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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种小尺寸芯片焊点剪切力的测试装置-CN202321002819.2有效
发明人：张博威 -专利权人： 深圳市芯友微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小尺寸芯片焊点剪切力的测试装置，所述小尺寸芯片焊点剪切力的测试装置包括手持式测力计、测试冶具和放大装置，所述测试冶具一端与手持式测力计传感器连接，手持式测力计显示所述测试冶具顶端推力值，所述放大装置用于观察芯片与焊点断面状况；所述测试冶具包括柱形柱身，所述柱身与芯片焊点接触一端向内收缩成圆台，所述圆台的顶端向上设置有圆弧面。本实用新型设备简单，不仅造价低廉，同时具有良好的便携性，使得其可以应用于多种尺寸的基板。
一种尺寸芯片剪切测试装置

[发明专利]一种MOS芯片的板级封装结构-CN202310570330.3在审
发明人：张博威 -专利权人： 深圳市芯友微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS芯片的板级封装结构，包括板状的载体结构，载体结构的一端面设置金属层，金属层设置结构凸出的金属基岛或MOS芯片含有源极、栅极的一端面设置凸出的金属基岛，使得MOS芯片含有源极、栅极的一端面通过金属基岛与金属层连接，MOS芯片与金属层之间的空隙设置绝缘层填充，设置塑封体包覆MOS芯片与金属层，MOS芯片的另一端面通过互联结构与相邻的金属基岛连接。本发明将MOS芯片的连接电极的端面直接与板状载体结构贴合连接，使得传热、导热的路径仅有金属基岛的长度，而该金属基岛与载体结构无限贴近，与外部散热环境距离近，减少散热路径的同时提高了散热效率。
一种 mos 芯片封装结构

[发明专利]一种半导体封装结构-CN202310571746.7在审
发明人：张博威 -专利权人： 深圳市芯友微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装结构，包括布局走线及设置在布局走线上的引出电极，其中一个引出电极设置芯片，另一个与芯片相邻的引出电极设置导电导热体，芯片与导电导热体的位置对称，导电导热体的厚度与芯片的厚度相同，设置第一塑封体包覆芯片与导电导热体，第一塑封体内部设置互联结构，互联结构将芯片与导电导热体连接，并设置第二塑封体包覆第一塑封体。本发明在DFN封装内部设置对称的芯片及与其对应的导电导热体，使得DFN封装内部结构处于一个对称平衡的状态，同时增加了散热面积，从而削减内部产生的热机械应力的大小，且产生的热机械应力处于相对平衡的状态，不发生翘曲动作，避免影响良品率与芯片的可靠性。
一种半导体封装结构

[发明专利]一种微小型封装的加工结构及加工方法-CN202310306198.5在审
发明人：张博威 -专利权人： 深圳市芯友微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种微小型封装的加工结构及加工方法，包括金属基岛，部分或部分的金属基岛上设置芯片，塑封体包裹金属基岛与芯片的表面，金属基岛的底部设置可除去的基底结构，金属基岛底部周边设置临时阻隔层或金属引线层，使得金属基岛的底部低于塑封体的底部。将金属基岛设置在可剥离的基底结构上，金属基岛的底部周边设置临时阻隔层或金属引线层，将塑封加工分成两次操作并分别置于金属基岛与芯片安装、金属基岛与芯片的连接步骤之后，最终去除金属基岛底部可剥离的部分，使得金属基岛的底部低于塑封体的底部，凸出的金属电极即为待加工的位置，从而降低图形线路加工与对位的难度，降低电子器件加工工艺难度，提高产品良品率。
一种微小封装加工结构方法

[实用新型]一种PTC器件的封装结构-CN202020234856.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市芯友微电子科技有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：实用新型本实用新型一种PTC器件的封装结构，包括PTC元件，PTC元件包含依次层叠的正面电极、PTC片材和背面电极；所述PTC元件的侧边包围有镂空框架，所述镂空框架与所述PTC元件的侧边的空隙之间填充有绝缘材料；所述PTC元件的正面电极、背面电极分别连接正面电极引出盘、背面电极引出盘；所述正面电极引出盘和背面电极引出盘延伸至所述封装结构的同一表面，或者独立分布于所述封装结构的侧边。这种新型结构的PTC器件及加工方法来改善钻孔效率低、切割毛刺、可靠性差等问题。
一种 ptc 器件封装结构

[实用新型]一种分立器件的封装结构-CN202020013751.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市芯友微电子科技有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种分立器件的封装结构。包括塑封层、双面有源芯片以及多个第一金属焊盘，若干第一金属焊盘通过第一导电通路与芯片的正面电极相连，若干第一金属焊盘通过第二导电通路与芯片的背面电极连接；第一导电通路由连接第一金属焊盘与正面电极的第一导电连接柱及金属焊料构成，第二导电通路由连接第一金属焊盘与背面电极的导电闭合线路及第二导电连接柱构成。本实用新型可以通过芯片倒装焊接解决芯片正面电极引线键合带来的焊盘出坑等问题；通过芯片背面电极整面金属直接互联解决焊接易存在的焊接空洞及可靠性风险。
一种分立器件封装结构

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