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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201880037318.3有效
发明人：松尾大辅;安东靖典;瀬戸口佳孝;岸田茂明 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN202080051447.5在审
发明人：松尾大辅;安东靖典;瀬戸口佳孝 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]溅射装置-CN201880036037.6有效
发明人：岸田茂明;松尾大辅;瀬戸口佳孝;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置，包括：真空容器，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部，在真空容器内保持基板；靶材保持部，在真空容器内与基板相向而保持靶材；以及多个天线，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线包括：导体部件，至少两个，且呈管状；绝缘部件，设置于相互邻接的导体部件之间，使所述导体部件绝缘，且呈管状；以及电容元件，与相互邻接的导体部件电串联连接；电容元件包括：第一电极，与相互邻接的导体部件中的一者电连接；第二电极，与相互邻接的导体部件中的另一者电连接，并且与第一电极相向而配置；以及电介质，填满第一电极与第二电极之间的空间；并且电介质为冷却液。
溅射装置

[发明专利]成膜方法及溅镀装置-CN201580051441.7有效
发明人： 瀬戸口佳孝;岸田茂明;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法及溅镀装置，不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体(10)的真空容器(2)内的天线(20)供给高频电力(P_R)来产生感应耦合型的等离子体(22)，利用所述等离子体(22)与靶材偏置电压(V_T)，对靶材(30)进行溅镀而在基板(12)上进行成膜。在成膜的开始时，向天线(20)供给高频电力(P_R)来产生等离子体(22)后，对靶材(30)施加靶材偏置电压(V_T)而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材(30)的靶材偏置电压(V_T)而停止溅镀后，停止供给至天线(20)的高频电力(P_R)而使等离子体(22)消失。
方法装置

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共 4 条

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