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[发明专利]图像传感器测试装置及方法-CN202310806457.0在审
发明人：刘旭;陈强;王东辰;伍伟;唐光华 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器测试装置及方法，属于图像测试领域，在测试装置顶部放置常规光源，底部设置待测图像传感器，测试装置顶部为半球形，内侧覆盖有全反射镜面层，具有聚光效果，通过开启或关闭光源得到测试中所需的明场环境和暗场环境，并利用匀光片和滤光片辅助得到不同波长的光场，通过获取明场环境和暗场环境中不同曝光时间下待测图像传感器的灰度均值与时域噪声方差，计算得到待测图像传感器的多个测试参数，并通过更换滤光片，得到在不同波长光源下待测图像传感器的多个测试参数。测量装置对测量设备要求低，且整个测试平台体积较小，方便测试者携带，解决了对实验设备的依赖，形成了小型化测试流程，能有效完成图像传感器测试任务。
图像传感器测试装置方法

[发明专利]一种基于CNN模型的多相机融合方法-CN202310446925.8在审
发明人：张剑华;王东辰;徐祥龙;王军文;夏爱灵;吴子同 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06T7/73 文献下载
摘要：一种基于CNN模型的多相机融合方法，该方法的过程包括：S1：使用unity3D构建室内3D模型，确定所需要的相机数量、规格、部署位置以及角度，来达到大型室内空间的全覆盖。然后提取各个相机视角下的图像，完成3D和2D数据集的构造；S2：对图片进行预处理后，使用线段提取器提取图像中符合曼哈顿世界的正交线段，然后使用CNN模型提取语义信息对线段分类；S3：建立全局统一世界坐标系，利用得到的正交线段求出水平方向和竖直方向的旋转，并估计平移参数；S4：根据各个相机的空间位姿，将相机两两配对进行空间融合，根据基本矩阵画极线匹配两相机的检测结果，得到目标的空间位置。
一种基于 cnn 模型多相融合方法

[发明专利]一种小型化CMOS芯片电子轰击成像与倍增特性测试装置-CN202211562170.X在审
发明人：易智豪;戴丽英;伍伟;张逊;王东辰;徐鹏霄;唐光华 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种小型化CMOS芯片电子轰击成像与倍增特性测试装置，该结构包括：金阴极，微通道板MCP，装有CMOS芯片的管壳，抽真空泵、光源，真空壳体，高压电源、成像相机及计算机。紫外光源出射平行紫外光，照射金阴极产生光电子，并通过高压电源驱动下经过微通道板MCP倍增后轰击CMOS芯片，经成像相机生成电子图像，通过计算机进行成像与像素级数据分析。本发明所提出的结构可以通过对管壳的更替简便实现对不同CMOS芯片电子轰击，并可通过相机读出电路获取芯片电子轰击倍增特性参数。
一种小型化 cmos 芯片电子轰击成像倍增特性测试装置

[发明专利]一种激光器与硅基光波导微透镜耦合结构及其制造方法-CN202111331533.4在审
发明人：王艳;尤国庆;王东辰;徐鹏霄;唐光华 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光器与硅基光波导微透镜耦合结构及其制造方法，该结构包含激光器模块、微透镜模块、硅基光波导模块和陶瓷管壳。从激光器芯片出射的发散光束，经准直微透镜整形准直后，再经聚焦微透镜聚焦到硅基光波导芯片端面，耦合进硅基光波导中，经硅基光波导芯片上的光分束器分为两束，一路作为主光路，另一路光路耦合进光电探测器中用于对准调节，在线监测激光器耦合效率。本发明所提供的激光器与硅基光波导微透镜耦合结构及其制造方法具有对准容差大、耦合效率高、工艺稳定性好等优点，是目前半导体激光器芯片与硅基光无源链路芯片片上集成工艺问题最为行之有效的解决方案。
一种激光器硅基光波导透镜耦合结构及其制造方法

[发明专利]一种芯片化集成的平衡探测器-CN202211603065.6在审
发明人：王艳;王东辰;徐鹏霄;唐光华 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片化集成的平衡探测器，包括光输入模块、光处理芯片、光电转换模块和外部电路模块。其中，两根输入光纤分别输入本振光和信号光；所述光处理芯片包括光输入端口、1：n(n≥1)的2×2耦合器和光输出端口，光输入端口将本振光和信号光传输至2×2耦合器，1：n端输入光，其中，1端输入本振光，n端输入信号光，经耦合器相干混频后得到一组光强基本一致、相位差180°的差分光信号，通过两个光输出端口输出至光电转换模块；光电转换模块实现光探测器芯片与外部电路处理模块的电连接。本发明采用芯片化光耦合器实现本振光和信号光的相干混频，摆脱了对光纤分束器的使用，降低了相干探测系统集成难度。
一种芯片集成平衡探测器

[发明专利]一种基于点云的线缆三维重建与参数计算的方法-CN202210554255.7在审
发明人：范志敏;张剑华;王东辰;郭烈烽;陈玉宝 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：一种基于点云的线缆三维重建与参数计算的方法，包括以下步骤：S1:采用深度相机通过稠密点云重建过程生成三维点云数据；S2：将获取的点云进行分割，提取出要计算的点云线缆三维数据；S3：利用八叉树地图截取部分点云，将部分点云线缆利用参数化模型投影到二维平面上；S4：用有向包围盒进行包围，根据包围盒计算出线缆的直径，以直径为分辨率构建八叉树；S5：通过改进的A*寻路算法，找到最佳路径；S6：根据找到的路径，提取出每个八叉树节点距离中心点最近的点云点；S7：通过B样条插值算法拟合线缆曲线方程，计算出线缆的长度。本发明可适用于任何弯曲度的曲线，且能达到最大化减少线缆点云曲线拟合误差的效果。
一种基于线缆三维重建参数计算方法

[发明专利]一种彩色电子轰击图像传感器件-CN202010643691.2有效
发明人：徐鹏霄;尤国庆;王东辰;唐光华;陈鑫龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种彩色电子轰击图像传感器件，包括滤色膜、输入光窗、光电阴极、背照式CMOS图像传感器、多层陶瓷管体和PGA针栅阵列，滤色膜用于实现光信号红、绿、蓝三色分光进而获得三原色光；光电阴极用于实现三原色光的光电转换；背照式CMOS图像传感器作为光电子接收极，并通过金锡或其它焊料烧结的方式固定在多层陶瓷管体内；多层陶瓷管体将CMOS图像传感器多路信号引脚与外部PGA针栅阵列实现互连，并保证传感器件的密封。本发明将真空器件与半导体器件有机结合，可在极低照度下实现高分辨率的彩色夜视成像，同时具有探测光敏面积大、响应速度快、成像分辨率高、全数字化输出和器件体积小等优点。
一种彩色电子轰击图像传感器

[发明专利]一种硅纳米晶/石墨烯宽光谱光电探测器及其制备方法-CN201910814198.X有效
发明人： 王东辰;徐鹏霄;王艳;唐光华;陈鑫龙;戴丽英;杨杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米晶/石墨烯宽光谱光电探测器及其制备方法，其结构从下到上依次包括背面电极、衬底、硅纳米晶层、石墨烯层和正面电极；背面电极为Ti/Au/Ti电极；衬底为n型Si重掺杂；硅纳米晶层使用氢硅倍半环氧乙烷旋涂并高温退火后得到；石墨烯层为单层石墨烯，蒸镀Au转移获得；正面电极为Ti/Au电极。本发明的光电探测器能够对紫外、可见及近红外光学频谱范围进行响应，经硅纳米晶层与石墨烯层间的光致开关效应实现信号倍增，制备工艺简便，与CMOS工艺兼容。
一种纳米石墨光谱光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种用于窄长器件精密对准的键合标记结构-CN202010293727.9有效
发明人：刘旭;施晓亭;王中武;孙小菡;王东辰;王艳;徐鹏霄 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于窄长器件精密对准的键合标记结构，包括位于无源芯片上的键合标记层和位于有源激光器上的键合标记层。无源芯片上的键合标记层包括一个横向下游标标记、两个纵向下游标标记、一个凹型十字标记和两个游标基准标记。有源激光器上的键合标记层包括两个横向上游标标记、两个纵向上游标标记和一个凸型十字标记。本发明根据游标卡尺的原理，通过上、下游标标记的偏移数量，再加上十字标记确定的偏移方向，就能够精确读出键合过程中的偏移距离，从而实现有源激光器与无源芯片的精密键合。
一种用于器件精密对准标记结构

[发明专利]基于倒装键合的激光器与硅光波导耦合结构-CN202011556633.2在审
发明人：王艳;王东辰;徐鹏霄;尤国庆;唐光华 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于倒装键合的激光器与硅光波导耦合结构，该结构包括激光器芯片，其上设有对准标记；硅光芯片，其上设有波导、端面耦合器以及用于放置激光器芯片的刻蚀槽；以及连接激光器芯片与硅光芯片的金属键合层。本发明能够实现半导体激光器芯片与硅光波导芯片的高效率耦合，能够解决硅基光子学中实用化光源的问题；本发明在硅光波导芯片上直接刻蚀激光器放置槽，通过控制刻蚀深度提高耦合精度；采用倒装键合的方式进行激光器与硅光波导的无源耦合，具有易于控制、高精度、高耦合效率、集成化、一体化的特点。
基于倒装激光器波导耦合结构

[实用新型]一种带有支撑功能的钢丝收卷架-CN202020077283.0有效
发明人： 王东辰 -专利权人：海盐瑞扬五金有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B65H75/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及钢丝收卷的技术领域，尤其是涉及一种带有支撑功能的钢丝收卷架，包括底座和固定在底座上的支架，所述支架周向设置有若干支撑机构，所述支撑机构包括滑移杆、支撑板和驱动组件，所述滑移杆滑移设置在支架上，滑移杆朝向靠近或远离支架方向滑移，所述支撑板固设在滑移杆远离支架一侧，所述驱动组件设置在滑移杆和支架之间，驱动组件驱动滑移杆在支架上的滑移固定。本实用新型具有能够在钢丝回弹后支撑在钢丝内侧，减缓钢丝和支架的撞击，从而降低支架和钢丝损坏的概率的效果。
一种带有支撑功能钢丝收卷架

[实用新型]一种金属物料的输送装置-CN202020068968.9有效
发明人： 王东辰 -专利权人：海盐瑞扬五金有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属制造的技术领域，尤其是涉及一种金属物料的输送装置，包括轨道和输送车，所述轨道有两条且平行放置在地面上，两条轨道之间设置有若干连杆，所述连杆沿轨道长度方向均匀设置在两根轨道之间且连接两根轨道，所述输送车滑移设置在轨道上且沿着轨道长度方向滑移，所述输送车包括底座和车轮，所述底座为矩形板体，所述车轮有四个分别转动设置在底座四周，四个车轮分别在两条轨道上转动。本实用新型具有采用轨道输送代替电葫芦腾空输送，使物料于地面上输送，不易摇晃也不会出现掉落，即保证了工作环境，又降低了事故发生的概率，降低了人员受伤的概率，还降低了金属物料破损的概率的效果。
一种金属物料输送装置

[实用新型]一种钢丝拉直机的出料缓冲装置-CN202020077177.2有效
发明人： 王东辰 -专利权人：海盐瑞扬五金有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： B21F1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种钢丝拉直机的出料缓冲装置，包括机体，所述机体出料端连接有呈L形的出料架，所述出料架上端上表面放置有基座，所述基座上表面固定连接有缓冲板，所述缓冲板呈三角形状设置且斜边朝向机体方向，所述基座沿出料架宽度方向的两端分别转动连接有卡接杆，所述卡接杆卡接于出料架，所述出料架下端上表面沿宽度方向的两端分别固定连接有弹簧，所述弹簧固定连接有挂钩，所述卡接杆固定连接有供挂钩挂接的钩架。本实用新型提供一种能够减缓不同圈径大小的钢丝的出料移动速度的装置，同时该装置具有可拆卸安装、方便更换的效果。
一种钢丝拉直缓冲装置

[发明专利]一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法-CN201911323677.8在审
发明人：王艳;徐鹏霄;王东辰;唐光华;顾晓文;周奉杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法，包括：对衬底进行表面清洁及热处理，衬底为SOI材料；涂覆电子束抗蚀剂UV135，电子束曝光写标记；蒸发Ti/Pt合金，金属剥离；涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A，进行纳米级弯曲切趾光栅浅刻蚀图形的电子束曝光；顶层硅ICP浅刻蚀；涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A，进行深刻蚀图形的套刻与电子束曝光；顶层硅ICP深刻蚀；电子束光刻邻近效应校正。该方法可制作纳米级密集弯曲切趾光栅线条，具有易于控制、精度高、灵活性大的特点。
一种纳米弯曲光栅制备方法

[发明专利]全硅分布式反馈激光器-CN201710647867.X有效
发明人： 王东辰;张驰;陆明;吴翔;张树宇 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明属于激光技术领域，具体为一种全硅分布式反馈激光器。该激光器的谐振腔由直接在纳米晶薄膜上压印出布拉格光栅构成；同时纳米晶薄膜提供光增益，从而构成分布式反馈激光器。纳米晶薄膜由光刻胶HSQ经过热退火转化形成，之后进行高压氢钝化处理，使其具有和常规激光半导体材料相当的高光增益。布拉格光栅通过纳米压印技术制备，其光栅周期对应激光波长的二阶布拉格共振条件；并且激光在垂直于光栅表面方向具有很高的衍射效率，可以实现激光的垂直出射。本发明实现了一种全硅材料的片上激光器，该激光器结构紧凑、成本低，避免了基于半导体增益材料的硅基激光器与传统硅工艺不兼容的弊端。
分布式反馈激光器

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