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[发明专利]有机存储器-CN201010134970.2无效
发明人：施毅;李昀;邱旦峰;曹立强;潘力嘉;濮林 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机存储器，基于自组装材料，具有非挥发存储效应。所述有机存储器包括上、下电极和置于上、下电极之间的功能层，所述功能层包括相互隔离的上、下有机半导体层和上、下有机半导体层中间的烷基三氯硅烷自组装分子层，所述烷基三氯硅烷自组装分子层与上、下有机半导体层相接触。作为优选方案，所述烷基三氯硅烷中烷基的碳原子数为3-12，更优选为6-12，最优选为辛烷基三氯硅烷。由于烷基三氯硅烷自组装分子层与有机半导体层界面处的陷阱电荷，能够起到对自组装材料层的势垒性质的调控，从而使得电荷穿越过这一势垒层的几率改变，最终得到具有电学存储效应的器件。
有机存储器

[发明专利]一种亚微米级四方管状Sb₂Se₃的制备方法-CN200910034771.1无效
发明人：姬广斌;施毅;潘力嘉;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种亚微米级四方管状Sb₂Se₃的制备方法，制备方法为：在室温下将物质的量比为2∶3的SbCl₃和Na₂SeO₃加入到丙三醇液体中，磁力搅拌0.5-2个小时，放入微波反应器中加热8-10min；冷却后，将产物用乙醇和水反复交替洗净，在真空干燥箱中干燥后即得亚微米级Sb₂Se₃四方管。所得Sb₂Se₃为亚微米级四方管，管长10-20μm，管口宽0.5-1μm，管壁厚100-200nm，沿(001)方向生长。本发明提出的Sb₂Se₃亚微米级四方管的制备方法简便，所用设备简单，耗时短，可实现短时间内的大量制备，便于工业化生产。
一种微米四方管状 sb sub se 制备方法