“温嘉玲”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器及制备-CN201911018382.X有效
发明人：张跃;温嘉玲;张铮 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料应用技术领域，提供了一种石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器及制备，该光电存储器包括自下而上依次设置的绝缘衬底、电荷束缚石墨炔层和电荷传输二硫化钼层；电荷传输二硫化钼层上相对设置源极和漏极；电荷束缚石墨炔层为石墨炔纳米薄膜，通过等离子刻蚀等方法获得；电荷传输二硫化钼层为二硫化钼纳米片，通过化学气相沉积法或者机械剥离获得。本发明利用石墨炔纳米薄膜作为电荷束缚层，二硫化钼作为电荷传输层，制备了非易失性多级光电存储器，实现了通过背栅脉冲和光脉冲调控石墨炔中束缚的电荷，在无背栅极作用下实现二硫化钼超低暗态电流和该存储器的多级光电存储功能；结构简单，易于制备，具有重大实用价值。
石墨二硫化钼结合非易失性多级光电存储器制备

[发明专利]一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法-CN202010053717.8有效
发明人：张跃;杜君莉;张铮;柳柏杉;高丽;于慧慧;温嘉玲;汤文辉;张先坤;洪孟雨;肖建坤 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p‑n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。
一种二维水平同质驱动逻辑光电开关及其制备方法

[发明专利]一种超薄纳米级石墨炔薄膜的制备方法-CN201911066615.3有效
发明人：张跃;温嘉玲;张铮 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01B32/21 文献下载
摘要：本发明属于石墨炔薄膜制备领域，具体涉及一种超薄纳米级石墨炔薄膜的制备方法。所述制备方法采用等离子刻蚀制备超薄石墨炔薄膜；包括将附有原始石墨炔薄膜的铜基底置于等离子刻蚀机中；将氧气注入所述等离子刻蚀机的空腔中刻蚀；刻蚀后利用PMMA辅助法转移至目标基底上，去除PMMA后得到所述超薄石墨炔薄膜。所述制备方法采用等离子刻蚀制备超薄石墨炔薄膜，通过在铜基底上溶液生长的石墨炔上进行等离子刻蚀，减薄石墨炔厚度，并转移到另一基地上，这就免去了复杂的化学处理而得到超薄纳米级的石墨炔薄膜，且同时去除了石墨炔由于副反应而生成的大量功能团。
一种超薄纳米石墨薄膜制备方法

[发明专利]一种石墨炔表面拉曼信号增强的方法-CN201911018409.5有效
发明人：张跃;温嘉玲;张铮 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及激光拉曼和材料结构识别技术领域，提供了一种石墨炔表面拉曼信号增强的方法，包括：S1、将石墨炔薄膜利用湿法转移法转移到目标基底上；S2、将机械剥离或化学气相沉积生长的二硫化钼转移到步骤S1中得到的目标基底上石墨炔薄膜的表面，得到“基底‑石墨炔‑二硫化钼”结构；S3、对所述结构的二硫化钼和石墨炔重叠区域进行拉曼光谱检测，拉曼信号明显增强。本发明的有益效果为：针对2‑10nm厚石墨炔拉曼峰弱的问题，利用二硫化钼的拉曼增强散射，可以明显提高拉曼峰强；该方法效果明显，灵敏度高，且在石墨炔上峰位区域与这些二硫化钼峰位区域相距甚远，不会相互影响。
一种石墨表面信号增强方法