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[发明专利]一种用于COT控制模式DC-DC转换器的短路保护电路和方法-CN202111247781.0有效
发明人：谭润钦 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于COT控制模式DC‑DC转换器的短路保护电路，包括短路状态判断电路和发波时间调节电路，短路状态判断电路基于下开关管限流信号和发波控制信号判断DC‑DC转换器的短路状态，并输出短路状态判断信号；发波时间调节电路基于短路状态判断信号调节DC‑DC转换器的发波时间，并输出发波时间控制信号来控制DC‑DC转换器发波。本发明的方案利用DC‑DC转换器的下开关管限流信号和发波控制信号来间接判断短路状态；且在每次开通下开关管时都将输出的短路状态判断信号清零，在每个开关周期判断是否发生短路；采用减小DC‑DC转换器发波时间来减小电感电流的上升时间的方法，进而减小电感电流峰值。
一种用于 cot 控制模式 dc 转换器短路保护电路方法

[发明专利]软启动控制电路及其控制方法和供电电路-CN202210828706.1有效
发明人：陈彪;谭润钦;阮剑聪;陈宁锴 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种软启动控制电路及其控制方法和供电电路。软启动控制电路用于控制主开关管，软启动控制电路包括采样电路、比较电路和驱动电路。采样电路用于获得表征输出电压的采样信号。比较电路用于根据软启动参考电压和采样信号生成比较结果信号。驱动电路包括第十开关管和电流镜像电路，第十开关管的控制端耦接比较电路，电流镜像电路的第一端耦接第十开关管，电流镜像电路的第二端用以耦接主开关管。驱动电路根据比较结果信号控制第十开关管以控制流过第十开关管的第一电流，并通过镜像电流控制主开关管。本发明提出的一种软启动控制电路及其控制方法和控制电路，通过软启动控制实现输出电压的平缓上升，减少过冲电压和浪涌电流的现象。
启动控制电路及其控制方法供电电路

[发明专利]供电电路及其供电方法和供电电源-CN202211100844.4在审
发明人：陈宁锴;谭润钦;阮剑聪;陈彪;殷一文 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种供电电路及其供电方法和供电电源。其中，供电电路包括第一钳位电路、第一供电生成电路、升压电路、第二钳位电路和第二供电生成电路。第一钳位电路用于根据输入电源电压输出第一钳位电压。第一供电生成电路分别耦接第一钳位电路和第二钳位电路，第一供电生成电路用于根据第一钳位电压和第二钳位电压生成第一供电电压以对升压电路进行供电。升压电路用于根据第一供电电压输出升压电压。第二钳位电路用于根据升压电压输出第二钳位电压。第二供电生成电路用于根据第二钳位电压输出第二供电电压以作为供电电压。本发明提出的一种供电电路及其供电方法和供电电源，有效实现了宽输入电源电压范围工作场景下能够对芯片进行稳定供电。
供电电路及其方法电源

[发明专利]一种基于场效应管可变电阻区的功率自适应放电电路-CN202210989175.4在审
发明人：陈彪;谭润钦;陈宁锴;阮剑聪 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于场效应管可变电阻区的功率自适应放电电路，包括场效应管，该场效应管工作在可变电阻区，具有第一端、第二端和控制端，场效应管的第一端和第二端分别耦接节点和参考地，用于给节点放电，场效应管的控制端耦接控制信号，当节点电压减少时，控制信号的电压增加，场效应管的等效电阻变小，故放电电阻能够随着节点电压的下降而变小，根据P＝U2/R可知，在整个放电过程中，该放电电路能够维持放电功率平稳，既不会引起很大的放电功率，导致芯片发热严重，影响芯片的寿命；也不会造成很小的放电功率，浪费限定的放电时间。
一种基于场效应可变电阻功率自适应放电电路

[发明专利]放电控制电路、放电控制方法以及锂电池高边驱动电路-CN202211131358.9在审
发明人：胡养聪;吴文贡;王轶 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种放电控制电路、放电控制方法以及锂电池高边驱动电路，放电控制电路包括第一PMOS管、第二PMOS管和第五NMOS管。第一PMOS管漏极耦接第五NMOS管，栅极通过第一电阻耦接第一高压点，源极通过第二PMOS管耦接第二高压点；第二PMOS管漏极耦接第一PMOS管，栅极通过第二电阻耦接第二高压点，源极耦接第二高压点；第五NMOS管漏极耦接内部电压源并输出作用于第二高压点的电压下拉控制信号，栅极耦接第一PMOS管，源极接地。本发明通过放电控制实现了高压压差的检测以及电压脉冲式下拉的速度可调，能够适应不同的电路系统，且在稳态时检测电路不耗电。
放电控制电路控制方法以及锂电池驱动电路

[发明专利]稳压控制电路、稳压控制方法以及低压差线性稳压电路-CN202211220475.2在审
发明人：陈宁锴;谭润钦;阮剑聪;陈彪;殷一文 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种稳压控制电路、稳压控制方法以及低压差线性稳压电路。稳压控制电路用于控制输出电压，稳压控制电路包括运算放大电路、电流采样电路和补偿电路。运算放大电路的第一输入端用以获取表征输出电压的反馈信号，运算放大电路的输出端用以耦接输出功率管的控制端。电流采样电路用于生成表征流过输出功率管的电流的电流采样信号。补偿电路的第一端耦接电流采样电路，补偿电路的第二端耦接运算放大电路，补偿电路用于根据电流采样信号调节运算放大电路的补偿电阻。本发明公开的一种稳压控制电路、稳压控制方法以及低压差线性稳压电路，通过补偿电路的动态补偿，有效提升了各种负载条件下稳压控制电路的环路稳定性。
稳压控制电路控制方法以及低压线性电路

[发明专利]一种差分放大电路、误差放大电路及其修调方法-CN202211075684.2有效
发明人：谭润钦;陈宁锴;阮剑聪;陈彪;殷一文 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种差分放大电路、误差放大电路及其修调方法，所述差分放大电路包括第一差分对和第二差分对，其中第二差分对耦接第一差分对，通过调节第二差分对的输入信号，使第二差分对生成与失调电压数值相等、方向相反的修调电压，以抵消失调电压的影响。本发明揭示的差分放大电路、误差放大电路及其修调方法，能够生成与失调电压数值相等，方向相反的修调电压以抵消失调电压。
种差放大电路误差及其方法

[发明专利]一种功率稳定的放电电路及其方法-CN202210828701.9有效
发明人：陈彪;谭润钦;陈宁锴;阮剑聪 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03K17/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率稳定的放电电路及其方法，其中，放电电路包括检测电路和节点电压放电电路。检测电路用于采样节点电压，并对该节点电压进行模数转换；节点电压放电电路耦接该检测电路，用于根据模数转换后的节点电压选择对应的放电电流，并通过放电电流对节点电压进行放电，其中，节点电压越小，对应的放电电流越大。在整个放电过程中，放电功率都比较平稳，既不会引起很大的放电功率，导致芯片发热严重，影响芯片的寿命；也不会造成很小的放电功率，浪费限定的放电时间。
一种功率稳定放电电路及其方法

[发明专利]充电控制电路、控制方法以及锂电池高边驱动电路-CN202211068061.2有效
发明人：胡养聪;吴文贡;王轶 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种充电控制电路、控制方法以及锂电池高边驱动电路。充电控制电路用于控制充电开关管，充电控制电路包括第一开关组件和第二开关组件。第一开关组件基于充电使能信号处于第一工作状态并驱动充电开关管导通，第二开关组件基于充电使能信号和第一开关组件的状态信号处于第一工作状态并驱动充电开关管关断；所述输入电压信号大于所述电池电压信号。本发明的充电控制电路、控制方法以及锂电池高边驱动电路能够自适应不同的输入电压以控制充电开关管的通断，且可以在线改变输入电压而不用改变电路结构，同时采用电流比较和电压钳位来控制充电开关管的关断，实现关断速度可调，消耗电流较小，能够有效延长锂电池的使用寿命。
充电控制电路控制方法以及锂电池驱动电路

[发明专利]一种钳位电路-CN202210649234.3有效
发明人：殷一文;阮剑聪;谭润钦 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种钳位电路，包括第一PMOS管和第一NMOS管。其中，第一PMOS管和第一NMOS管与钳位电路的输入电压，参考电压一起组成常见的钳位电路。在常见的钳位电路基础上，本发明还包括脉冲延时电路、第二PMOS管以及第二NMOS管。第二PMOS管可以检测钳位电路的输入电压的状态，当出现电压尖峰时，第二PMOS管导通给脉冲延时电路提供脉冲信号，脉冲延时电路收到脉冲信号后，延时输出高电平给第二NMOS管的栅极，第二NMOS管导通。此时第一NMOS管的栅极接地，第一NMOS管的栅极主动放电，从而减小了电路能量的损耗。
一种电路

[发明专利]一种复用开关的熔丝熔断方法及其电路-CN202210066004.4在审
发明人：谭润钦;阮剑聪;陈彪;殷一文 -专利权人： 深圳市单源半导体有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种复用开关的熔丝熔断方法及其电路。该方法将一开关耦接在参考电源端和供电电压端之间，在正常情况下用于给内部电路提供内部电源，当熔断信号施加有效值时，通过控制开关的控制端电压、调节开关的导通电阻用于为熔丝提供熔断电流。本发明可用于满足熔丝熔断的需要、提高电路的利用效率、减小芯片面积和成本。
一种开关熔断方法及其电路

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