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[发明专利]一种导模法生长3"×9"大尺寸薄片状氧化铝单晶体的工艺方法-CN201210567914.7在审
发明人：滑芬;秦承安;赵岩;张克华 -专利权人：天津市硅酸盐研究所有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C30B15/24 文献下载
摘要：本发明提供一种采用导模法晶体生长技术生长3″×9″片状氧化铝单晶材料的工艺方法。采用双层感应线圈、双层钼筒及发热体的加热系统，双层石墨化高纯碳纤维毡夹氧化锆砂的复合高效保温系统，高温梯度区的温度气氛调节组件、次高温梯度区的温度调节屏共同作用的温场调节控制系统，三系统协同作用，为晶体生长提供一个均匀、稳定、可控的温度场环境，形成导模法生长大尺寸晶体的纵横两个方向适宜的温场条件，原料熔化高温熔融区温度均匀，没有局部过热现象，晶体生长大区间的热环境(温场)适宜导膜法晶体生长。控制晶体生长工艺参数，实现3″×9″大尺寸薄片状氧化铝单晶体过程，得到高品质一次成型的大尺寸片状氧化铝单晶体。
一种导模法生长尺寸薄片氧化铝单晶体工艺方法

[发明专利]石英纤维的制备系统及制备工艺-CN201010124924.4无效
发明人：王长虹;杨宗彬;滑芬;孙广军 -专利权人：天津市硅酸盐研究所
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C03B37/025 文献下载
摘要：本发明涉及石英纤维的制备系统及制备工艺，属于加工生产石英纤维的技术领域。解决了目前石英纤维生产过程中的拉丝质量不稳定、生产效率低的问题。通过气体加热方式制备连续石英纤维的生产系统和工艺过程，生产出质量稳定的石英纤维，同时提高了石英纤维的生产效率。
石英纤维制备系统工艺

[发明专利]防火门用环保型GYS无机胶粘剂-CN200910070862.0无效
发明人：滑芬;尹岩林;金钰;张丽;张克华 -专利权人：天津市硅酸盐研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C09J1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于防火门及相关领域的无毒、无污染，不燃、不爆的单组分环保型GYS无机胶粘剂及其制备方法，该胶粘剂既有高的粘结功效，又有耐高温不燃的防火功能。其组成：水溶性硅酸盐(SiO2/Na2O)40-55％，磷酸盐、硅酸盐矿石粉末(如苏州土、高岭土等)30-50％，金属粉末(硅铁或其它金属粉末等)1-5％，增强纤维(氧化铝或高硅铝等纤维)1-2％，功能助剂1-5％。该胶粘剂胶体密度：1.5-1.8g/cm3、粘结强度＞5MP、材料产烟毒性达到AQ1(GB12955-2008)、燃烧性能达到A1级、耐火度＞1300℃(GB12955-2008)。
防火门环保 gys 无机胶粘剂

[发明专利]导模法生长3″×9″片状氧化铝单晶体-CN200810153130.3无效
发明人：滑芬;赵岩;秦承安;张贵芹 -专利权人：天津市硅酸盐研究所
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明涉及采用一次成型的导模法晶体生长技术生长3″×9″片状氧化铝单晶材料的工艺及方法。确立使用Φ100-Φ120mm大尺寸钼质坩埚，设计和建立高效加热系统、高效保温系统、温场调节系统，确立晶体生长高温区横向温度场的温差范围在±3℃以内、在模具端面之上15mm范围之内纵向温度梯度5-6℃/mm的工艺条件；解决大尺寸氧化铝单晶生长过程中的均匀化料难、温度场控制难、晶体生长工艺复杂等难点问题，生长出高质量大尺寸3″×9″片状氧化铝单晶材料。
导模法生长片状氧化铝单晶体

[发明专利]B-三氯硼嗪的制备系统及制备工艺-CN200710059898.X无效
发明人：滑芬;王长虹;金钰;朱悦;尹岩林;陶永刚 -专利权人：天津市硅酸盐研究所
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C07F5/05 文献下载
摘要：本发明涉及制备B-三氯硼嗪这一极易升华的无色针状晶体的一整套适宜的可控的温度状态、气流状态、回流状态及时间等方面的特殊实验系统；及制备B-三氯硼嗪的一套较完善的实验操作工艺。B-三氯硼嗪是还原特殊原料硼嗪的重要原料，经常被作为硼嗪环上取代反应的起始物质；同时是应用于各种无机基团取代元素研究的重要原料。
三氯硼嗪制备系统工艺

[发明专利]生长高性能管状蓝宝石封底的方法-CN200610013802.1无效
发明人：滑芬;张莲花;王晶;秦承安;张贵芹 -专利权人：天津市硅酸盐研究所
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长高性能管状蓝宝石封底的方法，首先确定封底的管状蓝宝石的规格尺寸，根据上述规格尺寸制作相匹配的封底模具，然后，选用高纯度焰熔法蓝宝石碎料作为原料，将高性能管状蓝宝石作为籽晶，使用封底模具，进行封底的生长，晶体生长的温场条件要合理，横向温差在2℃以内，纵向温度梯度在距模具端面10mm内为3－4℃，生长速率8－10mm/h，在管状蓝宝石的底部，生长出圆柱状蓝宝石，使管状蓝宝石的一端被封闭。本封底具有外观规整，表面光滑，晶体完整性好和封底严密的特点，蓝宝石晶体本身又具有高熔点、高硬度、耐腐蚀、良好的红外透过率等优良性能，带有封底的管状蓝宝石可应用于半导体、化工、航空、航天、国防等行业的高科技领域。
生长性能管状蓝宝石封底方法

[发明专利]生长高性能管状蓝宝石的方法-CN200610013801.7无效
发明人：滑芬;张莲花;王晶;秦承安;张贵芹 -专利权人：天津市硅酸盐研究所
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长高性能管状蓝宝石的方法，采用一次成型的润湿导模法技术，直接从熔体中拉制所需内、外径尺寸和长度的管状蓝宝石，其特征是，首先确定管状蓝宝石的规格尺寸，根据上述规格尺寸制作相匹配的长管模具，然后，选用高纯度焰熔法蓝宝石碎料作为原料，选用提拉法生长的(0001)方向的优质籽晶，进行管状蓝宝石的生长，横向温差在2℃以内，纵向温度梯度在距模具端面10mm内为3－4℃，生长速率为30－40mm/h。本方法可直接获得所需内、外径尺寸和长度的高性能管状蓝宝石，避免了由棒状晶体再经后期机械加工的困难及浪费。此类产品可应用于半导体、化工、航空、航天、国防等多行业的高科技领域。
生长性能管状蓝宝石方法