“浩庆松”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法-CN201510833941.8有效
发明人：胡龙;苏建仓;丁臻捷;浩庆松;袁雪林;方旭;樊亚军 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H03K4/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通，每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量，本发明基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。 1
半绝缘砷化镓雪崩脉冲产生装置高重复频率多级阶梯状脉冲形成线高电压导通高输出电压输入端并联触发导通脉冲输出纳秒脉冲时间周期重复频率固定的光脉冲并联关联

[实用新型]高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置-CN201520953601.4有效
发明人：胡龙;苏建仓;丁臻捷;浩庆松;袁雪林;方旭;樊亚军 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H03K4/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通，每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量，本实用新型基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。
重复频率电压亚纳秒前沿脉冲产生装置

[发明专利]一种p⁺-i-n⁺体结构的光触发GaAs雪崩开关-CN201410685686.2在审
发明人：胡龙;苏建仓;丁臻捷;浩庆松;袁雪林;方旭 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，解决了现有技术中开关寿命短、损耗大、最高工作电压受限等问题，其技术方案是构建一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，包括半绝缘基区i层、重掺杂n⁺层、重掺杂p⁺层、阳极金属层、阴极金属层、钝化保护层、通光孔和电极引线；半绝缘基区i层分别位于重掺杂n⁺层、重掺杂p⁺层之间，重掺杂n⁺层的上表面为阳极金属层；重掺杂p⁺层的下表面为阴极金属层，金属层上开有通光孔，使激光脉冲通过通光孔触发开关工作，阴极金属层直接与外电路连接，阳极金属层通过电极引线与外电路连接。该发明提高了开关的工作电压，减少了开关的损耗，并且提高了开关的寿命，从而提高了开关的整体性能。
一种 sup 结构触发 gaas 雪崩开关

[发明专利]两个倍压电路串联输出的磁脉冲压缩单元及磁脉冲压缩源-CN201310676093.5有效
发明人：潘亚峰;丁臻捷;方旭;王刚;胡龙;浩庆松;范菊平;袁雪林 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H02M9/04 文献下载
摘要：本发明涉及两个倍压电路串联输出的磁脉冲压缩单元及磁脉冲压缩源，其特征在于：磁饱和脉冲变压器ST1和电容C1、C2构成一个次级倍压电路，磁饱和脉冲变压器ST2和电容C3、C4构成另一个次级倍压电路；次级倍压电路的两个次级电容C1和C2，C3和C4串联后形成两倍充电电压输出，两个倍压电路串联后四个串联电容C1、C2、C3和C4形成接近四倍电压输出。一种磁脉冲压缩源，输入单元是磁饱和脉冲变压器ST1和ST2的初级回路；磁脉冲压缩单元为两个包含磁饱和脉冲变压器的次级倍压电路的串联输出回路；输出单元是基于半导体断路开关（SOS）的脉冲产生回路。优点在于：效率不受影响，克服了现有技术通过增加脉冲压缩级数提高输出电压导致的系统效率下降问题。
两个压电串联输出脉冲压缩单元

[发明专利]基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器-CN201210219150.2有效
发明人：苏建仓;王刚;丁臻捷;袁雪林;范菊平;潘亚峰;浩庆松;方旭;胡龙 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本发明的一种基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器，属于脉冲功率技术领域。所述脉冲发生器依次包括充电电源、初级低压快脉冲产生单元、磁饱和直线变压器、泵浦电容、SOS和负载六个部分。本发明各单模块最外周均布的若干组初级低压快脉冲产生单元，增大了初级电流输出能力。采用触发器控制MOSFET导通关断，产生重复频率百kHz以上几十ns至百ns脉冲。采用磁饱和直线变压器，即多个完全相同的单模块串联构成。一方面，可通过增加单模块的串联级数提高输出电压。另一方面，变压器磁芯饱和后，次级为一个同轴鼠笼式结构，减小了反向泵浦电感，缩短了反向电流泵浦时间，SOS快速截断电流，在负载上产生高压超宽谱脉冲。采用初级储能大电容向次级泵浦小电容失谐充电方式，一方面在泵浦电容上得到高电压；另一方面，在相同目标电压下，降低了单模块的串联级数，减小了反向泵浦电感，有利于产生百kHz超宽谱脉冲。
基于 sos khz 超宽谱脉冲发生器