“深谷一夫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]位置确定装置和程序-CN201680084922.2在审
发明人：赤野间信行;高畠康行;深谷一夫 -专利权人： NTT技术统合株式会社
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01S5/02 文献下载
摘要：提供一种与支持BLE(Bluetooth Low Energy)的发送机(10)进行通信的位置确定装置，其具有：信号接收单元(20)，使用指向性不同的多个天线(A、B)接收从所述发送机(10)发送的BLE的无线信号，并对所述BLE的无线信号的接收强度进行测定；及确定单元，通过对所述多个天线(A、B)的每个天线处所测定的所述接收强度进行比较，确定所述发送机(10)的位置。
发送机天线位置确定装置无线信号信号接收单元程序提供确定单元指向性发送通信

[发明专利]半导体装置-CN201610718812.9在审
发明人： 深谷一夫 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高半导体激光器的特性的半导体装置。在p型包覆层与p型导光层之间配置有电流阻挡层，且具有该电流阻挡层之间的区域即电流狭窄区域(CC)的半导体激光器如下构成。构成为，在从入射侧(HR侧)到出射侧(AR侧)之间依次配置有大宽度部(WP)、锥部(TP)、小宽度部(NP)、锥部(TP)以及大宽度部(WP)的电流狭窄区域(CC)的、大宽度部(WP)的上方，减小绝缘层的开口部(OA)的宽度(Wie)，利用绝缘层(IL)覆盖大宽度部(WP)的两端。根据该结构，能够抑制大宽度部(WP)的超发光的产生，由此，能够谋求光束品质的提高和光束的高输出化。
半导体装置

[发明专利]制造半导体激光器的方法-CN201110389276.X有效
发明人：多田健太郎;远藤健司;深谷一夫;奥田哲朗;小林正英 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-03-01 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。
制造半导体激光器方法

[发明专利]半导体激光器以及制造半导体激光器的方法-CN201010124930.X有效
发明人：多田健太郎;远藤健司;深谷一夫;奥田哲朗;小林正英 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2010-03-01 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器以及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。
半导体激光器以及制造方法

[发明专利]压模模具及其制造方法-CN200410031967.2有效
发明人：黑川隆则;深谷一夫;市川贵浩;米田隆茂;南建寿 -专利权人：丰田自动车株式会社;帝国镀铬株式会社
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：一种压模模具，在成型模具的一个成型面上具有一个凹部，该凹部具有相应于一个冲头的形状；在利用一个压料板在凹部的周边上压住工件时，通过冲压工件的一个部分，该压模模具将一个放在成型面上的工件冲压成型；其特征在于，通过进行一个微粒镀层处理，一个微粗糙层被形成在所述压料板用于压住工件的一个部分和成型模具的成型面相应于压料板所述部分的一个部分中的至少一个上。优选地，微粗糙层的粗糙度的高度是0.01至0.06mm，并且微粒镀层处理利用氟硅酸铬电镀液而进行。
模具及其制造方法