专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种检测替格瑞洛抗血小板效果的试剂盒-CN202110364677.3在审
  • 王珺楠;颜游游;王贺;黎子微;李龙波;齐超;高大松 - 吉林大学
  • 2021-04-04 - 2021-05-28 - C12Q1/6883
  • 本发明涉及一种检测替格瑞洛抗血小板效果的试剂盒,属于分子生物学检测领域。通过对F2RL3基因中rs773902G>A多态性进行了研究,并分析各基因型与替格瑞洛抗血小板疗效的相关性,设计了一种便捷可行的检测试剂盒,该试剂盒的优点:设计的特异性的qPCR检测试剂盒可用来检测单核苷酸多态性SNP位点基因型,检测结果和测序结果完全吻合,且十分快速方便,同时也在患者的经济承受范围之内,可以作为临床检测的一种可行手段,本试剂盒可以检测F2RL3基因中rs773902G>A位点,设计的引物经过多次优化修饰,特异性高,避免了引物二聚体的出现,并具有成本低、耗时短、结果分析简单便捷、应用广泛的特点。
  • 一种检测替格瑞洛抗血小板效果试剂盒
  • [发明专利]湍流图像去噪方法-CN201710370386.9有效
  • 张丽娟;王珺楠;李东明;李阳;邱欢 - 长春工业大学
  • 2017-05-23 - 2021-05-11 - G06T5/00
  • 本发明公开了一种湍流图像去噪方法,包括以下步骤:对含噪湍流图像进行单层二维离散小波变换;提取高频系数并对所述含噪湍流图像作快速离散Curvelet变换;根据贝叶斯准则估计阈值T,改进阈值的自适应选取方法,获得最优阈值,得到去噪的湍流图像。本发明通过提供了一种湍流图像去噪方法,本发明能够很好地保护图像细节信息,并且抑制了边界伪影,视觉效果明显提高。同时本发明取得了较高的峰值信噪比、较低的均方误差,有效地去除湍流退化图像的噪声。
  • 湍流图像方法
  • [发明专利]一种SiC基GaN晶体的深孔刻蚀方法-CN201710481424.8有效
  • 王珺楠 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2017-06-22 - 2020-09-01 - H01L21/3213
  • 本发明公开了一种SiC基GaN晶体的深孔刻蚀方法,主要包括刻蚀前处理、刻出预刻孔,对SiC衬底层在第一刻蚀参数下进行第一干法刻蚀,对GaN基层在第二刻蚀参数下进行第二干法刻蚀,经刻蚀后最终形成背孔,此刻蚀方法在大尺寸特别是六英寸SiC基GaN晶体上刻蚀时,实现了对SiC衬底层刻蚀时,SiC对GaN的选择比大于30:1、对Ni选择比大于30:1、侧壁角度85°‑87°,对GaN基层刻蚀时,GaN对SiC选择比大于3:1、侧壁角度大于85°,最终刻蚀出的背孔颗粒玷污少、金属侵蚀弱,孔内刻蚀均匀,器件本身的翘曲度得到了有效控制。
  • 一种sicgan晶体刻蚀方法
  • [发明专利]一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法-CN201710730764.X有效
  • 王珺楠 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2017-08-23 - 2019-10-01 - H01L23/14
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法,包括以下步骤:S1、在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡,并对石蜡进行烘烤;S2、以SiC晶圆旋涂石蜡的一面和SiC载片旋涂石蜡的一面为中间层,将SiC晶圆和SiC载片键合在一起。本发明使用与待处理晶圆相同材质的SiC材料作为载片,并使用石蜡作为键合剂,在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡,最后键合在一起从而减小SiC晶圆的翘曲度,并可抵抗强硝酸溶解而破坏键合,能够有效的将翘曲度控制在50μm以内,以利于后续的制作工艺。
  • 一种改善英寸sic晶圆翘曲度方法

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