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[发明专利]半导体工艺设备的工艺腔室及其磁控溅射组件-CN202210599186.1有效
发明人： 王世如;杨玉杰;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室及其磁控溅射组件，磁控溅射组件包括磁控结构、靶材固定结构和弹性调整机构，靶材固定结构用于设置在半导体工艺设备工艺腔室的顶部，靶材固定结构的底部用于固定设置磁性靶材，磁控结构通过弹性调整机构吊设在靶材固定结构的上方，用于提供溅射磁场，弹性调整机构能够随磁控结构与磁性靶材之间的磁性力的变化而在竖直方向上发生弹性形变，以带动磁控结构在竖直方向上移动。在本发明中，弹性调整机构能够在磁性靶材的底部材料逐渐损耗后将磁控结构升高，使磁控结构与磁性靶材底部的相对位置不变，提高靶材利用率及薄膜性能的稳定性、均匀性和薄膜沉积速率，在降低成本的同时保证半导体器件的良率和性能。
半导体工艺设备工艺及其磁控溅射组件

[发明专利]半导体工艺设备和磁控溅射工艺-CN202210878906.8有效
发明人：董彦超;王世如;丁继华;杨玉杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备和磁控溅射工艺，所公开的磁控溅射工艺包括在基材上以溅射的方式沉积多层超导材料薄膜；其中，通过控制磁控溅射直流电源的第一功率与磁控溅射射频电源的第二功率的实际比值，以调整溅射形成的每一层所述超导材料薄膜的应力。本申请采用的技术方案能够解决目前的磁控溅射物理气相沉积技术中还无法得到应力可调的超导材料薄膜的问题。
半导体工艺设备磁控溅射工艺

[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备-CN202110837490.0在审
发明人： 王世如;杨玉杰;董彦超;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种反应腔室及半导体工艺设备，涉及半导体工艺设备领域。一种反应腔室，包括：腔室主体；基座，所述基座可旋转地设置于所述腔室主体内，所述基座用于承载晶片；诱导磁组，所述诱导磁组设置于所述基座外侧，且所述诱导磁组与所述基座同步旋转，用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的诱导磁场；所述诱导磁组和所述基座的自转速度与所述半导体工艺设备中的磁控装置的旋转速度相同。一种半导体工艺设备，包括靶材、磁控装置和反应腔室，所述靶材设置于所述反应腔室的顶部开口处，所述磁控装置可在所述靶材上方围绕所述反应腔室的轴线转动。本申请能够解决沉积薄膜磁各向异性较差的问题。
反应半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202011144983.8有效
发明人： 王世如;杨玉杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体、基座及导磁装置；基座位于腔室本体内，基座用于承载晶片；导磁装置包括磁体结构及软磁材质的导磁结构，磁体结构环绕设置于基座的两侧，用于在基座附近提供磁场；导磁结构设置于基座内，并且与基座的上表面具有一预设距离，用于引导磁场强度均匀分布以及磁场方向的取向一致。本申请实施例实现了诱导磁场在晶片附近的磁场强度分布更加均匀，以及使得磁场方向的取向一致，从而使得晶片各个位置上薄膜难易化轴保持一致，可以显著提高薄膜的磁各向异性。
半导体工艺设备及其工艺

[发明专利]半导体工艺设备及其磁控管机构-CN202010692137.3有效
发明人：杨玉杰;王世如;赵康宁 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其磁控管机构。该磁控管机构包括：背板组件、活动磁极及固定磁极；背板组件包括第一背板及第二背板，第二背板能相对于第一背板移动；多个固定磁极设置于第一背板的底面上，多个活动磁极设置于第二背板的底面上；当第二背板移动至预设位置时，多个活动磁极中的至少一个活动磁极与多个固定磁极中的至少一个固定磁极构成一呈闭合状态的磁控管，其它活动磁极及固定磁极呈非闭合状态。本申请实施例实现多个磁控管的交替启辉，进而实现多种工艺之间快速切换，并且不会出现多个磁控管之间争夺启辉现象，从而进一步增加工艺稳定性。
半导体工艺设备及其磁控管机构

[发明专利]半导体工艺设备及其磁控管机构-CN202210198432.2在审
发明人：董彦超;王世如;杨玉杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01J23/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其磁控管机构。该磁控管机构应用于半导体工艺设备，包括：背板、外磁极、内磁极及导磁组件；外磁极设置于背板的底面上，并且在底面上围成一容置空间；内磁极设置于背板的底面上，并且位于容置空间内；导磁组件为导磁材质制成，导磁组件设置于背板的底面上，并且位于两相邻的外磁极及内磁极之间，用于引导磁场强度均匀分布。本申请实施例实现了在外磁极及内磁极之间形成较均匀分布的水平磁场，使得靶材附近的磁感应线基本与靶材平行，大幅提高了靶材的利用率，尤其对于钛或金等贵金属靶材的情况，进而大幅降低应用成本。
半导体工艺设备及其磁控管机构

[发明专利]增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法-CN201810620121.4有效
发明人：冯春;姚明可;王世如;唐晓磊;于广华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理的硅Si基片上，沉积铬Cr/铁氮FeNx/氧化镁MgO/钽Ta多层膜，沉积完毕后进行热处理，促进N原子在间隙位置处的均匀占据。N原子能够改变Fe的配位环境，引起Fe/MgO界面处的电荷重新分布，有效地调节Fe的能带结构，大大增加dz2轨道上的电子占据，进而能够调节Fe 3dz2–O 2pz轨道杂化状态，使得薄膜的界面磁各向异性能显著增加。本发明只需要在制备Fe薄膜的过程中，通入氮气，就能够直接调节Fe‑O的轨道杂化强度，并增加界面磁各向异性能，不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，具有制备简单、控制方便的特点；具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。
增加金属氧化物双层界面各向异性方法

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