专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种高聚光多晶硅片-CN201621366821.8有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-12-13 - 2017-06-16 - H01L31/0216
  • 本实用新型涉及多晶硅片技术领域,尤其是一种高聚光多晶硅片,包括硅片本体和矩形底座,所述硅片本体安装于矩形底座内,所述矩形底座顶部设有框架,所述框架内设有多个矩形排列的安装座,所述安装座为中空圆环,所述安装座内设有凸透镜,所述硅片本体自上而下设置有N级多晶硅片、导通区和P级多晶硅片,所述N级多晶硅片上表面设有减反射膜,所述减反射膜为棱镜减反射膜,所述N级多晶硅片和P级多晶硅片的侧面均设有电极,所述电极贯穿矩形底座。此实用新型通过凸透镜的聚集效果,增强了光的吸收效果,从而提高转换率。
  • 一种聚光多晶硅片
  • [实用新型]一种具有减反射能力的单晶硅片-CN201621366822.2有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-12-13 - 2017-06-16 - H01L31/0216
  • 本实用新型涉及单晶硅片技术领域,尤其一种具有减反射能力的单晶硅片,包括硅片本体,硅片本体的四角设为圆弧倒角,所述硅片本体的正面设置有高折射率介质膜,所述高折射率介质膜的上表面设置有低折射率介质膜,所述低折射率介质膜的上部设置有反射层,所述反射层内设置有第一压花玻璃和第二压花玻璃,所述第一压花玻璃和第二压花玻璃的透光面向上,所述第一压花玻璃与第二压花玻璃之间的夹角为90度,所述反射层的上部设置有玻璃半球,所述硅片本体中均匀掺杂分布有镓粒,所述硅片本体的背面设置有吸光层,本实用新型提高了单晶硅片的电性能,有效地减少单晶硅片自身的反射。
  • 一种具有反射能力单晶硅
  • [实用新型]一种太阳能电池板用多晶硅片-CN201621369433.5有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-12-13 - 2017-06-16 - H01L31/0236
  • 本实用新型涉及多晶硅片技术领域,尤其是一种太阳能电池板用多晶硅片,包括多晶硅片、氮化硅层、底座和安装套片,所述氮化硅层涂设在多晶硅片的背光侧,所述底座位于多晶硅片的吸光侧,所述多晶硅片、氮化硅层和底座侧面的四周通过安装套片连接,所述底座的上端均匀的开设有多个呈矩阵排列的安装槽,所述安装槽呈半球状,且安装槽的底部与多晶硅片相通,所述多晶硅片吸光侧的表面设有绒面凸起,所述安装槽的侧壁上粘接有凹面镜。该太阳能电池板用多晶硅片,结构简单,转换率高,光能利用率高。
  • 一种太阳能电池板多晶硅片
  • [实用新型]一种复合多晶硅片-CN201621367011.4有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-12-13 - 2017-06-16 - H01L31/0352
  • 本实用新型涉及多晶硅片技术领域,尤其是一种复合多晶硅片,包括硅片本体,硅片本体包括P型多晶硅片和N型多晶硅片,P型多晶硅片和N型多晶硅片之间设置有导通层,所述P型多晶硅片上设置有减反射膜,所述P型多晶硅片的侧面设置有第一电极,所述N型多晶硅片的侧面设置有第二电极,所述P型多晶硅片的上表面均布有凹槽,所述减反射膜上设置有吸光膜,所述吸光膜上设置有钢化玻璃膜,所述N型多晶硅片底部设置有无机硅填料层,表面半球形的凹槽有聚光效果,设置有减反射膜和吸光膜,进一步减少反射,提高光电转换效率,硅片本体外设置有防护膜和钢化玻璃膜提高耐腐蚀性,设置有无机硅填料层提高硅片的强度。
  • 一种复合多晶硅片
  • [实用新型]一种全自动硅片插片机-CN201621366550.6有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-12-13 - 2017-06-09 - H01L31/18
  • 本实用新型涉及插片机技术领域,尤其是一种全自动硅片插片机,包括硅片传送带、滑槽和斜撑,硅片传送带通过安装支架安装在地面上,且安装支支架上设置有用于驱动硅片传送带的驱动电机,滑槽位于传送带的右侧,斜撑通过支架安装在地面上,且斜撑与滑槽之间的夹角为九十度,斜撑的外壁套接有套管,套管靠近地面的一端固定连接有托板,且托板与套管保持垂直,托板上放置有硅片盒,斜撑远离地面的一端固定连接有支撑杆,支撑杆上安装有液压油缸,液压油缸上的活动杆与托板固定连接,该全自动硅片插片机对比人工插片的方式极大的提升了插片速度,降低了工人的劳动强度,同时结构更加简单,制造成本低。
  • 一种全自动硅片插片机
  • [实用新型]一种高温扩散炉废气过滤排放装置-CN201620437466.2有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-05-13 - 2017-02-01 - B01D47/02
  • 本实用新型公开了一种高温扩散炉废气过滤排放装置,包括高温扩散炉本体,所述高温扩散炉本体顶部固定连通有废气管,所述废气管中部固定设有鼓风机,所述废气管端部设有出气孔,所述废气管端部设置在水池底部,所述水池侧面和上表面均固定设有散热片,所述水池顶部固定设有进水管,所述水池底部固定设有排水管,所述水池顶部和排气道相互连通,所述排气道上固定设有干燥装置。本实用新型设计合理,通过一系列的结构,可以保证高温扩散炉内的废气可以经过降温过滤然后再进行排放,从而可以控制排放的气体的质量,减少废气对环境的污染,非常环保。
  • 一种高温扩散废气过滤排放装置
  • [实用新型]一种PECVD镀膜机下料端风冷散热装置-CN201620435947.X有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-05-13 - 2017-02-01 - C23C16/513
  • 本实用新型公开了一种PECVD镀膜机下料端风冷散热装置,包括镀膜机下料载车和风冷散热装置,所述安装板的内侧设置有风机,所述风机通过导线与控制装置电性连接,所述风冷散热装置在风机的内侧设置有气流均压槽,所述气流均压槽的右侧安装有散热腔,所述散热器通过导线与控制装置电性连接,所述散热腔的下方安装有聚风挡板,所述散热腔的右侧设置有温度传感器,所述温度传感器通过导线与控制装置电性连接,所述风冷散热装置的左侧设有左挡块,所述风冷散热装置的右侧安装有右挡块。该PECVD镀膜机下料端风冷散热装置,具有结构设计合理、操作简单、安全实用等优点,同时能大幅度提高散热效率,可以普遍推广使用。
  • 一种pecvd镀膜机下料端风冷散热装置
  • [实用新型]一种高温扩散设备-CN201620436731.5有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-05-13 - 2017-02-01 - C30B31/16
  • 本实用新型公开了一种高温扩散设备,包括真空泵,所述排废管的左侧设有第二弧形管,所述排废管的外侧套接有第一弧形管,所述第一弧形管与排废管的中间留有空隙,所述第一弧形管的外侧上端设有出气口,该高温扩散设备由真空泵连接干燥过滤装置,由真空表显示扩散炉管内腔的压力,通过加热仓加热,由进气管和排废管实现整个装置,通过对原有基础的排气管进行改造,解决了排废管的腐蚀断裂,增加了排废管使用寿命,减少了人员的工作劳动,有利于提高设备的正常运行率,同时也降低偏磷酸对人体的危害。使得气体可以通过排废管上的排气孔快速排放,可以快速排走,加快工艺废气的排放,减少腐蚀,提高片内、片间扩散的均匀性。
  • 一种高温扩散设备
  • [实用新型]一种蜂巢结构多晶硅片-CN201620437580.5有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-05-12 - 2017-02-01 - H01L31/0352
  • 本实用新型公开了一种蜂巢结构多晶硅片,包括单元结构,所述单元结构设有正六角N型多晶硅体,所述正六角N型多晶硅体上部设有正六角斜凹槽,所述正六角斜凹槽设有环形凹槽底,所述环形凹槽底的中部设有贯穿于正六角N型多晶硅体的圆柱形P型多晶硅体,所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的连接部分形成PN结,所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的上表面均设有吸光层,所述正六角N型多晶硅体的外侧设有多晶硅保护膜,所述正六角N型多晶硅体的底部设有第一电极,所述圆柱形P型多晶硅体底部设有第二电极。该能增加单位面积内PN结的面积,可以更快地将光子转化成的电子集中起来,增加光电转化率。
  • 一种蜂巢结构多晶硅片
  • [实用新型]一种硅太阳能电池等离子刻蚀装置-CN201620434464.8有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-05-13 - 2017-02-01 - H01L31/18
  • 本实用新型公开了一种硅太阳能电池等离子刻蚀装置,包括风机和刻蚀室,所述刻蚀室内部顶端设置有均风扇,所述射频电极固定座下端设置有射频电极,所述刻蚀室的底部设置有滑轨,所述支腿上端安装有承重支架,所述承重支架上端设有旋转装置,所述旋转装置上端安装有桌面面板,且所述桌面面板上端放置有硅片垫片,所述硅片垫片上端面放置有硅片;该种硅太阳能电池等离子刻蚀装置用载硅片车作为硅片载体,实现了硅片批量次生产,悬挂式射频电极通过均风扇将产生的等离子辉光吹拂到待刻蚀的硅片沿边,极大的控制了因刻蚀导致的沿边钻蚀,保证了同批次硅片刻蚀的一致性,减少了破损率。
  • 一种太阳能电池等离子刻蚀装置
  • [实用新型]一种高温扩散装置-CN201620433441.5有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-05-12 - 2016-10-12 - C30B31/16
  • 本实用新型公开了一种高温扩散装置,包括炉体,炉体的一端为炉口,另一端为封闭结构,在炉口处设有炉盖,在炉体的内部设有石英舟,在石英舟上均匀放置有硅片,在炉体的上端设有第一工艺进气口、第二工艺进气口和第三工艺进气口,在炉体的下端设有尾气排放口,还包括气体稳流装置,气体稳流装置设置在炉口、炉中或炉尾位置,本实用新型结构简单,能够提高炉体内气体流动的稳定性,确保了硅片扩散的均匀性,从而确保硅片方块电阻的均匀性。
  • 一种高温扩散装置
  • [实用新型]一种等离子高效刻蚀机-CN201620440238.0有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-05-12 - 2016-10-12 - H01J37/32
  • 本实用新型公开了一种等离子高效刻蚀机,包括反应腔体和分子泵,反应腔体的顶端固定设有多个高压气体喷嘴,在反应腔体的底部设有分子泵,在反应腔体的内部设有静电吸附盘、吸附件以及多个气流调节装置,静电吸附盘两端通过吸附件活动安装在反应腔体的内壁,在静电吸附盘的上下端均设置有多个气流调节装置,本实用新型结构原理简单,采用多个气流调节装置,能够快速调节反应腔内的气流,确保刻蚀的均匀性,同时采用的高压气体喷嘴,能够均匀喷出高压气体,进一步提高刻蚀的均匀性,提高产品合格率。
  • 一种等离子高效刻蚀
  • [发明专利]一种等离子高效刻蚀机-CN201610315819.6在审
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2016-05-12 - 2016-08-10 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种等离子高效刻蚀机,包括反应腔体和分子泵,反应腔体的顶端固定设有多个高压气体喷嘴,在反应腔体的底部设有分子泵,在反应腔体的内部设有静电吸附盘、吸附件以及多个气流调节装置,静电吸附盘两端通过吸附件活动安装在反应腔体的内壁,在静电吸附盘的上下端均设置有多个气流调节装置,本发明结构原理简单,采用多个气流调节装置,能够快速调节反应腔内的气流,确保刻蚀的均匀性,同时采用的高压气体喷嘴,能够均匀喷出高压气体,进一步提高刻蚀的均匀性,提高产品合格率。
  • 一种等离子高效刻蚀
  • [实用新型]一种双层氮化硅薄膜电池结构-CN201520138035.1有效
  • 陈德榜 - 温州海旭科技有限公司
  • 2015-03-05 - 2015-10-07 - H01L31/0216
  • 本实用新型提供一种双层氮化硅薄膜电池结构,其特征在于:包括电池基底,电池基底为硅片,所述电池基底依次镀上厚度不一的第二折射层、第一折射层,所述第二折射层及所述第一折射层均为氮化硅膜,所述第二折射层比所述第一折射层的厚度薄;所述第一折射层的厚度为55nm,所述第二折射层的厚度为30nm。本实用新型通过两步淀积完成制作,即在电池基底表面先镀一层高折射率厚度较薄的氮化硅膜,增加其钝化效果,然后在镀一层低折射率厚度稍后的氮化硅膜增强光学匹配性以减少光的反射。
  • 一种双层氮化薄膜电池结构

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