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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种带有P型柱体的超快速高压SOI LIGBT器件-CN201510563513.8在审
发明人：谢刚;王柳敏;王珩宇;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，公开了一种带有P型柱体的阳极N+\P+交叠短路的超快速高压SOI LIGBT器件，包括衬底、阳极P+区、阳极N+区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、阴极P+区、阴极P型体区、P型沟道区、发射极N+区、阴极金属、多晶硅栅、LIGBT器件栅氧化层、多晶硅栅金属和第一P型柱体区、第二P型柱体区。本发明的超快速高压SOI LIGBT的有益效果是、关断速度的加快、负阻现象NDR（Negative Differential Resistance）的消除、正向导通压降的减小以及关断时器件耐压的提升。
一种带有柱体快速高压 soi ligbt 器件

[发明专利]使用齿状铜片的DBC板-CN201210570371.4在审
发明人：盛况;王柳敏;汪涛;郭清;谢刚 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种DBC板覆铜片的新型结构设计，公开了一种用矩形齿状铜片取代密合矩形铜片的方法。这种设计为铜片在吸收热量后发生的膨胀或形变提供足够的空间，利于散热，保证模块的可靠性。
使用齿状铜片 dbc

[发明专利]使用小焊块取代焊锡片的焊接方式-CN201210570398.3在审
发明人： 王柳敏;盛况;汪涛;郭清;谢刚 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B23K1/19 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件中芯片底部焊接层的设计，公开了一种用小焊块取代焊锡片的方法。它减薄了芯片底部焊接层的厚度，提升了它的散热能力，并在一定程度上缓减了不同的结温变化对模块失效的位置和机理的影响。
使用小焊块取代焊锡焊接方式

[发明专利]一种新型功率半导体器件-CN201310491304.8在审
发明人：何敏;谢刚;王柳敏;王珏 -专利权人：杭州恩能科技有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，公开了一种新型功率半导体器件，包括衬底(1)、阳极P⁺区(5)、阳极N⁺区(4)、阳极金属(12)、N型漂移区(3)、场氧化层(16)、阴极P⁺区(8)、阴极P型体区(7)、P型沟道区(6)、发射极N⁺区(9)、阴极金属(11)、多晶硅栅(14)、栅氧化层(10)、多晶硅栅金属(13)和P型柱体区(17、18)。本发明在P型沟道区(6)和阳极P⁺区(5)处增加两个P型柱体(17、18)，并采用阳极P⁺(5)和阳极N⁺(4)交替排列结构，抑制了器件的逆阻效应，同时也克服了器件大电流工作时的闩锁效应，并且提高了器件的关断速度以及耐压，降低了器件的功耗。
一种新型功率半导体器件

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