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- [实用新型]气流传感器-CN202223271079.0有效
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张浩;吴一帆
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深圳通感微电子有限公司
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2022-12-06
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2023-06-02
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A24F40/51
- 本实用新型公开了一种气流传感器，该气流传感器包括硅麦组件及壳体；硅麦组件包括电路板及硅麦芯片；电路板包括第一表面、与第一表面相对的第二表面及由第二表面贯通至第一表面的第一通气孔；硅麦芯片安装于第一表面并密封地覆盖第一通气孔；壳体包括底壁及与底壁相对的开口，硅麦组件安装在开口中，第一表面朝向底壁并与其形成有间隔，壳体还形成有将间隔与外界相通的至少一个第二通气孔。本实用新型采用硅麦组件感测气压变化，具有结构简单、可靠性高及一致性好等优点。另外，硅麦组件与壳体相配合，进一步提高产品的可靠性和适用范围。再者，采用COB工艺将硅麦芯片等元件配装于电路板，制成的产品具有结构简单、可靠性高及一致性好的优点。
- 气流传感器
- [发明专利]PZT陶瓷薄膜及其制备方法-CN202310039484.X在审
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张浩
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深圳通感微电子有限公司
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2023-01-12
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2023-05-12
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C23C14/02
- 本发明公开了一种PZT陶瓷薄膜及其制备方法，制备方法包括：S1、在衬底上设置第一电极层；S2、在所述第一电极层上设置过渡层；S3、通过磁控溅射在所述过渡层上设置PZT薄膜层；步骤S3包括：S3.1、在真空的密闭腔室内，充入氩气和氧气并将密闭腔室的气压维持在预定气压；所述密闭腔室内安装有钛靶、铅靶和锆靶；S3.2、开启钛靶、铅靶和锆靶对应的溅射电源，所述钛靶、铅靶和锆靶分别反应溅射，在所述过渡层的表面沉积形成锆钛酸铅氧化物薄膜，即PZT薄膜层。本发明的PZT陶瓷薄膜的制备方法，通过磁控溅射方式在衬底上形成PZT薄膜，无需经过减薄抛光等工序，能够兼容半导体生产工艺，满足小型化、集成化要求，制备过程简单，重复性好。
- pzt陶瓷薄膜及其制备方法
- [发明专利]湿度传感器及其制备方法-CN202211546857.4在审
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张浩;吴一帆
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深圳通感微电子有限公司
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2022-12-05
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2023-04-25
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G01N27/12
- 本发明公开了一种湿度传感器及其制备方法，湿度传感器包括绝缘衬底、设置在所述绝缘衬底上的电极层、二维过渡金属硫化层以及二维过渡金属氧化层；所述二维过渡金属氧化层复合在所述二维过渡金属硫化层上，两者形成复合结构；并且，所述二维过渡金属氧化层和二维过渡金属硫化层之间具有能够引起电荷转移的费米能级差异，从而在所述复合结构界面形成空间电荷区与势垒。本发明的湿度传感器结合二维过渡金属氧化层成熟的湿敏特性以及二维过渡金属硫化层比表面积大、敏感性高、性能稳定等优点，形成的湿度传感器具有较高的灵敏度、稳定性和耐腐蚀性，同时也提高了工作温度、湿度范围。
- 湿度传感器及其制备方法
- [发明专利]闪烁体核辐射探测器及其制备方法-CN202211546827.3在审
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张浩;刘文上
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深圳通感微电子有限公司
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2022-12-05
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2023-03-21
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H01L31/0352
- 本发明公开了一种闪烁体核辐射探测器及其制备方法，闪烁体核辐射探测器包括闪烁体、过渡金属硫族化合物层、电极层、第一可见光反射层以及第二可见光反射层；过渡金属硫族化合物层通过范德瓦耳斯力紧密结合在闪烁体的第一表面上，并且过渡金属硫族化合物层包括横向排布的N型重掺杂区、本征或轻掺杂I区和P型重掺杂区；电极层设置在闪烁体的第一表面上，其包括覆盖N型重掺杂区的N型电极、覆盖P型重掺杂区的P型电极；第一可见光反射层设置在电极层上方，第二可见光反射层设置在闪烁体的第二表面上。本发明的闪烁体核辐射探测器，TMDCs层与闪烁体通过范德瓦耳斯力直接结合，避免了界面处光的全反射，提高了光学耦合效率的同时简化了探测器的结构。
- 闪烁核辐射探测器及其制备方法
- [发明专利]气流传感器及制造方法-CN202211585852.2在审
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张浩;黎霈
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深圳通感微电子有限公司
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2022-12-06
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2023-03-14
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A24F40/51
- 本发明公开了一种气流传感器及制造方法，该气流传感器包括硅麦组件及壳体；硅麦组件包括电路板及硅麦芯片；电路板包括第一表面、与第一表面相对的第二表面及由第二表面贯通至第一表面的第一通气孔；硅麦芯片安装于第一表面并密封地覆盖第一通气孔；壳体包括底壁及与底壁相对的开口，硅麦组件安装在开口中，第一表面朝向底壁并与其形成有间隔，壳体还形成有将间隔与外界相通的至少一个第二通气孔。本发明采用硅麦组件感测气压变化，具有结构简单、可靠性高及一致性好等优点。另外，硅麦组件与壳体相配合，进一步提高产品的可靠性和适用范围。再者，采用COB工艺将硅麦芯片等元件配装于电路板，制成的产品具有结构简单、可靠性高及一致性好的优点。
- 气流传感器制造方法
- [实用新型]激光二极管器件-CN202222860694.9有效
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张浩
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深圳通感微电子有限公司
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2022-10-28
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2023-03-14
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H01S5/0239
- 本实用新型公开了激光二极管器件，包括：管座、设置在所述管座上的激光组件、套设在所述管座上并封闭所述激光组件于其中的管帽、以及插入所述管座并与所述激光组件电连接的管脚；所述管帽上开设有开孔，所述开孔上设置有与所述激光组件相对的透镜；在所述管座与所述管帽之间还设有调节所述透镜与所述激光组件的相对位置的调节结构。本实用新型通过调节机构能够实现激光二极管芯片发出的光束与透镜的中心同轴，在激光二极管芯片和透镜位置固定后，可以进行微调；同时保证了在热焊接管座与管帽时，调节机构固定管帽与管座的相对位置，不会造成轻微偏移，使得激光二极管工作效果最优。
- 激光二极管器件
- [发明专利]利用半熔融状态光刻胶制备微透镜的方法及微透镜-CN202210908308.0在审
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张浩
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深圳通感微电子有限公司
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2022-07-29
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2022-12-06
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G02B3/00
- 本发明公开了一种利用半熔融状态光刻胶制备微透镜的方法及微透镜，制备微透镜的方法包括以下步骤：S1、在衬底上涂覆光刻胶，以在所述衬底上定型为光刻胶层；S2、对所述光刻胶层进行曝光、显影处理，使所述光刻胶层形成一个或多个圆柱状的光刻胶柱；S3、对所述衬底进行加热，使所述光刻胶柱形成半熔融状态，并在表面张力作用下收缩形成微透镜面形；S4、通过离子束刻蚀技术，将所述微透镜面形复刻转移至所述衬底上，形成微透镜。本发明通过加热使光刻胶形成半熔融状态，其中半熔融状态的光刻胶具有一定的流动性，使得其在制备微透镜中具有很大程度的可调节性，从而有望实现大范围调节微透镜的面形，有助于获得不同曲率的微透镜。
- 利用熔融状态光刻制备透镜方法
- [发明专利]微透镜制备方法及微透镜-CN202210911047.8在审
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黎步
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深圳通感微电子有限公司
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2022-07-29
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2022-12-06
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G02B3/00
- 本发明公开了一种微透镜制备方法及微透镜，微透镜制备方法包括以下步骤：S1、在衬底上涂覆光刻胶，以在所述衬底上形成光刻胶层；S2、对所述光刻胶层进行光刻、显影处理，使所述光刻胶层形成一个或多个圆柱状的光刻胶柱；S3、对所述衬底进行加热，使所述光刻胶柱热回流形成具有曲面面形的光刻胶结构；同时使所述光刻胶柱处于静电场中，通过静电力对所述曲面面形进行调控；S4、通过离子束刻蚀技术，将所述光刻胶结构的曲面面形转移至所述衬底上，形成微透镜。本发明的微透镜制备方法，通过热回流和静电场的配合，使光刻胶柱在热回流时形成曲面面形，同时通过静电场施加的静电力，实现曲面面形的可调，有助于获得不同曲率的微透镜。
- 透镜制备方法
- [发明专利]微透镜及其制备方法-CN202210911073.0在审
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黎步
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深圳通感微电子有限公司
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2022-07-29
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2022-11-22
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G02B3/00
- 本发明公开了一种微透镜及其制备方法，微透镜制备方法包括以下步骤：S1、在衬底上沉积氮氧三元化合物界面层；S2、在氮氧三元化合物界面层上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；S3、对所述光刻胶层进行光刻、显影处理，使所述光刻胶层形成一个或多个圆柱状的光刻胶柱；S4、对所述衬底进行加热，使所述光刻胶柱热回流形成微透镜面形；S5、通过离子束刻蚀技术，将所述微透镜面形转移至所述衬底上，形成微透镜。本发明的微透镜制备方法，通过氮氧三元化合物界面层改变衬底表面的亲疏水性，使得后续光刻胶柱在热回流时与衬底的接触角α在一定范围连续可调，进而使得制备的微透镜面形在一定范围内连续可调，有助于获得不同曲率的微透镜。
- 透镜及其制备方法
- [发明专利]微透镜的制备方法及制得的微透镜-CN202210908320.1在审
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张浩
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深圳通感微电子有限公司
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2022-07-29
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2022-11-01
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G02B3/00
- 本发明公开了一种微透镜的制备方法及制得的微透镜，微透镜的制备方法包括：S1、在衬底上设置表面氧化层，通过所述表面氧化层改变所述衬底表面的亲水性；S2、在表面氧化层上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；S3、对所述光刻胶层进行曝光、显影处理，使所述光刻胶层形成一个或多个圆柱状的光刻胶柱；S4、对所述衬底进行加热，使所述光刻胶柱热回流形成微透镜面形；S5、通过离子束刻蚀技术，将所述微透镜面形转移至所述衬底上，形成微透镜。本发明的微透镜制备方法，通过表面氧化层改变衬底表面的亲水性，使得后续光刻胶柱在热回流时与衬底的接触角α在一定范围连续可调，进而使得制备的微透镜面形在一定范围内连续可调，有助于获得不同曲率的微透镜。
- 透镜制备方法
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