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[发明专利]处理粘性带的方法-CN202080019575.1有效
发明人：克雷格·马歇尔·菲内斯;罗伯特·温德尔·夏普斯;尼古拉斯·利昂·苏许;温良恭 -专利权人：康宁公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：处理粘性带的方法包括从一供应容器供应熔融材料。方法包括将熔融材料形成粘性带。粘性带沿着行进路径行进。方法包括接收从粘性带产生的热光能。方法包括从热光能生成粘性带的图像。方法包括从图像侦测出粘性带的缺陷。
处理粘性方法

[发明专利]一种太赫兹频段全金属微纳波导-CN202310828342.1在审
发明人： 温良恭;李栋;熊凡;白中扬;陈林亮 -专利权人：太锐芯科技（青岛）有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹频段全金属微纳波导，结构体系上，以全金属结构实现结构外形、波导通道和定位孔的一体化；加工工艺上，通过机床加工、微纳加工分别进行法兰和波导结构的加工；装配方式上，波导与法兰通过销钉定位进行对准装配，同时直接以微纳加工的波导口作为端面与输入/输出信号相连接，减少信号传输损耗。本发明的全金属微纳器件相较于金属化硅基微纳器件具有良好的器件可靠性和工作寿命；以机床加工和微纳加工结合有效实现法兰与波导结合的一体化加工，改善了波导结构的表面粗糙度、侧壁陡直度和表面平整度等，减小射频损耗；对准装配和采用微纳加工的波导口作为端面与输入/输出信号相连接，减少了信号传输损耗。
一种赫兹频段全金属波导

[发明专利]垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器-CN202310360142.8在审
发明人： 温良恭;孙统;白中扬;李昭颖 -专利权人：太锐芯科技(青岛)有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹技术领域，尤其涉及一种垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器。垂直腔面太赫兹发射器包括：垂直腔面发射激光器本体；自旋太赫兹波产生结构，自旋太赫兹波产生结构设于垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方，用于基于垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋太赫兹波；以及调制结构，调制结构设于垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方，用于调制自旋太赫兹波产生结构产生的自旋太赫兹波。本发明通过自旋太赫兹波产生结构、调制结构和垂直腔面发射激光器本体的同片集成，并通过调制结构对自旋太赫兹波产生结构产生的自旋太赫兹波进行调制。本发明实现辐射自旋太赫兹波并进行调制。
垂直腔面太赫兹发射器射频滤波器以及调制器

[发明专利]单片多功能集成的自旋太赫兹器件-CN202211390175.9在审
发明人： 温良恭;周友盛;白中扬;孙统;李昭颖 -专利权人：太锐芯科技（青岛）有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种单片多功能集成的自旋太赫兹器件，属于传感技术领域，解决了现有技术中太赫兹器件集成化多功能调制的问题。本申请的技术方案，包括自旋太赫兹天线单元，自旋太赫兹天线单元包括衬底介质基片、自旋薄膜和波导天线。波导天线设置于衬底介质基片的上表面并围绕自旋薄膜均匀排布，或者波导天线位于自旋薄膜的上表面并围绕自旋薄膜的上表面中心均匀排布，进而实现集成化有源调控的自旋太赫兹单元。利用该结构的幅频特性，可以构建自旋相控阵列，进而实现有源可调谐的自旋相控阵。本申请的技术方案，构建了对太赫兹辐射具有调制作用的多功能器件，实现了太赫兹波产生、增强和调控的多功能单片集成，具有巨大应用潜力。
单片多功能集成自旋赫兹器件

[发明专利]一种相位可调谐自旋太赫兹源器件及其制备方法和应用-CN202210539681.3在审
发明人： 温良恭;孙芸 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供了一种相位可调谐自旋太赫兹源器件及其制备方法和应用。本发明的相位可调谐自旋太赫兹源器件的制备方法，包括如下步骤：S1：在第一衬底上制作自旋薄膜；S2：在第二衬底上制作超材料金属结构；S3：分别在自旋薄膜和超材料金属结构表面旋涂液晶取向剂并干燥，随后采用紫外光照射对自旋源上电极和超材料下电极进行预取向；S4：将自旋源上电极和超材料下电极相对放置并制盒，随后灌注液晶，制得相位可调谐自旋太赫兹源器件。本发明的制备方法工艺简单，稳定性高，易于集成并实现规模化生产，能够大大降低生产成本，在偏振调控、全息成像、波束偏转、波束扫描、光束聚焦等方面具有重要的应用价值。
一种相位调谐自旋赫兹器件及其制备方法应用

[发明专利]太赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法-CN202111322557.3有效
发明人： 温良恭;白中扬;朴勇刚 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法，该结构包括载体，载体开设有用于太赫兹电磁波行进的慢波通道，慢波通道内部表面设有磁性薄膜层；慢波通道内部由行进的电磁波形成微电场，磁性薄膜层通过产生磁场或影响外部磁场，实现对内腔中行进的电子注进行聚焦，以促进电子注与微电场发生相互作用。本发明利用磁性薄膜层替代或增强传统行波管中的永磁体聚焦系统，厚度在微米到纳米量级，有利于行波管的集成化设计以及根据需求实现差异化磁场分布，实现行波管磁场系统体积的小型化，避免了传统永磁体聚焦系统的体积重量过大和磁场整形精度不高的问题，具有集成度高、微纳工艺兼容性好和应用性强的特点。
赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法

[发明专利]基于微纳工艺的高精度对准装配方法、对准标记和应用-CN202210632563.7在审
发明人： 温良恭;叶青河;孙统;胡洪 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于微纳工艺的高精度对准装配方法、对准标记和应用，在制备电子枪后，在电子枪上形成相应的对准标记；慢波结构制备相应的对准标记；采用慢波结构的对准标记与电子枪的对准标记对准，实现对准成型。本发明通过利用微纳技术中常用的对准符号，将两个波导结构端口的对准转化为平面对准符的对准，实现高频，微尺寸结构器件的精准组装，大幅提高了对准组装的精度。可以实现小型化，集成化的行波管装配要求，可以有效提高信号的利用效率，减少信号的损耗，提高整体增益与输出功率。
基于工艺高精度对准装配方法标记应用

[发明专利]基于免疫磁珠标记的细胞筛选方法及系统-CN201710858509.3有效
发明人： 温良恭;李智 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C12N5/00 文献下载
摘要：本发明属于细胞分选技术和生物医学磁传感器技术的交叉领域，具体涉及一种基于免疫磁珠标记的细胞筛选方法及系统，包括细胞筛选装置，所述细胞筛选装置的主体结构被一层细胞筛分割成上层、下层腔体，所述腔体中充满了细胞缓冲液；所述筛选方法，包括如下步骤，S1.将包含有游离的免疫磁珠、被免疫磁珠标记的目标细胞和其他细胞的样品输入到细胞筛选装置的下层腔体中；S2.对细胞筛选装置施加纵向磁场和横向振荡，将免疫磁珠吸入上层腔体，目标细胞吸附在细胞筛的下表面；S3.分别冲洗得到包含游离的免疫磁珠的溶液、包含其他细胞的溶液和包含被免疫磁珠标记的目标细胞的溶液。该方法采用物理的方式实现细胞筛选，能够极大的提高目标细胞的捕获率，并且用于完成本发明方法的装置容易集成传感器，满足大数据时代的信息化需求。
基于免疫标记细胞筛选方法系统

[发明专利]发射基体组件的制备方法、发射基体组件和电子枪-CN202111437775.1在审
发明人： 温良恭;孙统;胡洪;叶青河 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种发射基体组件的制备方法、发射基体组件和电子枪，涉及特种加工技术领域，发射基体组件的制备方法通过采用微纳加工工艺可以实现亚毫米、微米和纳米量级的发射基体本体的制备，从而使包含有发射基体本体的发射基体组件具有高频、尺寸小、易集成、响应速度快和功耗低的特点，以解决现有的用于发射基体组件的制备方法所制备的发射基体组件存在尺寸大、不易于集成、响应速度慢和功耗高等问题。
发射基体组件制备方法电子枪

[发明专利]一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法-CN202011506665.1有效
发明人： 温良恭;白中扬;李河霖 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法，包括：TFT单元；多个导电层，形成在所述TFT单元上并且通过通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接；以及超材料单元，至少部分地形成在所述多个导电层中的一个或多个中并通过所述通孔与所述源/漏极电联接。该器件不仅易于实现可控超材料阵列，进而大面积生产可控超材料调控系统，与TFT工艺兼容性强、稳定性高，可以实现规模化生产，从而降低生产成本。
一种基于 tft 工艺调谐材料器件及其制作方法

[发明专利]基于免疫磁珠标记细胞的分级筛选方法-CN201810776729.6有效
发明人： 温良恭;王麟;白中扬 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2018-07-14 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C12N5/00 文献下载
摘要：本发明提出一种基于免疫磁珠标记细胞的分级筛选方法，包括若干级级联的细胞筛选装置，所述细胞筛选装置的主体结构被一层细胞筛分割成上层、下层腔体；通过硅胶管彼此连接,分级筛选方法包括如下步骤：S1.注入样本；S2.冲洗免疫磁珠；S3.施加磁场；S4.冲洗其他细胞；S5.收集目标细胞；重复步骤S2‑S5，直到筛选出所有的目标细胞，且目标细胞将在不同级的细胞筛中筛选出来。本发明使用物理方式实现细胞筛选，能够在同一个筛选装置中，通过多次分级筛选将多种目标细胞筛选出来，从而可以实现多种类型肿瘤细胞的同时诊断并提供准确的检测结果。
基于免疫标记细胞分级筛选方法

[发明专利]像素单元及形成方法、显示器及太赫兹成像系统-CN202110872171.3在审
发明人： 温良恭;白中扬;孔茹茹;朴勇刚 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01N21/3586 文献下载
摘要：本发明提供一种像素单元及形成方法、显示器及太赫兹成像系统，在像素单元中，超材料层通过导电插塞与薄膜晶体管中的输入极电连接，从而与薄膜晶体管集成，薄膜晶体管通过输出极与液晶层的底部像素电极电连接。在集成这种像素单元的太赫兹成像系统中，太赫兹辐射源模块发出的太赫兹光波照射在待测物体上，从物体透射或反射后经过光学聚焦器聚焦出射，聚焦信号打在超材料层，光信号经过超材料层形成电信号。薄膜晶体管接收超材料层的电信号并对其进行放大并提取，利用该电信号控制液晶的偏转实现像素点的点亮与变暗，从而实现图像的显示。本发明技术方案为太赫兹成像系统的小型化、可控性和大面积检测阵列提供了可应用性方案。
像素单元形成方法显示器赫兹成像系统

[发明专利]基于超材料三维结构实现电磁波调制的装置及方法-CN201910829288.6有效
发明人： 温良恭;宋青林;白中扬;孙浩威 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于超材料三维结构实现电磁波调制的装置及方法，该装置包括：电磁波调制装置和阵列控制装置；用于将经过的电磁波的响应调制为设定响应，电磁波调制装置为超材料三维结构；电磁波调制装置设置于阵列控制装置内，阵列控制装置用于调整电磁波调制装置的状态，使经过电磁波调制装置的电磁波的响应被调制为设定响应。该方法包括：使电磁波入射至电磁波调制装置，获取设定响应电磁波响应；通过阵列控制装置调整电磁波调制装置的状态，获取设定电磁波响应，完成电磁波的响应调制。本发明通过提供一种机械三维调制电磁波的装置及方法，能够应对不同频段的信号调制需求，且具有强抗电磁干扰能力和稳定性。
基于材料三维结构实现电磁波调制装置方法

[发明专利]基于免疫磁珠标记的SERS分选方法-CN201810772806.0有效
发明人： 温良恭;王麟;吴欣羽 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2018-07-14 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明提出一种基于免疫磁珠标记的SERS分选方法，包括：S1.在每种目标细胞均特有的表面受体上，标记修饰有与该表面受体配对的抗体的免疫磁珠；S2.筛选出目标细胞；S3.根据每种目标细胞所特有的表面受体，分别在每种目标细胞上，标记修饰有与该表面受体配对的抗体的SERS‑TAG；S4.分别对标记后的每个目标细胞进行表面增强拉曼检测以确定其种类，根据目标细胞的种类对目标细胞进行分类。本发明能够在一次检测中完成多种CTC检测，且能大大减少表面增强拉曼检测的数量及SERS‑TAG的用量，减少光学检测时间,并节约成本。
基于免疫标记 sers 分选方法

[发明专利]一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件-CN201910877965.1有效
发明人： 温良恭;吴欣羽 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，该器件包括：CMOS兼容电路系统和多个金属层，相邻金属层之间设置有介质层；至少有一个金属层为超材料结构层；超材料结构层与至少一个CMOS器件集成，CMOS器件用于调整超材料结构层的电磁响应特性；CMOS兼容电路系统用于将不同控制电压传送至CMOS器件，以动态调谐可调谐超材料器件。通过将超材料与CMOS器件进行集成，并通过CMOS兼容电路系统控制CMOS器件的偏置电压，加工制造工艺为标准CMOS工艺，工艺简单，稳定性高，易于实现规模化生产，能够大大降低生产成本；且该器件具有设计流程标准，不依赖工艺、材料等特点，并可利用不同CMOS工艺节点实现较宽的可调谐超材料响应频段。
一种基于 cmos 工艺调谐材料器件

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