“王谊珍”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]集成电路结构-CN202221047938.5有效
发明人：熊德智;吴俊德;王谊珍;张亦谆;涂元添 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种集成电路结构，集成电路结构包括第一绝缘层、设置在第一绝缘层中的第一金属线路，第一金属线路由第一绝缘层横向包围，第一金属线路具有与第一绝缘层的上表面齐平的上表面。第一金属线路包含第一金属线路的上表面中的第一凹陷，第一凹陷自第一金属线路的第一末端延伸。集成电路结构包括设置在第一绝缘层上方的第二绝缘层，及第一金属触点，第一金属触点设置在第二绝缘层中且在第二绝缘层下方延伸至第一凹陷中，第一金属触点与第一凹陷中的第一金属线路具有界面。
集成电路结构

[实用新型]半导体结构及半导体装置-CN202221046484.X有效
发明人：熊德智;吴俊德;王谊珍;张亦谆;涂元添 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体装置，半导体结构包括第一绝缘层、源极/漏极触点插塞、中间块介电质、第二绝缘层、第一金属触点及第二金属触点。设置于第一绝缘层中的源极/漏极触点插塞被第一绝缘层侧向包围，源极/漏极触点插塞具有与第一绝缘层的上表面平齐的上表面。源极/漏极触点插塞包含金属区。设置于金属区中的中间块介电质具有与金属区的上表面平齐的上表面，中间块介电质具有设置于金属区的底表面与金属区的上表面之间的底表面。第二绝缘层设置于第一绝缘层上方。第一金属触点设置于第二绝缘层中且在第二绝缘层下方延伸至金属区中。第二金属触点设置于第二绝缘层中且在第二绝缘层下方延伸至金属区中，第一金属触点与第二金属触点分别设置于中间块介电质的两侧。
半导体结构装置

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202210098758.8在审
发明人：熊德智;吴俊德;王谊珍;张亦谆;涂元添 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了改善的导电接触件、形成导电接触件的方法以及包括导电接触件的半导体器件。在实施例中，半导体器件包括晶体管结构上方的第一层间介电(ILD)层；延伸穿过第一ILD层的第一接触件，第一接触件与晶体管结构的第一源极/漏极区电耦合，第一接触件的顶表面是凸起的，并且第一接触件的顶表面设置在第一ILD层的顶表面下方；位于第一ILD层和第一接触件上方的第二ILD层；以及延伸穿过第二ILD层的第二接触件，第二接触件与第一接触件电耦合。本发明实施例还提供了另一种半导体器件和形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210084440.4在审
发明人：熊德智;吴俊德;王谊珍;张亦谆;涂元添 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了一种形成半导体器件的方法，包括：去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成第一沟槽；在第一沟槽中形成替换栅极堆叠件；凹陷替换栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成第二沟槽；在第二沟槽中选择性地沉积导电覆盖层；在第二沟槽中和导电覆盖层上方形成介电硬掩模；以及使用蚀刻气体蚀刻介电硬掩模以在介电硬掩模中形成开口。该替换栅极堆叠件在开口处露出。该导电覆盖层比替换栅极堆叠件更能抵抗蚀刻气体。该方法还包括：形成位于导电覆盖层上方并且接触导电覆盖层的栅极接触插塞。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110475799.X在审
发明人：熊德智;张亦谆;吴俊德;王谊珍;涂元添;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层的栅极接触件开口，使得所述蚀刻停止层的侧壁在所述栅极接触件开口中被暴露；氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁；在氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]通孔开口的蚀刻轮廓控制-CN202110483571.5在审
发明人：熊德智;张亦谆;王谊珍;涂元添;林焕哲;吴俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请涉及通孔开口的蚀刻轮廓控制。一种方法，包括：在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件；在源极/漏极接触件之上形成蚀刻停止层，并且在蚀刻停止层之上形成层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺，以形成延伸穿过ILD层的通孔开口以及蚀刻停止层中的凹部；氧化蚀刻停止层中的凹部的侧壁；在氧化蚀刻停止层中的凹部的侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以使通孔开口向下延伸到源极/漏极接触件；以及在执行第二蚀刻工艺之后，在通孔开口中形成源极/漏极通孔。
开口蚀刻轮廓控制