“王炜路”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源及其制备方法-CN201810427948.3有效
发明人：彭新村;邹继军;刘云;邓文娟;朱志甫;王炜路;冯林;王智栋 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限于有源区，大幅度提升入射光的吸收率，降低光电子输运距离，还可以降低表面光反射导致的有害光电发射对电子束品质的影响，从而有效提升量子效率和电子束的品质。GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源可以采用纳米压印刻蚀、自组装纳米球刻蚀、电子束光刻、聚焦离子束刻蚀等工艺进行制备，工艺技术成熟，稳定性好，可应用于大型电子加速器、微光夜视、扫描电镜等领域。
一种 gaas 纳米光学共振结构光电阴极电子及其制备方法

[发明专利]一种水热法合成纳米级片状球形含硅磁铁矿的方法-CN201710492548.6在审
发明人：黎广荣;王炜路;金腾瑞 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C01G49/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁铁矿的合成方法，尤其涉及一种水热法合成纳米级片状球形含硅磁铁矿的方法。该方法解决了传统合成磁铁矿方法中程序复杂及过程繁琐的问题，具体包括如下步骤1）将2mmol的FeCl3·6H2O溶入到20ml乙二醇中并充分混合；2）向步骤1）中的混合液加入2mmol的DDA充分溶解；3）将步骤2）的混合溶液加入溶有4mmol的NaOH的10ml乙二醇中；4）充分混合后倒入反应釜加热至220℃，保持若干小时形成样品1。用乙醇洗净样品1后真空干燥得到样品2；本发明相比传统方法，采用了不同的化学反应式，减少了步骤，且在减少时间成本和经济成本的同时，增加了磁铁矿合成的产出率。
一种水热法合成纳米片状球形磁铁矿方法

[发明专利]一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源-CN201510093090.8有效
发明人：邹继军;万明;冯林;邓文娟;彭新村;程滢;江少涛;王炜路;张益军;常本康 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的负电子亲和势电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs‑O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，提高光电发射效率，从而有利于扩展纳米线负电子亲和势电子源的应用范围。
一种垂直发射 algaas gaas 纳米 nea 电子

[发明专利]一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法-CN201310580290.7有效
发明人：邹继军;郭栋;朱志甫;彭新村;邓文娟;王炜路;冯林;张益军;常本康 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光阴极，GaAs纳米线材料激活成光阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。
一种 gaas 纳米阵列阴极及其制备方法