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[实用新型]放大器、射频芯片及电子装置-CN202220767563.3有效
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种放大器、射频芯片及电子装置。所述放大器包括：场效应管，所述场效应管包括漏极、栅极和源极，所述场效应管用于信号放大；漏极匹配电路，所述漏极匹配电路的第一端与所述场效应管的漏极相连，所述漏极匹配电路的第二端与射频信号输出端相连；栅极匹配电路，所述栅极匹配电路的第一端与所述场效应管的栅极相连，所述栅极匹配电路的第二端与射频信号输入端相连；源极反馈电路，与所述场效应管的源极相连；其中，所述漏极匹配电路包括第一低耦合电感对，所述第一低耦合电感对为感应磁场相反的电感对。本申请实施例的放大器和射频芯片的功耗小，尺寸小，成本低。
放大器射频芯片电子装置

[实用新型]放大器、射频芯片及电子装置-CN202220770507.5有效
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种放大器、射频芯片及电子装置。放大器包括：三端口晶体管，用于从三端口晶体管的第三极接收待放大射频信号，将待放大射频信号放大后，从三端口晶体管的第一极输出反相放大信号，从三端口晶体管的第二极输出同相放大信号；第一极匹配电路，第一极匹配电路包括N个支路，第一极匹配电路的第j支路用于将反相放大信号传输至第j射频信号输出端成为第j放大信号；第二极匹配电路，第二极匹配电路包括N个支路，第二极匹配电路的第j支路用于将同相放大信号传输至第N+j射频信号输出端成为第N+j放大信号；其中，j＝1……N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。本申请可以采用一个三端口晶体管实现射频信号的多路放大。
放大器射频芯片电子装置

[实用新型]反馈放大器、射频芯片及电子装置-CN202220770473.X有效
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种反馈放大器、射频芯片及电子装置，反馈放大器包括：场效应管；漏极匹配电路，漏极匹配电路的第一端与场效应管的漏极相连，漏极匹配电路的第二端与射频信号输出端相连；栅极匹配电路，栅极匹配电路的第一端与场效应管的栅极相连，栅极匹配电路的第二端与射频信号输入端相连；源极匹配电路，源极匹配电路的第一端与场效应管的源极相连；反馈电路，反馈电路的第一端与栅极匹配电路的第四端相连，反馈电路的第二端与漏极匹配电路的第三端相连；其中，漏极匹配电路包括低耦合电感对，低耦合电感对为感应磁场方向相反的电感对。本申请的反馈放大器能使增益较为平坦，降低反馈放大器的能量损耗，减小反馈放大器的尺寸，降低成本。
反馈放大器射频芯片电子装置

[实用新型]放大器、射频芯片及电子装置-CN202220770479.7有效
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种放大器、射频芯片及电子装置。所述放大器包括：场效应管，所述场效应管包括漏极、栅极和源极，所述场效应管用于信号放大；漏极匹配电路，所述漏极匹配电路的第一端与所述场效应管的漏极相连，所述漏极匹配电路的第二端与射频信号输出端相连；栅极匹配电路，所述栅极匹配电路的第一端与所述场效应管的栅极相连，所述栅极匹配电路的第二端与射频信号输入端相连；栅极偏置电路，所述栅极偏置电路与所述栅极匹配电路的第三端连接；源极匹配电路，与所述场效应管的源极相连；其中，所述栅极匹配电路包括低耦合电感对，所述耦合电感对为感应磁场方向相反的电感对。本申请实施例的功耗小，尺寸小，成本低，噪声低。
放大器射频芯片电子装置

[实用新型]放大器、射频芯片及电子装置-CN202220775230.5有效
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种放大器、射频芯片和电子装置，所述放大器包括：场效应管，所述场效应管包括漏极、栅极和源极；漏极匹配电路，所述漏极匹配电路的第一端与所述场效应管的漏极相连，其第二端与射频信号输出端相连；增益均衡电路，所述增益均衡电路的第二端与所述场效应管的栅极相连；栅极匹配电路，所述栅极匹配电路的第一端与射频信号输入端相连，其第二端与所述增益均衡电路的第一端相连；源极偏置电路，所述源极偏置电路与所述场效应管的源极相连；其中，所述漏极匹配电路包括第一低耦合电感对，所述第一低耦合电感对为感应磁场相反的电感对。本申请实施例能放大器的增益平坦，降低能量消耗，减小尺寸，降低成本。
放大器射频芯片电子装置

[实用新型]放大器、射频芯片及电子装置-CN202220775378.9有效
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种放大器、射频芯片及电子装置。放大器包括：三端口晶体管，用于从第一极输出反相放大信号，从第二极输出同相放大信号；第一极匹配电路，包括2M个支路，第2i‑1支路用于将反相放大信号传输至第2i‑1射频信号输出端成为第2i‑1放大信号，第2i支路还用于将反相放大信号传输至第2i射频信号输出端成为第2i放大信号；第二极匹配电路，包括M个支路，第i支路用于将同相放大信号传输至第2M+2i‑1射频信号输出端成为第2M+2i‑1放大信号，第i支路还用于将同相放大信号传输至第2M+2i射频信号输出端成为第2M+2i放大信号；其中，i＝1……M，i为大于等于1的整数，M为大于等于1的整数。本申请能在不增加功耗的前提下具有更高的增益。
放大器射频芯片电子装置

[实用新型]复合逻辑门电路及包括其的芯片和电子装置-CN202221264684.2有效
发明人：刘石生 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种复合逻辑门电路及包括其的芯片以及电子装置，复合逻辑门电路包括驱动电路，并具有一信号输出端和K个信号输入端，驱动电路的第一端连接至复合逻辑门电路的信号输出端并通过负载电路连接至高电平电源，驱动电路的第二端连接至低电平电源，其中驱动电路包括K个第一耗尽型HEMT器件以及L个钳位器件，K个第一耗尽型HEMT器件被布置成M个与结构，L个钳位器件被布置成M个钳位单元，其中每个与结构对应一个钳位单元，M和L为正整数，K为大于等于2的整数。通过本申请实施例，实现了基于化合物半导体衬底的耗尽型场效应管构建复合逻辑门电路，可以提升化合物混合电路高端射频系统的性能密集度和功能密集度，还有利于降低成本、提高可靠性。
复合逻辑门电路包括芯片电子装置

[实用新型]级联放大器、射频芯片及电子装置-CN202220770474.4有效
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种级联放大器、射频芯片及电子装置。所述级联放大器包括：第一级放大器，所述第一级放大器的第一端作为级联放大器射频信号输入端；第二级放大器，所述第二级放大器的第一端与所述第一级放大器的第二端相连，所述第二级放大器的第二端作为级联放大器射频信号输出端；其中，所述级联放大器中包括至少一个低耦合电感对，所述低耦合电感对为感应磁场方向相反的电感对。本申请实施例的级联放大器可以满足多种需求，灵活性高，且功耗小，尺寸小，成本低，噪声低。
级联放大器射频芯片电子装置

[实用新型]一种小型化毫米波开关、射频收发前端芯片-CN202220232301.7有效
发明人：刘石生 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本申请属于射频开关技术领域，提供了一种小型化毫米波开关、射频收发前端芯片，其中，第一感性元件的第一端与第一信号端连接，第一感性元件的第二端、第二半导体开关模块的第一端以及第三半导体开关模块的第一端共接，第二半导体开关模块的第二端与第一半导体开关模块的第一端共接于第二信号端，第一半导体开关模块的第二端接地，第三半导体开关模块的第二端与第四半导体开关模块的第一端共接于第三信号端，第四半导体开关模块的第二端接地，通过在第一信号端设置第一感性元件，在第二信号端设置第二感性元件，在第三信号端设置第三感性元件，优化开关的结构，降低开关的尺寸，从而使得毫米波开关在应用于TR前端时，能够降低TR芯片的尺寸。
一种小型化毫米波开关射频收发前端芯片

[实用新型]纯耗尽型逻辑电路及反相器、跟随器、复合逻辑电路-CN202123452034.9有效
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种纯耗尽型逻辑电路及复合逻辑电路，属于半导体领域，通过电平转换电路接入输入信号，并对输入信号进行分压和电平位移，以输出第一逻辑信号；反相电路基于耗尽型HEMT晶体管对第一逻辑信号进行反相，以输出第二逻辑信号；反相电路由单电源供电；故简化了基于化合物的纯耗尽型逻辑电路的外围电源电路。
耗尽逻辑电路反相器跟随复合

[发明专利]基于化合物的纯耗尽型逻辑电路及复合逻辑电路-CN202111676412.3在审
发明人：刘石生;黄伟 -专利权人： 深圳市晶准通信技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种基于化合物的纯耗尽型逻辑电路及复合逻辑电路，属于半导体领域，通过电平转换电路接入输入信号，并对输入信号进行分压和电平位移，以输出第一逻辑信号；反相电路基于耗尽型HEMT晶体管对第一逻辑信号进行反相，以输出第二逻辑信号；反相电路由单电源供电；故简化了基于化合物的纯耗尽型逻辑电路的外围电源电路。
基于化合物耗尽逻辑电路复合

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