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[发明专利]一种尼龙11基薄膜及其制备方法和应用-CN202010729884.X有效
发明人：王志强;王泓珺 -专利权人：苏州赛迪斯新材料科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C08L77/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种尼龙11基薄膜及其制备方法和应用，属于及聚酰亚胺薄膜技术领域。本发明提供的尼龙11基薄膜，制备原料包括尼龙11和改性空心玻璃微珠；所述改性空心玻璃微珠的质量为尼龙11基薄膜质量的3～11％；所述改性空心玻璃微珠由硅烷偶联剂KH‑792对空心玻璃微珠进行改性得到。PA11中酰胺基团上羰基的氧和基团中的氢结合形成强氢键，且亚甲基密度较高，使得PA11呈现半结晶的特性，韧性好；HGB具有球形表面，流动性好，KH‑792改性的空心玻璃微珠在PA11中的分散性好，利于将受到的外力均匀地传递给PA11，从而保证尼龙11基薄膜的收缩率和力学性能；HGB内部填充有惰性气体，使其具有轻质的特点，能够有效降低薄膜的负重、隔热以及生产成本，附加价值高。
一种尼龙 11 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种用于单一定向诱导钙铝黄长石晶体析出的晶核剂及其制备方法和应用-CN202210708201.1有效
发明人： 王泓珺;张佳旗 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C03C10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单一定向诱导钙铝黄长石晶体析出的晶核剂及其制备方法和应用，属于冶金技术领域。本发明提供的晶核剂为偏铌(Ⅴ)酸钙晶体，化学式为CaNb2O6。本发明可采用直接外添CaNb2O6晶核剂的方式(非原位析出)或通过原位析出CaNb2O6的方式单一稳定定向诱导钙铝黄长石晶体从硅酸盐玻璃中以外延生长的方式析出。本发明晶核剂周围的成分波动无法影响CaNb2O6晶体组成，而CaNb2O6晶体周围玻璃基体中各种组元又会通过热扩散沉积在CaNb2O6晶体表面析出钙铝黄长石。所以该晶核剂的发明避免了传统工艺中成分偏析对最终晶体产物类型所造成的负面作用。并且本发明可以完全利用现有微晶玻璃的制备工艺及设备，适用于目前现有工厂设备的生产，易于推广。
一种用于单一定向诱导钙铝黄长石晶体析出晶核及其制备方法应用

[发明专利]一种尼龙11/石墨烯/空心玻璃微珠复合材料及其制备方法和应用-CN201911085932.X有效
发明人：王志强;王泓珺;李迎春;王文生;李洁;燕晓辉;赵涛;张才渡 -专利权人：中北大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C08L77/02 文献下载
摘要：本发明涉及复合材料技术领域，尤其涉及一种尼龙11/石墨烯/空心玻璃微珠复合材料及其制备方法和应用。本发明提供的尼龙11/石墨烯/空心玻璃微珠复合材料，包括尼龙11、石墨烯和改性的空心玻璃微珠；所述改性的空心玻璃微珠为硅烷偶联剂改性的空心玻璃微珠。本发明提供的尼龙11/石墨烯/空心玻璃微珠复合材料中石墨烯和改性空心玻璃微珠能够提高尼龙11的冲击强度、弯曲强度和弯曲模量，同时，石墨烯和改性的空心玻璃微珠的添加均起到的是异相成核的作用，提高尼龙11的结晶速率。同时，经过硅烷偶联剂改性后的空心玻璃微珠可大大增加与尼龙11基体材料化学键发生反应的几率。
一种尼龙 11 石墨空心玻璃复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种PA11/RGO复合材料及其制备方法-CN201911085024.0有效
发明人：王志强;王泓珺;李迎春;李洁;王文生;赵涛;张才渡;燕晓辉 -专利权人：中北大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C08L77/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种PA11/RGO复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域。本发明的PA11/RGO复合材料是将预处理的PA11和预处理的石墨烯混合均匀，得到混合物料；然后将模压机上下模及模具均升温至200～220℃，取出模具，将所述混合物料置于所述模具中，再将模具入放入模压机中进行压制成型后获得，其中：所述石墨烯的用量为PA11质量的0.05～1％。本发明在PA11中引入石墨烯(RGO)粒子，不仅使PA11的晶体结构由α晶型变成γ晶型，促进了PA11的结晶行为，还提升了PA11的冲击性能、介电常数、磁导率和回损，降低PA11的生产成本。
一种 pa11 rgo 复合材料及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅修饰碳糊电极的制备方法-CN201710565322.4在审
发明人：王志强;王泓珺;焦晨旭 -专利权人：中北大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅修饰碳糊电极的制备方法，具体步骤如下(1)将石墨粉和碳化硅放入研钵中充分混匀，之后加入液体石蜡，将其充分研磨、混匀制成糊状物；将制好的糊状物填充到聚四氟乙烯管中压实，最后将电极表面打磨、抛光得到电极；(2)在BR缓冲溶液中，利用三电极体系，对步骤(1)制备的电极进行循环伏安扫描，直到得到稳定的循环伏安曲线，将电极取出，用二次去离子水洗净，制备得到本发明的碳化硅修饰碳糊电极。与裸碳糊电极相比，用本发明制备的碳化硅修饰碳糊电极对Hg2+的测定有着明显的提高。
一种碳化硅修饰电极制备方法