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[发明专利]溅射装置-CN201810321536.1有效
发明人：梨木智刚;滨田明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本申请的发明提供一种溅射装置，为了不使自成膜辊脱离而输送到下游侧输送辊的长条膜基材因急剧的冷却而发生变形，该溅射装置构成为包括真空室(14)、成膜辊(18)、靶材(20)、气体供给机构(24)、3根驱动辊(下游侧输送辊)(26(1)、26(2))、26(3))、以及用于将各驱动辊(26(1)、26(2)、26(3))的温度维持在80℃以下且比真空室(14)内的最低温度高的范围内的大致恒定温度的3个温度调节机构(30(1)、30(2)、30(3))。
溅射装置

[发明专利]溅射装置-CN201410339809.7有效
发明人：梨木智刚;滨田明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请的发明提供一种溅射装置，为了不使自成膜辊脱离而输送到下游侧输送辊的长条膜基材因急剧的冷却而发生变形，该溅射装置构成为包括真空室(14)、成膜辊(18)、靶材(20)、气体供给机构(24)、3根驱动辊(下游侧输送辊)(26(1)、26(2))、26(3))、以及用于将各驱动辊(26(1)、26(2)、26(3))的温度维持在80℃以下且比真空室(14)内的最低温度高的范围内的大致恒定温度的3个温度调节机构(30(1)、30(2)、30(3))。
溅射装置

[发明专利]溅射装置和带薄膜的长条膜的制造方法-CN201410342230.6有效
发明人：梨木智刚;滨田明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置和带薄膜的长条膜的制造方法。本发明的溅射装置(10)用于在长条膜上形成薄膜。本发明的溅射装置(10)包括：真空室(11)；真空泵(12)，其用于对真空室(11)进行排气；供给辊(13)，其用于供给长条膜(17)；收纳辊(16)，其用于收纳长条膜(17)；成膜辊(15)，其设于真空室(11)内，用于沿着成膜辊(15)的表面输送长条膜(17)；靶材(18)，其与成膜辊(15)相对；气体配管(21)，其用于向真空室(11)内供给气体；导辊(28)，其用于引导长条膜(17)；导辊轴(24)，其设于导辊(28)的两端；轴承(25)，其用于支承导辊轴(24)；绝缘体(26)，其用于将导辊轴(24)与轴承(25)之间绝缘，导辊(28)的与长条膜(17)接触的接触面是浮动电位。
溅射装置真空室成膜导辊薄膜收纳导辊轴轴承绝缘体浮动电位供给气体气体配管支承导辊供给辊真空泵靶材绝缘排气制造

[发明专利]真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体-CN201210130235.3有效
发明人：梨木智刚;菅原英男;野口知功;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
真空方法通过得到层叠

[发明专利]真空成膜方法和由该方法得到的层积体-CN201210132151.3有效
发明人：梨木智刚;坂田义昌;菅原英男;家仓健吉;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：提供一种真空成膜方法和由该方法得到的层积体，在卷对卷技术中进一步谋求作业的高效化或者改善。是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从第一辊室抽出的阶段、将沿第一方向抽出的基材进行脱气的阶段、在第二成膜室将第二膜材料在被脱气的基材的面上进行成膜的阶段、将成膜有第二膜材料的基材在第二辊室进行卷绕的阶段、沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向将在第二辊室卷绕的基材从第二辊室抽出的阶段、在第一成膜室将第一膜材料在沿第二方向抽出的基材的面上进行成膜的阶段、将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材在第一辊室卷绕的阶段。
真空方法得到层积

[发明专利]双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体-CN201210268890.5有效
发明人：梨木智刚;坂田义昌;菅原英男;家仓健吉;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体，使沿第一方向输出的基体脱气，在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜，在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出，在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜，在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面，重复上述全部处理。
双面真空方法利用获得层积

[发明专利]溅射装置以及溅射装置的膜卷的更换方法-CN201480054037.0在审
发明人：梨木智刚;滨田明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：对于用于在膜上连续地形成薄膜的溅射装置而言，在更换膜卷时，不将成膜室向大气开放，而且不使真空泵停止。供给侧膜卷室(11)具有供给侧真空泵(17)和供给侧主阀(34)。收纳侧膜卷室(13)具有收纳侧真空泵(28)和收纳侧主阀(35)。在供给侧膜卷室(11)和成膜室(12)之间设置有供给侧加载互锁阀(30)。在收纳侧膜卷室(13)和成膜室(12)之间设置有收纳侧加载互锁阀(31)。在更换供给侧膜卷(36)之际，将供给侧主阀(34)和供给侧加载互锁阀(30)关闭。在更换收纳侧膜卷(37)之际，将收纳侧主阀(35)和收纳侧加载互锁阀(31)关闭。
溅射装置以及更换方法

[发明专利]溅射装置和溅射装置的维护方法-CN201480054423.X在审
发明人：梨木智刚;滨田明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：在溅射装置的靶材更换、阴极清扫过程中，能够两个人以上同时进行作业，无需高处作业且以靶材朝上的状态更换靶材。使阴极台车(19)移动而将靶材(17)和阴极(18)取出到真空槽(11)外。使阴极旋转机构(24)工作而以使靶材(17)朝上的方式使靶材(17)和阴极(18)旋转。使阴极滑动机构(25)工作而使高处的靶材(17)和阴极(18)向低处移动。将旧的靶材(17)从阴极(18)拆下来，并且将新的靶材(17)安装到阴极(18)。使靶材(17)和阴极(18)返回到原来的高度。使靶材(17)和阴极(18)沿着原来的方向返回。使靶材(17)和阴极(18)返回到真空槽(11)内。
溅射装置维护方法

[发明专利]薄膜形成装置-CN201410345161.4在审
发明人：梨木智刚;滨田明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种与以往相比能够抑制所形成的薄膜在长条膜基材的宽度方向上发生品质偏差的薄膜形成装置。使用于供给成膜用的气体的气体供给部件(100、200)构成为具有沿膜基材(16)的宽度方向排列设置在真空室(12)内的多个气体供给部(120A、120B、120C、220A、220B、220C)和能够针对该气体供给部(120A～120C、220A～220C)分别调整气体的供给量的供给量调整部，使用于测定真空室(12)内的每种气体的分压的气体分压测定部件(400)构成为，具有与气体供给部(120A～120C、220A～220C)的各自的设置位置相对应地设置在膜基材(16)的宽度方向上的测定部(420A、420B、420C)，用于测定测定部(420A～420C)的各自的设置位置处的气体的分压。
薄膜形成装置

[发明专利]溅射装置-CN201410345609.2在审
发明人：梨木智刚;滨田明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置。在本发明的溅射装置(10)中，长条膜(17)被凹面导辊(14)引导。对于长条膜(17)从凹面导辊(14)受到的压力，越靠近端部，压力越强，越靠近中央，压力越弱。因此，长条膜(17)实质上被凹面导辊(14)的端部支承。在长条膜(17)上产生了的褶皱(20)即使通过凹面导辊(14)，也保持褶皱(20)的状态，而不会变化为折痕。
溅射装置

[发明专利]溅射装置-CN201410344545.4在审
发明人：梨木智刚;滨田明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置。在本发明的溅射装置中，使1根气体配管(21)与两根以上的气体供给管(22)相连接。将气体供给管(22)、气体配管(21)设置在包围靶材(18)的分隔壁(20)之外，在分隔壁(20)内表面设置多个气体供给口(23)。多个气体供给口(23)设于比靶材(18)表面远离成膜辊(15)的一侧。该溅射装置设有用于冷却分隔壁(20)的冷却配管(24)。
溅射装置

[发明专利]双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体-CN201210267243.2有效
发明人：梨木智刚;坂田义昌;菅原英男;家仓健吉;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷绕成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面而沿第一辊室朝向第二辊室的方向从第一辊室输出，对输出的基体进行脱气，在第一成膜室，在脱气的基体的第一面成膜第一膜材料，在第二成膜室，在第一膜材料上成膜第二膜材料，在第二辊室将层积有膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一面相反一侧的第二面作为被成膜面而沿方向从第一辊室输出卷绕的基体，重复进行上述所有的处理。
双面真空方法利用获得层积

[发明专利]双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体-CN201210266812.1有效
发明人：梨木智刚;坂田义昌;菅原英男;家仓健吉;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出，对输出的基体脱气，在第一成膜室，在第一面将第一膜材料成膜，将第一膜材料成膜的基体沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向向第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿第二方向引导过程中的基体的、与第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜，在设置于第一辊室与第二辊室之间的第三辊室，将在第一面使第一膜材料成膜且在第二面使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿第一方向从第一辊室输出在第三辊室卷绕的基体，重复上述全部处理。
双面真空方法利用获得层积

[发明专利]复印装置、复印系统、复印管理系统、复印控制方法-CN200510124878.7有效
发明人：堀内孝郎;滨田明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： G03G21/04 文献下载
摘要：本发明实现一种复印装置，在用户自身进行有复印限制的复印原稿的复印的情况下，监视是否为适于该限制的复印，并防止不适当复印。本发明的复印装置将指定用户的用户ID和作为许可用户复印的分类的信息的学会图书分类产生对应，而且将指定书籍的书籍ID和作为赋予书籍的分类的信息的书籍图书分类产生对应，并分别存储在管理服务器中，它包括：取得上述用户ID的用户ID取得部；取得上述书籍ID的书籍ID取得部；从管理服务器取得与上述用户ID对应的学会图书分类的第一取得部；从管理服务器取得与上述书籍ID对应的书籍图书分类的第二取得部；基于上述学会图书分类以及书籍图书分类，控制上述书籍复印的复印控制部。
复印装置系统管理控制方法

[发明专利]信息处理设备、存储设备和存储控制设备-CN200510081901.9有效
发明人：贵志信哉;滨田明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：CPU(信息处理单元)3向HDD控制器1(存储控制设备、存储控制单元)输出数据的文件指定和数据的擦除指令。HDD控制器1指明与应当写入的文件相对应的重写数据的簇，产生重写数据，并且向HDD 2(存储单元、存储装置)输出簇的指定、重写数据、重写指令以及使入口信息和FAT信息(对应信息)无效的指令。HDD 2将重写数据写入所指定的簇中以便擦除数据，并且使入口信息和FAT信息都无效。因此，能够减少擦除所存储的数据所需的处理负担。
信息处理设备存储控制

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