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[发明专利]带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备-CN200310112926.1无效
发明人：林惠旺;陈必贤;王舜远;白玉琦 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备属于超大规模集成电路(ULSI)工艺技术领域，其特征在于，它主要包含有：竖立安装的热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构；还包含片盒到片盒取送片机械手子系统、微机控制子系统、测控温子系统、气路装置、加热电源。热处理腔主要由竖立式圆筒石英(碳化硅)加热腔，在腔内(或腔外)的上端平板石墨加热器，侧面圆筒石墨加热器等组成。将热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构等竖立安装，充分利用高度空间，缩小设备平面占地面积。竖立式热处理腔内从上到下的不同水平面可获得温度从高到低逐渐下降的等温区，控制半导体晶片上升下降的速度可得到晶片不同的升降温速率。
竖立热处理半导体快速设备

[发明专利]半导体圆片快速热处理装置及使用方法-CN200310121600.5无效
发明人：侯东彦;章谦;陈必贤;王舜远 -专利权人：北京华兴微电子有限公司
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种半导体圆片快速热处理装置及使用方法，该装置为立式中空电热腔，腔体外侧是用耐火保温材料制成的隔温层、支撑套筒和水冷装片盒状底座，腔体内侧顶端和周边是防污染的屏蔽层，腔体内部上端设有直流电源加热的石墨加热器，在石墨加热器的下方的腔体周壁上设有内反射筒；腔体下端中央位置设有承载半导体圆片的石英片托，该石英片托在其下端片托杆的支承下可沿中空腔体轴线升降运动。本发明藉由石英片托在温度呈稳定梯度分布的立式中空电热腔体内的垂直升降位移，即通过改变石英片托上夹持的半导体圆片与石墨加热器的空间距离远近和停留时间长短来对半导体圆片进行热处理工艺加工。装置结构简单实用，制造成本低，操作方法容易，有应用推广前景。
半导体快速热处理装置使用方法