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[发明专利]操作物理气相沉积工艺的方法与系统-CN200510030305.8有效
发明人： 温家琳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用物理气相沉积加工半导体晶圆的方法，包括在反应室的基座上安放衬底。衬底的表面靠近反应室内的靶材料。靶材料包括朝向衬底表面放置的第一面和第二面。该方法包括操作固定在旋转部件周围的磁体器件，旋转部件耦合到反应室且耦合到驱动马达，驱动马达耦合到驱动器。磁体器件被置于距离旋转部件的中心区域预定尺寸的地方。该方法包括利用旋转部件环式围绕中心区域移动磁体器件。磁体器件以速度v旋转并且影响覆盖在靶第二面上的空间区域。该方法还包括获取与电磁场有关的信息，其中电磁场与运动的磁体器件有关。该方法包括处理信息以确定电磁场是否在预定参数内。该方法将信号传输到驱动器以调整磁体器件的速度进而改变电磁场。
作物理气沉积工艺方法系统

[发明专利]物理气相沉积系统中的准直管的温度控制装置-CN200310122890.5有效
发明人： 温家琳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2003-12-25 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种物理气相沉积系统中的准直管温度控制装置(stabilizer)，包括：一反应室，提供空间利于上述物理气相沉积系统的沉积物(deposition species)于上述反应室中进行沉积；一温度控制装置，置于上述反应室壁(chamber wall)之中；一加热器，置于上述反应室之中，上述加热器目的在于加热置于其上的晶片(wafer)；以及，一准直管，置于上述反应室壁(chamber wall)之上，上述准直管的边缘置于上述温度控制装置之上，藉由调整上述温度控制装置的温度，使得累积在上述准直管中间的沉积膜与累积在边缘的沉积膜更均匀，结果提升了上述物理气相沉积的阶梯覆盖能力。
物理沉积系统中的准直管温度控制装置

[发明专利]用于高密度等离子体制程的注射装置-CN200310122888.8无效
发明人：陈建维;温家琳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2003-12-25 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于高密度等离子体制程的注射装置，包括：一第一注射管，上述第一注射管可以让一第一反应气体通过；一第二注射管，上述第二注射管包围在上述第一注射管的外围，上述第二注射管可以让一缓冲气体(cushionygas)通过；以及，一第三注射管，上述第三注射管包围在上述第二注射管的外围，上述第三注射管可以让一第二反应气体通过；当上述第一反应气体、缓冲气体(cushiony gas)与第二反应气体分别流出上述第一注射管、第二注射管与第三注射管时，上述缓冲气体(cushiony gas)介于第二反应气体与第一反应气体之间，因此可以防止上述第二反应气体与第一反应气体提早反应的情形发生。
用于高密度等离子体制注射装置

[实用新型]晶圆清洗液水柱位置检测装置-CN03279085.6无效
发明人： 温家琳;林嘉信;赖宏岱 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-09-29 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G01B11/03 文献下载
摘要：一种晶圆清洗液水柱位置检测装置，系有关于一种可广泛用于监控晶圆清洗系统中的清洗液水柱喷淋的位置检测装置，该装置具有监视清洗液水柱位置的能力，进而能使清洗液水柱位置状况显示出来，及可配合现有晶圆清洗系统，提供于具清洗液水柱位置状况监控需求的应用场所，可用于各种尺寸晶圆清洗的线上即时监控，其较已往的纯人工观察式的监控相比所提供功能增加甚多；其包含：光学信号发射装置，光学信号接收装置，信号处理装置。
清洗水柱位置检测装置