专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种存储器电路-CN201810029754.8有效
  • 杨燕;王海时;彭映杰;李英祥;王天宝;杜江;陈霞;王滨 - 成都信息工程大学
  • 2018-01-12 - 2023-08-11 - G11C16/22
  • 本发明提供了一种存储器电路,包括存储器阵列单元电路、行译码器电路、列译码器电路、页缓存电路、逻辑控制电路以及IO接口电路。在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路,对MLC NAND Flash存储器编程操作时,编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中;对MLC NAND Flsah存储器读取操作时,从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块,具备一定的纠正读写数据出错的能力,从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题,降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度,提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。
  • 一种存储器电路
  • [发明专利]一种基于变压器耦合的正交压控振荡器-CN202310412455.3在审
  • 郭本青;廖星月;王海时;陶健;施媛媛;张斌;张志刚;王天宝 - 成都信息工程大学
  • 2023-04-18 - 2023-07-25 - H03B5/12
  • 本发明公开了一种基于变压器耦合的正交压控振荡器,包括若干个由NMOS管或PMOS管堆叠的F类VOC内核、开关阵列结构、三线圈耦合变压器、四个尾电流源,以及VOC内核的输出端口Voi+/Voi‑和Voq+/Voq‑;本发明基于三线圈耦合的本发明振荡器具体为12个VCO内核的立体结构,提供四路正交振荡输出信号,Voi+/Voi‑Voq+/Voq‑和低相位噪声性能;栅极、漏极的三线圈耦合使得振荡器工作在F类状态。此外,在单个振荡器差分对的尾节点使用了变压器来吸收该节点的寄生电容,等效谐振在2f0频率,避免相位噪声的退化,以及通过同向、反向耦合设置,获得了振荡器的正交输出特征,并可采用电压比特控制的电容阵列获得振荡器频率的粗调谐效果,配合变容管的细调谐效果,获得较宽的频率覆盖。
  • 一种基于变压器耦合正交压控振荡器
  • [发明专利]一种访问OTP存储器的电路-CN201710156190.X有效
  • 杨燕;王海时;李英祥;彭映杰;王滨 - 成都信息工程大学
  • 2017-03-16 - 2023-07-14 - G11C17/18
  • 本发明提出了一种访问OTP(一次可编程)存储器的电路,通过配置访问OTP存储器指令产生对应访问OTP存储器的接口时序,实现对OTP存储器的编程、读取、唤醒、复位、睡眠操作。同时,在对OTP存储器编程操作中,针对对OTP编程地址的冗余处理及在编程操作中采取对同一个地址多次施加脉冲电压进行编程,采用编程算法模块电路对编程算法进行控制,极大程度解决了访问OTP存储器时容易出现编程出错的问题,大大提高了OTP存储器的可靠性,最大程度实现对OTP存储器利用。
  • 一种访问otp存储器电路

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