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[发明专利]基于聚类与神经网络的智能变电站通信网络状态评价方法-CN201811302935.X有效
发明人：郑永康;李凯;谭夕柳;刘勇;周竞峰;陈长清;姜华;李红军;陆旭;朱祚恒;贾虎;陈运华;陈小平;王晓涛;周召均;杨凯;蒲敏;周文越;朱鑫;潘南西;张艺 -专利权人：国网四川省电力公司电力科学研究院;国网四川省电力公司攀枝花供电公司;国网四川省电力公司阿坝供电公司;国网四川省电力公司内江供电公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H04L41/14 文献下载
摘要：本发明公开了基于聚类与神经网络的智能变电站通信网络状态评价方法，本发明采用层次分析法得到的权值带入标准欧几里得距离空间算法用于数据的降维，然后利用聚类方法将网络异常状态分成5类，将分类结果作为神经网络模型训练样本的理想输出依据，最后搭建了基于9个评价指标的神经网络模型，并对智能变电站通信网络进行了状态评价。本发明利用聚类和模糊神经网络结合的评价模型能有效的对状态进行评价，能够很好地刻画各影响因素间的相互作用，且能够获得更加实时和准确的评价结果。
基于神经网络智能变电站通信网络状态评价方法

[发明专利]功率器件及其制造方法-CN201811294910.X有效
发明人：约瑟夫·A·叶季纳科;克里斯托夫·L·雷克塞尔;马克·L·赖尼希默;普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺;李在吉;哈姆扎·耶尔马兹;尹钟晩;德韦恩·S·赖希尔;潘南西;罗德尼·S·里德利;哈罗德·海登赖希 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率器件，包括：半导体区域；设置在半导体区域中的有源区；包围有源区的终端区；多个第一导电型支柱；以及多个第二导电型支柱，多个第一导电型支柱和多个第二导电型支柱交替地被设置在有源区和终端区内，多个第二导电型支柱中的每个支柱包括：第二导电型的第一注入区域；第二导电型的第二注入区域；沟槽；以及设置在沟槽中的第二导电型半导体材料，沟槽设置在第二导电型的第二注入区域之上，并与第二导电型的第二注入区域垂直对准，多个第二导电型支柱的包括在有源区内的支柱的横向宽度大于多个第二导电型支柱的包括在终端区内的支柱的横向宽度。
功率器件及其制造方法

[发明专利]ICD文件与SCD中对应IED的内容差异比较方法-CN201810699576.X有效
发明人：夏军;袁明旭;郑永康;余洋;李凯;丁丽嘉;陈长青;柳强;童晓阳;罗智强;贾虎;刘明忠;谭夕柳;潘南西;范爱玲;孟雷;陈迟;陈进;朱鑫;周文越;卢音朴 -专利权人：国网四川省电力公司雅安供电公司;国网四川省电力公司电力科学研究院;国网四川省电力公司攀枝花供电公司;西南交通大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G06F16/903 文献下载
摘要：本发明公开了ICD文件与SCD中对应IED的内容差异比较方法，包括以下步骤：将ICD侧IED的型号、厂家、版本号属性与SCD侧各IED的型号、厂家、版本号属性进行匹配，获取目标IED；解析ICD侧IED节点的各级子孙内容，存入到链表A；解析SCD侧目标IED的各级子孙内容，存入到链表B；逐行比较链表A中ICD侧与链表B中SCD侧的当前节点的标签、关键属性值，判断ICD侧与SCD侧的当前节点是否相同；若当前节点相同，则分别对各非关键属性以及各级子孙节点进行比较，根据比较结果进行显示；若当前节点不相同，则分别进行交叉比较，查找相同节点获取比较结果，并根据比较结果进行显示。便于理解ICD侧与SCD侧的相同节点或不同节点的上下文背景，快速而准确地进行比较差异细节。
icd 文件 scd 对应 ied 内容差异比较方法

[发明专利]一种确定变电站网络VLAN配置问题的方法及系统-CN201811150558.2有效
发明人：沈大千;郑永康;谭夕柳;刘勇;周劲;谢东;莫钦森;李顺;黄永浩;陈坤;罗小春;陈勇;王淦;赵梓宏;潘登;刘明忠;王平;周文越;朱鑫;韩睿;潘南西;卢音朴;范爱玲 -专利权人：国网四川省电力公司电力科学研究院;国网四川省电力公司广安供电公司;国网四川省电力公司阿坝供电公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定变电站网络VLAN配置问题的方法，包括以下步骤：步骤1，将设计文档的VLAN配置与实际装置的VLAN配置作对比；如果设计文档的VLAN配置与实际装置的VLAN配置不相同，则实际装置的VLAN配置错误；如果设计文档的VLAN配置与实际装置的VLAN配置相同，则转步骤2；步骤2，将SCD的VLAN配置与交换机的VLAN配置作对比；如果SCD的VLAN配置与交换机的VLAN配置相同，转步骤3；如果SCD的VLAN配置与交换机的VLAN配置不相同，转步骤5。本发明还公开了一种确定变电站网络VLAN配置问题的系统。本发明判断具体的网络通信问题是SCD配置错误、光纤不通、交换机配置错误的哪一个，从而达到全面且准确的判断智能变电站网络通信问题的目的。
一种确定变电站网络 vlan 配置问题方法系统

[实用新型]一种直流电应急转接箱-CN202022103280.2有效
发明人： 潘南西;别进平;杨雄;吴昊;李滨辰 -专利权人：国网四川省电力公司眉山供电公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H02J1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直流电应急转接箱，直流电应急转接箱包括直流电应急转接箱本体，包括监测保护装置，所述监测保护装置包括并联在直流电应急转接箱电源母线正负两极两端的绝缘监测器、直流电压表和直流防雷器，所述直流防雷器还串联有直流防雷器空气开关。应用直流电应急转接箱进行转负荷工作，通过在转接箱电源母线正负极两端并联监测保护装置，当电路电压异常或直流接地时发出报警信号，避免了在改造工作中出现直流失电和短路的情况，提高了转负荷工作的可靠性与安全性；通过在转接箱中设置多容量、多数量的空气开关作为输出支路，满足不同接入负荷的实际需求，提高直流应急转工作的安全性。
一种直流电应急转接

[发明专利]一种直流电应急转接箱及其使用方法-CN202011007780.4在审
发明人： 潘南西;别进平;杨雄;吴昊;李滨辰 -专利权人：国网四川省电力公司眉山供电公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H02J1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种直流电应急转接箱及其使用方法，直流电应急转接箱包括直流电应急转接箱本体，包括监测保护装置，所述监测保护装置包括并联在直流电应急转接箱电源母线正负两极两端的绝缘监测器、直流电压表和直流防雷器，所述直流防雷器还串联有直流防雷器空气开关。应用直流电应急转接箱进行转负荷工作，通过在转接箱电源母线正负极两端并联监测保护装置，当电路电压异常或直流接地时发出报警信号，避免了在改造工作中出现直流失电和短路的情况，提高了转负荷工作的可靠性与安全性；通过在转接箱中设置多容量、多数量的空气开关作为输出支路，满足不同接入负荷的实际需求，提高直流应急转工作的安全性。
一种直流电应急转接及其使用方法

[发明专利]一种端口自学习的智能变电站交换机-CN201811226345.3有效
发明人：郑永康;周竞峰;石磊;谭夕柳;陈勇智;宋伟;陆旭;何文兵;刘明忠;李孟东;吴科;万涛;易路;陈科;肖贤;潘南西;范爱玲;周文越;朱鑫;张艺;矫坤霖 -专利权人：国网四川省电力公司电力科学研究院;国网四川省电力公司内江供电公司;国网四川省电力公司甘孜供电公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H04L12/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种端口自学习的智能变电站交换机，所述方法包括如下步骤：S1：交换机接收SCD文件，并自动解析SCD文件，分析出各类装置连接的关系；S2：通过交换机的IP学习、IP老化功能识别端口Mac地址，通过交换机的SNMP简单网络管理协议获取到交换机信息与通信口状态；S3：通过监测接入交换机各端口实际收发情况为只发不收、只收不发还是即发送又接收进行对比分析；若是端口收发情况为只发不收进入步骤S4，若端口收发情况为只收不发进入步骤S5，若端口即发送又接收进入步骤S6。本申请文件针对现有智能变电站交换机功能的缺陷，采用端口自学习的智能变电站交换机方案：在交换机上接的光端口属于不同装置。
一种端口自学习智能变电站交换机

[发明专利]半导体结构和包括场效应晶体管区和肖特基区的装置-CN201410005313.6有效
发明人： 潘南西;克里斯托弗·劳伦斯·雷克塞尔 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构以及涉及包括场效应晶体管区和肖特基区的装置，该半导体结构包括屏蔽栅FET，所述半导体结构包括：在半导体区中的多个沟槽；在每个沟槽的底部中的屏蔽电极；位于屏蔽电极之上的栅电极；衬在每个沟槽的下侧壁上的屏蔽电介质；以及衬在每个沟槽底部上的厚的底部电介质(TBD)，其中TBD的厚度不同于屏蔽电介质的厚度。
形成用于沟槽器件底部电介质 tbd 结构方法

[发明专利]用于功率器件的超结结构及制造方法-CN201280020540.5有效
发明人：约瑟夫·A·叶季纳科;克里斯托夫·L·雷克塞尔;马克·L·赖尼希默;普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺;李在吉;哈姆扎·耶尔马兹;尹钟晩;德韦恩·S·赖希尔;潘南西;罗德尼·S·里德利;哈罗德·海登赖希 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件包括半导体区域，所述半导体区域反过来包括多个交替设置的第一和第二导电型支柱。所述多个第二导电型支柱中的每个进一步包括沿着第二导电型支柱的深度在彼此顶部设置的多个第二导电型注入区域，以及沟槽部分，所述沟槽部分直接在所述多个第二导电型注入区域之上填充有第二导电型半导体材料。
用于功率器件结构制造方法

[发明专利]用于形成具有含碳区域的功率器件的结构和方法-CN200880120997.7有效
发明人： 潘南西 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管(FET)，包括在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的本体区。本体区与半导体区形成p-n结。第二导电类型的源极区在本体区上方延伸。源极区与本体区形成p-n结。栅电极邻近于本体区延伸但是通过栅极电介质与本体区绝缘。含碳区域在本体区下面的半导体区中延伸。
用于形成具有区域功率器件结构方法

[发明专利]用于形成具有多个沟道的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法-CN200880122742.4有效
发明人： 潘南西 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：场效应晶体管(FET)包括一对延伸进入半导体区中的沟槽。每个沟槽包括位于沟槽底部中的第一屏蔽电极和位于沟槽上部的栅电极，该栅电极位于屏蔽电极的上方但与该屏蔽电极绝缘。第一导电类型的第一阱区和第二阱区在沟槽对之间半导体区中横向延伸并邻接该沟槽对的侧壁。该第一阱区和第二阱区通过第二导电类型的第一漂移区彼此垂直地隔开。栅电极和第一屏蔽电极相对于第一阱区和第二阱区设置，以使得当FET在导通状态下偏置时，在第一阱区和第二阱区的每一个中形成沟道。
用于形成具有沟道屏蔽沟槽 fet 结构方法

[发明专利]用于形成具有高纵横比接触开口的功率器件的结构和方法-CN200880120996.2有效
发明人： 潘南西 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管(FET)，包括在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的本体区。第二导电类型的源极区在本体区上方延伸。栅电极邻近于本体区延伸但是通过栅极电介质层与本体区绝缘。接触开口延伸到相邻的栅电极之间的本体区中。种子层沿着每个接触开口的底部延伸。种子层用作成核位点用于促进导电填充材料的生长。导电填充材料填充每个接触开口的下部部分。互连层填充每个接触开口的上部部分，并且与导电填充材料直接接触。互连层还沿着接触开口的上部侧壁与相应的源极区直接接触。
用于形成具有纵横接触开口功率器件结构方法

[发明专利]用于形成高密度沟槽场效应晶体管的结构与方法-CN200910173783.2无效
发明人： 潘南西;斯科特·L·亨特;迪安·E·普罗布斯特;侯赛因·帕拉维 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构，包括：沟槽，延伸进入半导体区域。该半导体区域的部分在相邻沟槽之间延伸，形成台面区域。栅电极位于每个沟槽内。第一导电类型的势阱区在相邻沟槽之间的半导体区域内延伸。第二导电类型的源极区位于势阱区。第一导电类型的重体区，位于势阱区内。源极区和重体区与沟槽侧壁相邻，而重体区在源极区上沿沟槽侧壁延伸，且延伸至台面区域的顶面。
用于形成高密度沟槽场效应晶体管结构方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽FET结构及其形成方法-CN200910158934.7无效
发明人： 潘南西;詹姆斯·J·墨菲 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：屏蔽栅沟槽场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区中的多个沟槽。屏蔽电极设置在每个沟槽的底部。屏蔽电极通过屏蔽电介质与半导体区绝缘。栅电极在每个沟槽中设置在屏蔽电极之上，并且极间电介质(IED)包括在屏蔽电极和栅电极之间延伸的低-k电介质。
屏蔽沟槽 fet 结构及其形成方法

[发明专利]形成用于沟槽栅器件的厚的底部电介质(TBD)的结构和方法-CN200910150226.9有效
发明人： 潘南西;克里斯托弗·劳伦斯·雷克塞尔 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：如下形成包括沟槽栅FET的半导体结构。使用掩模在半导体区中形成多个沟槽。掩模包括(i)半导体区的表面上的第一绝缘层，(ii)第一绝缘层上的第一氧化阻挡层，以及(iii)第一氧化阻挡层上的第二绝缘层。沿每个沟槽的底部形成厚的底部电介质(TBD)。第一氧化阻挡层防止在形成TBD的过程中沿半导体区的表面形成电介质层。
形成用于沟槽器件底部电介质 tbd 结构方法

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