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[发明专利]一种制备碳化硅粉料的装置及方法-CN202011641582.3有效
发明人： 热尼亚;靳婉琪;王超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备碳化硅粉料的装置及方法，该装置包括：炉体，炉体内部设置隔板，隔板关闭时，将炉体内部分隔为两部分；隔板打开时，炉体内部连通；电极，电极的表面至少部分覆盖碳源原料；坩埚，坩埚置于炉体内部；坩埚与电极发生相对位移，以使得电极能够进入或远离坩埚内。本申请通过在炉体内设置隔板，在硅源原料熔化过程中，通过隔板将炉体内硅源原料和碳化原料隔开，避免加热时硅液挥发而在碳化原料处结晶，以影响粉料的生长，提高了粉料生长的质量。该方法通过控制隔板的打开或关闭，可避免硅源原料熔化过程中，硅液挥发而在碳化原料处结晶，使得到的粉料的氮杂质含量和其它杂质含量低，可用于高纯碳化硅晶体的制备。
一种制备碳化硅装置方法

[发明专利]一种高纯碳化硅粉料及其制备方法、反应器-CN201911370486.7有效
发明人：王超;靳婉琪;热尼亚;柏文文 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请涉及一种高纯碳化硅粉料及其制备方法、反应器，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅粉料的制备方法包括下述步骤：1)提供硅原料和石墨板组，所述石墨板组包括至少一个石墨板；2)将所述硅原料和所述石墨板置于坩埚内，所述石墨板组置于所述硅原料上方，所述石墨板与硅原料之间设置间隙；3)将装料后的坩埚置于加热炉内进行高温固相合成，即制得所述高纯碳化硅粉料。该高纯碳化硅粉料的制备方法不需要添加额外辅助剂维持反应的进行；并且该方法在除杂阶段的温度高、压力低制的碳化硅粉的纯度高；该方法制得的碳化硅产品为颗粒状，不需要破碎/研磨后处理，防止了杂质的引入。
一种高纯碳化硅料及制备方法反应器

[实用新型]一种用于生长碳化硅粉料的装置-CN202023124200.8有效
发明人：王超;靳婉琪;热尼亚 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于生长碳化硅粉料的装置，所述装置包括坩埚，所述坩埚内用于放置硅原料和碳原料，所述坩埚设置出气孔；筒体，所述筒体与坩埚连接，所述筒体具有两端开口的中空腔体，所述腔体的一端与所述出气孔连通，另一端与外界连通；所述腔体内部交错设置有多个挡板，所述多个挡板与腔体内壁之间形成S形气体通道。通过设置筒体，筒体的中空腔体内部交错设置有多个挡板，多个挡板与腔体内壁之间形成S形气体通道；在生长碳化硅的过程中，硅气氛挥发，且沿着S形气体通道流动，在流过S形气体通道的过程中逐渐冷却凝结，有效减少了硅气氛对坩埚的腐蚀及硅气氛的溢出对保温材料的侵蚀。
一种用于生长碳化硅装置

[实用新型]一种制备碳化硅粉料的装置-CN202023350223.0有效
发明人： 热尼亚;靳婉琪;王超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备碳化硅粉料的装置，所述装置包括：炉体，所述炉体设置有加热装置；电极，所述电极至少部分贯穿炉体内部，位于炉体内部的电极部分的表面至少部分覆盖有碳源，所述电极通电后用于对碳源进行加热；坩埚，所述坩埚置于炉体内部，所述电极位于坩埚的上方，所述坩埚和电极发生相对位移，以使得电极能够进入或远离坩埚内。通过设置电极，电极至少部分贯穿炉体内部，炉体内部的电极部分用于固定碳源原料，对电极进行通电加热，使得固定在电极上的碳源原料快速升温并与硅液反应，提高了碳化硅粉料的生产效率和质量。
一种制备碳化硅装置

[发明专利]一种碳化硅粉料及制备方法与装置-CN202011638540.4在审
发明人： 热尼亚;靳婉琪;王超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅粉料及制备方法与装置，所述碳化硅粉料的粒径为1.5mm～50mm，堆积密度大于1.2g/cm3，所述碳化硅粉料的氮杂质含量小于1.0×1016atoms/cm3，其它杂质总含量小于1ppm。本申请提供的碳化硅粉料，该碳化硅粉料的粒径适宜，堆积密度高，有利于长出厚度更大的晶体并提高晶体生长速率；且氮杂质含量和其它杂质含量低，纯度高，可满足高纯碳化硅晶体的制备需求。该制备方法中，通过对电极通电，可使得碳源原料温度快速升高并与硅液反应，使得到的碳化硅粉料的粒径适宜，堆积密度高；该制备方法步骤简单，操作方便。
一种碳化硅料及制备方法装置

[实用新型]一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器-CN201922422102.3有效
发明人：王超;靳婉琪;热尼亚;柏文文 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器，属于半导体材料制备领域。该用于制备高纯碳化硅粉料的反应器包括：坩埚，坩埚形成合成腔，合成腔包括原料区和位于原料区上方的合成区，原料区用于放置硅原料；石墨板组，石墨板组包括至少一个石墨板，石墨板组置于合成区，石墨板与硅原料之间设置间隙；加热炉，坩埚至于加热炉内，加热炉加热使得硅原料升华至与石墨板反应生成高纯碳化硅粉料。该用于制备高纯碳化硅粉料的反应器制得的高纯碳化硅粉料的纯度高；制得的碳化硅产品为颗粒状，不需要破碎/研磨后处理，防止了杂质的引入；且该反应器在制备高纯碳化硅粉料时不需要添加额外辅助剂维持合成反应的进行。
一种用于制备高纯碳化硅反应器

[发明专利]一种高纯碳化硅粉及其制备方法-CN201811402981.7有效
发明人： 热尼亚 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅粉及其制备方法，属于半导体材料制备领域。该高纯碳化硅粉的制备方法包括对高纯碳粉的氧化处理，通过给高纯硅粉增加二氧化硅保护层提高硅粉惰性，使混合料除杂的温度升高，从而提高氮气脱附温度上限，使吸附在混合料中的氮气进一步脱附，通过抽真空清洗达到降低高纯碳化硅粉体中氮含量的目的。
一种高纯碳化硅及其制备方法

[实用新型]用于合成碳化硅粉料的坩埚组件-CN201921503513.9有效
发明人： 热尼亚;靳婉琪 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种合成碳化硅粉料的坩埚组件，属于碳化硅粉料制备设置领域。该用于合成碳化硅粉料的坩埚组件，其包括：坩埚，所述坩埚至少设置一个进气孔和至少一个出气孔，所述坩埚用于盛放原料；和多孔石墨片，所述多孔石墨片设置在所述坩埚内，所述多孔石墨片覆盖所述进气孔，所述多孔石墨片的平均孔径低于所述原料的平均粒径，气流从所述进气孔流经多孔石墨片和坩埚内原料后，从所述出气孔流出。该坩埚组件，其多孔石墨片的使用既保证气体能顺利进入坩埚，又保证了粉料不会从气孔或导气管中漏出；该多孔石墨片的设置极大的改善了坩埚内气体的渗透性，有助于稳定坩埚内热场分布均匀；该坩埚组件用于大批量合成碳化硅粉料，且产率高。
用于合成碳化硅坩埚组件

[发明专利]一种提高碳化硅粉料产率的方法-CN201811402978.5有效
发明人： 热尼亚 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高碳化硅粉料产率的方法，属于半导体材料制备领域。本申请通过在高纯碳粉硅粉混合料中加入固态糖类，在不引入其它杂质的条件下，借助该糖类随着温度增加，糖类熔化后产生的粘稠液体粘度高的性质，可在反应前期阻止碳粉硅粉分层，随着温度继续升高，糖类分解产生二氧化碳、一氧化碳等其它产物，在达到混合料反应温度前，这些物质可通过抽真空除去，保留下未分层的混合料，促使反应进行的更完全，从而提高碳化硅粉料的产率。
一种提高碳化硅粉料产率方法

[发明专利]一种制备高纯碳化硅粉料的方法-CN201811338323.6在审
发明人：靳婉琪;热尼亚 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C01B32/963 文献下载
摘要：本发明提出了一种制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，(1)选择高纯硅粉和高纯碳粉；(2)对高纯碳粉、石墨坩埚和保温结构进行一次提纯和二次提纯，其中，一次提纯采用真空脱气提纯，二次提纯采用惰性气体下的高温提纯；(3)将步骤(2)二次提纯得到的高纯碳粉和步骤(1)中的高纯硅粉置于步骤(2)二次提纯得到的石墨坩埚中，反应得到高纯碳化硅粉料。本发明通过对碳粉和石墨坩埚及保温结构进行预处理降低了高纯碳粉的含氮量与金属杂质含量，相比合成碳化硅后再进行湿法冶金处理，更为环保，且工序更简单，同时保证了合成碳化硅粉料时不会从石墨坩埚及保温结构中引入杂质。
提纯石墨坩埚高纯碳粉料高纯碳化硅保温结构合成碳化硅高纯硅粉制备预处理湿法冶金处理惰性气体金属杂质真空脱气含氮量碳粉引入环保保证

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