2001-11-20 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：这项发明提供用来产生低能量离子束的离子光学方法和装置。该装置包括用来加速离子束的加速电极、在加速电极的下游用来阻止等离子束中的电子到达减速电极的减速电极。为了阻止热离子到达加速电极，减速电极被加上为给等离子束中的热离子提供位垒而选定的偏压。离子光学元件或许是作为电子相斥电极或作为磁性元件实现的。加速电极、减速电极或两者可能在横穿离子束的方向上被分段，以便定义能单独控制的电极段。离子光学装置可能是作为离子源引出系统或作为减速透镜系统实现的。
束发能量引出减速

[发明专利]用来统调离子注入机的方法和装置-CN02818571.4无效
发明人：特伦斯·肖恩·萨利文;戴维·S·萑布鲁克;克里福德·A·拉丁 -专利权人： 瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-07-10 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：这些方法和装置是为自动统调诸如离子注入机之类带电粒子束系统准备的。在一个实施方案中，调整位于目标部件上游的控制部件的控制参数，并且测量目标部件下游的射束电流。射束电流的测量结果提供某种信息，该信息被用来评估统调，而且如果必要被用来统调目标部件。目标部件通常是诸如磁体之类响应缓慢的部件。在另一个实施方案中，统调的评估是通过调整目标参数和监视这种调整对射束电流的影响完成的。在进一步的实施方案中，带电粒子束的斑点大小是借助射束扫过小孔的边缘和评估射束焦点的锐度来评估的。统调算法优选在用于高速操作的本地电源接口中实现。
用来调离注入方法装置

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