专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202210978636.8在审
  • 渡邉崇史 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-08-16 - 2023-09-19 - B24B37/10
  • 实施方式提供一种能够进行晶圆面内的详细的温度分布控制,且能够提高研磨速率的面内均一性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置是将研磨对象物保持在研磨头而对所述研磨对象物的表面进行研磨的半导体制造装置。实施方式的半导体制造装置在所述研磨头具有多个激光照射部。实施方式的半导体制造装置中,至少一个所述激光照射部是对所述研磨对象物的背面侧照射激光束的激光照射部。
  • 半导体制造装置方法
  • [发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202210020918.7在审
  • 渡邉崇史 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-01-10 - 2022-10-25 - B23K26/38
  • 本发明的实施方式提供一种能够抑制在衬底外周部的修整步骤后产生的碎屑或灰尘的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体制造装置具备第1激光照射部、第2激光照射部及分离部。第1激光照射部在包含相互接合的第1衬底与第2衬底的接合衬底的外周部,从第1衬底侧向第1衬底的内部照射第1激光而形成改质层。第2激光照射部从第2衬底侧向位于第1衬底与第2衬底之间且设置在第2衬底的材料层照射第2激光,将第2衬底与材料层之间剥离。分离部将第1衬底的外周部及材料层的外周部从接合衬底的外周部分离。
  • 半导体制造装置方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110760864.3在审
  • 渡邉崇史 - 铠侠股份有限公司
  • 2021-07-06 - 2022-08-30 - H01L23/485
  • 本发明的实施方式提供一种能抑制贴合对象的焊盘对周围的绝缘膜造成不良影响的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备:下部布线层,包含多条下部布线;及多个下部焊盘,设置在所述下部布线上。所述装置还具备:多个上部焊盘,设置在所述下部焊盘上,与所述下部焊盘相接;及上部布线层,包含设置在所述上部焊盘上的多条上部布线。此外,所述下部焊盘包含多个第1焊盘、与多个第2焊盘。此外,所述上部焊盘包含:多个第3焊盘,具有面积比所述第2焊盘的上表面大的下表面,设置在所述第2焊盘上;及多个第4焊盘,具有面积比所述第1焊盘的上表面小的下表面,设置在所述第1焊盘上。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010795026.5在审
  • 渡邉崇史 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-08-10 - 2021-09-07 - H01L23/498
  • 实施方式提供一种能够改善由虚设垫所导致的缺陷的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第1芯片及第2芯片。第1芯片具有第1配线、与第1配线电连接的第1连接垫、及第1虚设垫。第2芯片具有第2配线、与第2配线电连接并且与第1连接垫接合的第2连接垫、及与第1虚设垫接合的第2虚设垫。第1虚设垫的厚度小于第1连接垫的厚度且第2虚设垫的厚度也小于第2连接垫的厚度,或者,第1虚设垫的厚度小于第1连接垫的厚度或第2虚设垫的厚度小于第2连接垫的厚度。
  • 半导体装置及其制造方法

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