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- [发明专利]热压法制备ITO靶材的方法-CN201210446311.1无效
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陈进中;熊爱臣;伍祥武;吴伯增;何焕全;韩洪涛;林东东;甘振英
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柳州百韧特先进材料有限公司
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2012-11-09
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2013-05-22
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C04B35/01
- 本发明涉及ITO靶材,具体说是热压法制备ITO靶材的方法,其包括制取铟锡氢氧化物沉淀溶液;离心分离沉淀溶液中的沉淀物和液体;用水洗涤沉淀物,并离心分离沉淀物和水;干燥、煅烧沉淀物,得到ITO粉末;在ITO粉末中加入聚乙烯醇,利用模具将ITO粉末干压成成型体;将成型体置于热压炉中,制取ITO靶材的步骤。本发明通过控制合成溶液的温度和PH值等条件,可使ITO粉末达到纳米级,为热压法制备高密度的ITO靶材提供条件;同时本发明采用多次离心分离水洗的沉淀物,可有效去除沉淀物表面的杂质,有助于提高ITO粉末的导电性,从而提高ITO靶材的性能;而且本发明的热压法所需的成型压力较小,烧结温度低、时间短,生产成本低,可抑制晶粒长大,获得接近理论密度和较低气孔率的ITO靶材。
- 热压法制ito方法
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