专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]线扫式光谱成像系统及其成像方法-CN202111208193.6在审
  • 张云昊;刘舒扬;张晨;赵安娜;王天鹤;周志远;潘建旋;姜洪妍;王才喜 - 天津津航技术物理研究所
  • 2021-10-18 - 2023-04-21 - G01N21/25
  • 本发明提供了一种线扫式光谱成像系统,该线扫式光谱成像系统包括至少一个光谱成像芯片结构,光谱成像芯片结构包括像素感光单元、窄带滤光膜、过渡层、第一、第二和第三截止滤波膜,窄带滤光膜一体式沉积生长在像素感光单元上,过渡层一体式沉积生长在窄带滤光膜上,第一截止滤波膜一体式沉积生长在窄带滤光膜上,过渡层用于过渡窄带滤光膜和第一截止滤波膜两个膜系,第二截止滤波膜设置在第一截止滤波膜上,第三截止滤波膜设置在第二截止滤波膜上,第一、第二和第三截止滤波膜分别用于截止第一、第二和第三干扰波段。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中截止滤波膜贴合方式所导致的光谱透过率低和量子效率低的技术问题。
  • 线扫式光谱成像系统及其方法
  • [发明专利]光谱成像芯片结构-CN202111207398.2在审
  • 姜洪妍;刘舒扬;王天鹤;张晨;赵安娜;张云昊;周志远;潘建旋;王才喜 - 天津津航技术物理研究所
  • 2021-10-18 - 2023-04-21 - G01J3/02
  • 本发明提供了一种光谱成像芯片结构,该光谱成像芯片结构包括像素感光单元、匹配层、窄带滤光膜、过渡层、第一、第二和第三截止滤波膜,匹配层一体式沉积生长在像素感光单元上,窄带滤光膜一体式沉积生长在匹配层上,过渡层一体式沉积生长在窄带滤光膜上,第一截止滤波膜一体式沉积生长在过渡层上,过渡层用于过渡窄带滤光膜和第一截止滤波膜,第二截止滤波膜粘贴设置在第一截止滤波膜上,第三截止滤波膜粘贴设置在第二截止滤波膜上,匹配层用于过渡感光单元与窄带滤光膜、过渡层、第一、第二以及第三截止滤波膜之间的光学导纳以提高中心波长峰值透过率。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中芯片结构的光谱透过率低、量子效率低的技术问题。
  • 光谱成像芯片结构
  • [发明专利]光谱成像芯片结构-CN202111207409.7在审
  • 姜洪妍;刘舒扬;王天鹤;张晨;赵安娜;张云昊;周志远;潘建旋;王才喜 - 天津津航技术物理研究所
  • 2021-10-18 - 2023-04-21 - G01J3/02
  • 本发明提供了一种光谱成像芯片结构,该光谱成像芯片结构包括像素感光单元、过渡层、匹配层、窄带滤光膜和截止滤波膜,像素感光单元用于实现图像采集和数据读出,匹配层一体式沉积生长在像素感光单元上,窄带滤光膜一体式沉积生长在匹配层上,窄带滤光膜用于实现在所需波段中心波长的可调谐,过渡层一体式沉积生长在窄带滤光膜上,截止滤波膜一体式沉积生长在过渡层上,截止滤波膜用于截止干扰波段,过渡层用于过渡窄带滤光膜和截止滤波膜两个膜系,匹配层用于过渡感光单元与窄带滤光膜、过渡层以及截止滤波膜之间的光学导纳以提高中心波长峰值透过率。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中芯片结构的光谱透过率低、量子效率低的技术问题。
  • 光谱成像芯片结构

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