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[发明专利]一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器-CN202111293304.8有效
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器，采用满足1342纳米发射波长需要的量子阱结构，通过微结构与普通分布反馈光栅结合，实现单模工作，进一步引入多层稀释波导结构扩大光功率输出，满足了大功率输出需要，在不增加工艺难度的基础上大幅度提高器件成品率。解决了通常的半导体DFB边发射激光器由于采用均匀光栅周期折射率导引而使得会有双模激射或者单模成品率较低的现象，为了提高单模产出会引入相移，大幅度增加工艺难度和成本的问题，同时解决了常规的DFB结构由于光模式体积所限容易饱和，不利于大功率输出的问题，使得本发明的激光器可面向50G PON硅光应用，具有很强的实用性和广泛的适用性。
一种 1342 纳米波长大功率微结构 dfb 激光器

[发明专利]一种抗反射半导体激光器芯片的制作方法-CN202211508911.6在审
发明人：徐鹏飞;王文知 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗反射半导体激光器芯片的制作方法，涉及光通信的半导体激光器芯片技术领域，本发明采用金属有机物化学气相沉积生长有源区及波导结构，并使用EBL制作光栅，最终形成完整工艺外延片，之后通过光刻，刻蚀，金属生长等工艺形成芯片，通过简单易实现的芯片制造工艺即可达到抗反射的效果，该芯片的光栅采用EBL写的CPM光栅，具有较好的锁模效果，在出射端面采用了弯曲波导可以减少光路中返回的光，以免对出射光形成干扰，达到去隔离器的效果，可以极大的降低成本。
一种反射半导体激光器芯片制作方法

[发明专利]一种红光激光芯片的制作方法-CN202211264116.7在审
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种红光激光芯片的制作方法，包括如下步骤，在n型衬底上采用金属有机物化学气相沉积系统依次外延生长缓冲层、下cladding层、下波导层、有源区、上波导层、光子晶体层、上cladding层和接触层；光刻定义PCSEL台面，刻蚀出PCSEL台面并生长二氧化硅绝缘层；在二氧化硅绝缘层中开出p面电极窗口；在p面电极窗口沉积金属并剥离出环形电极形成p面电极，n型衬底减薄后沉积金属形成n面电极。通过使用纳米压印来制作光子晶体图形，达到可以量产的目的，通过优化二次外延的条件来形成由(Al0.1Ga)0.53InP和空气孔组成的光子晶体，从而提高光子晶体结构的光限制能力，制备的650nm激光芯片出光方向垂直外延片方向出射，出光腔面的面积不受限制，大大提高了器件的可靠性。
一种红光激光芯片制作方法

[发明专利]一种GaAs基窄线宽红光激光芯片的制作方法-CN202211045793.X在审
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基窄线宽红光激光芯片的制作方法，属于半导体激光器芯片技术领域，本发明采用金属有机物化学气相沉积法外延生长应变量子阱有源区及波导结构，结合电子束曝光和干法刻蚀制作带相移光栅的激光芯片外延片，本发明中通过使用电子束曝光来制作相移光栅掩膜，达到减小器件线宽的目的，二次外延AlGaInP上cladding层及GaAs接触层以及在二次外延之前先初次外延一层100nm厚的AlGaInP层，通过控制AlGaInP层以及AlGaInP光栅层材料的比例，便于形成低损耗的相移光栅材料，从而使得制备的激光芯片具有高光束质量，窄线宽红光的优点。
一种 gaas 基窄线宽红光激光芯片制作方法

[发明专利]一种LED灯用蓝宝石晶片的打磨工艺-CN202111243881.6有效
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：一种LED灯用蓝宝石晶片的打磨工艺，将待磨晶片纵向的固定在紧固圈内，蒙有研磨垫的磨盘从待磨晶片的两侧以同速异向的方式打磨，并持续从顶部向打磨面添加研磨液，打磨包括粗磨和精磨，与粗磨对应的研磨液的粒度为微米级，与精磨对应的研磨液的粒度为纳米级；取出蓝宝石晶片，洗净即可。本发明在传统的打磨的基础上增加精磨工艺，以无机纳米粒子为研磨液的基体，以丙烯酸酯共聚物为研磨液的填料，利用纳米级的球形粒子填充、渗入粗磨后的表面微孔内，完全覆盖微纳米级的粗糙结构，有效提高晶片表面的光滑度、平整度和润滑性，提高晶片的表层硬度、耐磨性极高，可更长效的保持透镜效果。通过丙烯酸酯共聚物提高晶片表层的耐洁度和疏水性能。
一种 led 蓝宝石晶片打磨工艺

[实用新型]具有高亮度高发光效率的外延生长结构-CN202122603922.X有效
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，涉及半导体技术领域，目的在于提供一种反射光亮，提高光提取率，减少材料使用，降低成本的具有高亮度高发光效率的外延生长结构，其技术要点是包括衬底，所述衬底的顶面设有连接部，所述连接部的内部中空，且连接部的顶面水平并生长有延伸片，技术效果是通过在衬底的顶部设置连接部，其内部中空设置，使得二极管器件通电工作时产生的亮光向延伸片的下方射出后，被连接部的壁面和衬底的顶面反射，从而提高光的提取率，同时连接部的设置，可降低衬底的厚度，既保证了发光率，又节省了结构使用的硅晶体材料，降低成本。
具有亮度发光效率外延生长结构

[发明专利]一种外延片的存储运输方法及装置-CN202111237173.1有效
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种外延片的存储运输装置，包括输送机构和存储机构，其中存储机构包括多个存储单元，存储单元与存储单元之间通过连接带连接构成带状结构，连接带的材料为柔性材料，存储单元包括存储座，存储座上设有存储筒，存储筒的顶部设有开口，存储筒的顶部开口上设有用于控制开口开合的开关单元，输送机构包括机架，机架上设有两个对称设置的链条，链条由多个链节连接构成，相邻的链节之间通过销轴转动的连接，链节的链板上设有用于夹持存储机构的夹具；本发明通过存储机构有序的存储外延片，有利于后续的加工。
一种外延存储运输方法装置

[发明专利]一种外延片的贮存方法及装置-CN202111237224.0有效
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B65D81/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延片的贮存方法及装置。该外延片的贮存装置，包括存放盒，所述存放盒包括防潮盖板与放置主体，所述放置主体的外表面靠近底部的位置固定连接有底沿板，所述底沿板相对于放置主体对称设置，所述底沿板的外表面开设有通孔；放置主体，所述放置主体的上端开口，并在开口处固定连接有上置卡盒，放置主体的外表面开设有存取窗口，所述放置主体的内表面连接有存取窗盖，存取窗盖封闭所述存取窗口，放置主体的内部设置有至少一组放置隔间，所述放置隔间的数量与存取窗口的数量相对应；放置隔间，放置隔间内设置有放置平板，外延片放置于放置平板的表面；该外延片的贮存方法及装置，设计巧妙，使用灵活，便于外延片的贮存使用。
一种外延贮存方法装置

[发明专利]一种光子晶体面发射激光器及其制作方法-CN202111013504.3在审
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种光子晶体面发射激光器及其制作方法，在面发射激光器内以n‑InP为衬底的半导体叠层的区域外，增加同由InP覆层覆盖的无法导通注入电流的阻流区域。其采用金属有机物化学气相沉积法外延生长有源区及波导结构，结合电子束光刻和干法刻蚀制作光子晶体形成激光外延片，通过常规光刻、氧化和刻蚀工艺制作PCSEL激光芯片；通过增加反向PN结来控制注入电流的范围，通过优化光限制因子来减小PCSEL的阈值电流，从而提高PCSEL的参数特性。本发明通过注入电流在反向pn结中无法导通，只能在中间无反向pn结区域导通，达到控制电流分布的目的，其结构简单，操作方便，注入电流的控制效果好，具有很强的实用性和广泛的适用性。
一种光子晶体发射激光器及其制作方法

[发明专利]一种GaAs基光子晶体激光器及其制作方法-CN202111016195.5在审
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种GaAs基光子晶体激光器及其制作方法，对基于n型GaAs衬底的半导体叠层顶部的层叠A的电流导通区域，增设对其限定的阻流区域。其采用金属有机物化学气相沉积法外延生长有源区及波导结构，结合电子束光刻和干法刻蚀制作光子晶体形成激光外延片，通过常规光刻、氧化和刻蚀工艺制作GaAs基PCSEL激光芯片。通过插入氧化层来控制注入电流的范围，通过优化光限制因子来减小PCSEL的阈值电流，从而提高PCSEL的参数特性。本发明通过注入电流在氧化层中无法导通，只能在中间的未氧化孔径中导通，达到控制电流分布的目的，其结构简单，操作方便，注入电流的控制效果好，具有很强的实用性和广泛的适用性。
一种 gaas 光子晶体激光器及其制作方法

[实用新型]一种DFB激光芯片-CN202023094628.2有效
发明人：徐鹏飞;罗帅;王岩;季海铭;王文知 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种DFB激光芯片，其不同之处在于：其由下至上依次包括n型InP衬底、缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层、光栅层、光栅覆盖层、上包覆层、接触层和绝缘层，还包括位于n型InP衬底下方的n面电极和位于接触层上方的p面电极，所述光栅层中包括两种不同占空比的光栅。本实用新型提高了DFB器件成品率。
一种 dfb 激光芯片

[实用新型]一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片-CN202023092492.1有效
发明人：徐鹏飞;罗帅;王岩;季海铭;王文知 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片，其不同之处在于：其由下至上依次包括n型InP衬底、缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层、光栅层、光栅覆盖层、上包覆层和接触层，还包括位于n型InP衬底下方的n面电极和位于接触层上方的p面电极。本实用新型可实现CO2的快速高精度测量。
一种用于二氧化碳检测 2051 nm 激光芯片

[实用新型]一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片-CN202023094801.9有效
发明人：徐鹏飞;罗帅;王岩;季海铭;王文知 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片，其不同之处在于：其由下至上依次包括n型GaAs衬底、缓冲层、下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、第一上包层、GaInP层、光栅层、光栅覆盖层、第二上包层和接触层，还包括位于n型GaAs衬底下方的n面电极和位于接触层上方的p面电极。本实用新型具有较高的单模出光功率，偏振特性可通过有源区量子阱的应变进行控制。
一种用于原子钟 795 nm 发射激光芯片

[发明专利]一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片及其制备方法-CN202011516907.5在审
发明人：徐鹏飞;罗帅;王岩;季海铭;王文知 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型GaAs衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下包覆层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、第一上包覆层、填充层和光栅层；步骤3：在所述光栅层中制作折射率耦合型光栅；步骤4：二次外延光栅覆盖层、第二上包覆层和接触层；步骤5：在所述接触层和第二上包覆层中刻蚀出激光器波导结构并生长绝缘层；步骤6：刻蚀所述绝缘层形成电流注入窗口；步骤7：形成p面电极和n面电极，完成制备。本发明具有较高的单模出光功率，偏振特性可通过有源区量子阱的应变进行控制。
一种用于原子钟 795 nm 发射激光芯片及其制备方法

[发明专利]一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片及其制备方法-CN202011518351.3在审
发明人：徐鹏飞;罗帅;王岩;季海铭;王文知 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型InP衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层和光栅层；步骤3：在所述光栅层中制作折射率耦合型光栅；步骤4：二次外延光栅覆盖层、上包覆层和接触层；步骤5：在所述接触层和上包覆层中刻蚀出激光器波导结构并生长绝缘层；步骤6：刻蚀所述绝缘层形成电流注入窗口；步骤7：在p型表面沉积金属形成p面电极，n面衬底减薄后沉积金属形成n面电极，完成制备。本发明实现CO2的快速高精度测量。
一种用于二氧化碳检测 2051 nm 激光芯片及其制备方法

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