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[发明专利]靶材制备方法和吸气剂薄膜形成方法-CN201611232165.7有效
发明人：庄玉召;王景道;钱良山;姜利军 -专利权人：杭州大立微电子有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种靶材制备方法和吸气剂薄膜形成方法，所述靶材制备方法包括：在惰性气体氛围下，按照靶材各组分质量分数比例进行配料，形成混料；在真空或惰性气体氛围下，对混料进行熔炼并冷却，形成合金锭；在惰性气体氛围下，对合金锭进行粉碎，获得合金粉末；将合金粉末装入包套后进行热等静压处理，获得带包套的靶坯。对所述靶坯利用物理气相沉积法制备薄膜，配合光刻‑剥离工艺或硬掩膜版技术实现薄膜的图形化，上述方法能够制备形成高均匀性、高致密度的合金靶材和薄膜。
惰性气体氛围靶材制备合金粉末合金锭包套混料薄膜物理气相沉积法制备薄膜剥离工艺薄膜形成高均匀性合金靶材技术实现热等静压质量分数熔炼图形化吸气剂硬掩膜光刻装入冷却配合

[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构-CN201410241624.2有效
发明人： 王景道;姜利军 -专利权人：杭州大立微电子有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装方法及封装结构，所述封装方法包括如下步骤提供一第一基板和一第二基板；在所述第一基板和第二基板的表面形成焊环；以所述第一基板的焊环和第二基板的焊环为中间层，对所述第一基板及第二基板进行键合，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件。本发明的优点在于，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件。本发明采用加厚的焊环形成的深腔替代深腔刻蚀或额外的深腔环，大大简化了结构及工艺。
晶圆级封装方法结构

[发明专利]封装模具及封装方法-CN201410242837.7有效
发明人： 王景道;姜利军 -专利权人：杭州大立微电子有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种封装模具及封装方法，所述封装模具包括模具主体，所述模具主体包括沿所述模具主体的轴向依次设置的第一容纳部及第二容纳部，所述第一容纳部用于容纳一第一外部基板，所述第二容纳部用于容纳一第二外部基板，所述第一容纳部的内侧侧壁设置有第一限位面，以在水平方向限位所述第一外部基板，所述第二容纳部的内侧侧壁设置有第二限位面，以在水平方向限位所述第二外部基板，本发明的优点是，将第一外部基板与第二外部基板装入第一容纳部及第二容纳部后，第一外部基板及第二外部基板的相对位置按照封装要求确定，不需要再使用其他装置将第一外部基板与第二外部基板对准，免除了现有封装设备对准功能，降低成本，提高封装效率。
封装模具方法

[发明专利]晶圆级封装方法及晶圆-CN201410241643.5有效
发明人： 王景道;姜利军 -专利权人：杭州大立微电子有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装方法及晶圆，所述晶圆级封装方法包括如下步骤：提供一衬底晶圆和一封盖晶圆，所述衬底晶圆和封盖晶圆的表面分别制作有焊环；在所述衬底晶圆上制作定位孔，在所述封盖晶圆上制作定位销；将所述定位销与所述定位孔对准，以实现衬底晶圆与封盖晶圆的对准；以所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环为中间层，对所述衬底晶圆和封盖晶圆进行键合。本发明的优点在于：（1）采用定位销与定位孔配合对准，免除了真空键合设备的对准功能，有利于提高对准效率，且节约成本。定位销和定位孔设置在焊环的外侧，对衬底晶圆的器件没有任何影响。
晶圆级封装方法

[发明专利]微桥结构红外探测器及其制造方法-CN201410013619.6有效
发明人：钱良山;孟如男;王景道;池积光;姜利军 -专利权人：浙江大立科技股份有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种微桥结构红外探测器及其制造方法。所述探测器包括：读出电路衬底、微桥桥腿、热敏感层、红外反射层以及红外吸收层。所述红外吸收层支撑设置于所述热敏感层的上方，并与所述红外反射层形成针对入射红外光的谐振腔，所述微桥桥腿置于红外反射层下方，并与读出电路衬底形成电学链接。上述结构能够在降低器件热导的同时增加器件红外吸收率，提高了器件的填充率，解决谐振腔缺陷，从而提高了器件热隔离效果和响应率，优化器件性能。
结构红外探测器及其制造方法

[发明专利]一种基于临时释放保护层的红外探测器制作方法-CN201110066271.3有效
发明人：姜利军;池积光;钱良山;王景道;黄河 -专利权人：浙江大立科技股份有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于临时释放保护层的微电子机械系统表面微加工方法，特别涉及了所述方法用于非制冷红外探测器制作的方法。包括：在CMOS硅衬底上依次完成金属层、非晶硅牺牲层、第一层临时释放保护层聚酰亚胺；层叠制作敏感层、金属电极层，以及对敏感层图形化、电极层图形化、和微桥结构图形化，最后制作第二层临时释放保护层。在牺牲层释放时，首先采用XeF2对非晶硅牺牲层释放，释放完全后在利用O2等离子体去除临时释放保护层。本发明提供的红外探测器制作方法，与现有技术相比，采用的临时释放保护层在制作后期将被完全去除，不对微桥的性能产生任何影响，有利于降低工艺难度、提高探测器的性能。
一种基于临时释放保护层红外探测器制作方法