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[发明专利]一种化合物薄膜及其制备方法-CN202210673388.6有效
发明人：王建晖;张睿智;卢仁;尧俊;吴永辉;王艳智;项争;吴信昌;金利剑;刘风雷 -专利权人：浙江水晶光电科技股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种化合物薄膜及其制备方法，涉及薄膜制备技术领域，该方法包括：在衬底上形成透明导电膜层，其中，透明导电膜层表面带负电荷；在形成有透明导电膜层的衬底上通过磁控溅射形成单质薄膜层；将形成有单质薄膜层的衬底置于真空环境，向真空环境通入反应气体和氩气的第一混合气体，通过电感耦合电场将第一混合气体离子化形成等离子体，等离子体中的反应性气体离子使单质薄膜层转化为化合物薄膜层。该方法能够中和衬底上的正电荷，从而提高薄膜表面的光洁度。
一种化合物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种氢化复合物薄膜的制备方法和滤光器-CN202110375212.8有效
发明人： 王艳智;吴永辉;卢仁;张睿智;尧俊;陈金龙;金利剑;刘风雷;唐健 -专利权人：浙江水晶光电科技股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本申请提供一种氢化复合物薄膜的制备方法和滤光器，涉及光学薄膜滤光器技术领域，包括在反应室内通入惰性气体和氢气，采用惰性气体形成的等离子体轰击反应室内的至少两种材料和通入的氢气，以使至少两种材料溅射至基片上，并和氢气产生的氢离子反应形成氢化复合物薄膜层。氢化复合物薄膜层至少包括了两种材料，采用溅射技术，将至少两种材料共溅射到同一基片上得到所需的材料性能，可得到700nm‑1800nm波长下折射率大于3.5、消光系数可小于0.005的氢化复合物薄膜层，氢化复合物薄膜对于光的折射率更高，吸收更小，在光线大角度入射的情况下，中心波长随角度偏移量较小，使得以此制备的滤光器的大角度低偏移效应更好。
一种氢化复合物薄膜制备方法滤光

[发明专利]一种带有幅度检测的数控LC压控振荡器-CN201610981686.6有效
发明人：吴秀山;韩建强;王艳智;俞丙威 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有幅度检测的LC压控振荡器，包括LC振荡器和振荡信号幅度检测单元。LC振荡器由LC频率谐振单元、电容阵列单元以及变容管阵列单元组成；输出幅度检测单元由一个带尾电流源的差分放大电路和一个带开关控制的传输门组成。LC压控振荡器产生高性能、低噪声的差分振荡信号，并且通过外部电路提供的数控信号改变带宽和压控增益。输出幅度检测单元接收振荡出的高频差分信号，输出该差分信号的最大值，该最大值减去直流偏置可得到振荡信号的幅度。本发明不仅能实现大的变容范围和高线性的压控增益，并能进一步判断电路能否正常振荡工作，得到高频振荡信号的幅度，解决了实时监测振荡电路与振荡信号的问题。
一种带有幅度检测数控 lc 压控振荡器

[发明专利]一种增益可调的CMOS宽带低噪声放大器-CN201610813228.1有效
发明人：吴秀山;韩建强;俞丙威;王艳智 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H03F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种增益可调的CMOS宽带低噪声放大器，包括主增益级电路、输入阻抗匹配电路、增益控制级电路以及反馈电容单元。本发明通过控制尾电流源的导通产生可编程的电压，该编程电压加在主增益级电路共栅管的栅极，改变了该共栅管的跨导，进一步改变共源管的栅源电压，使得共源管的跨导改变，这样输入级的共源共栅管的跨导和产生了变化，最终改变了输入匹配以产生不同的放大增益，同时引入输出到输入的反馈电容，来补偿不同调节电压时的输入匹配，通过合理的规划编程电压和反馈电容，可以实现宽带匹配和低噪声放大器的精确增益步进。
一种增益可调 cmos 宽带低噪声放大器

[发明专利]基于相变量子点的存储器件及其制备方法-CN201410152490.7有效
发明人：倪鹤南;吴良才;李志彬;王艳智;龚路鸣 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于相变量子点的存储器件及其制备方法，其中基于相变量子点的存储器件包括半导体衬底、隧穿层、相变量子点薄膜层、阻挡层、第一电极以及第二电极。隧穿层设置于半导体衬底。相变量子点薄膜层设置于隧穿层，相变量子点薄膜层包括相变量子点，相变量子点可通过俘获隧穿电荷以及晶态和非晶态间的可逆转变来实现信息存储。阻挡层设置于所述相变量子点薄膜层，阻挡层可阻挡相变量子点俘获的电荷进入第一电极。第一电极给阻挡层供电。第二电极给半导体衬底供电。
基于相变量子存储器件及其制备方法