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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201480020633.7有效
发明人： 浦野裕一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：在制造具备在正面和背面分别具有正面电极和背面电极的半导体芯片的半导体装置时，首先，在成为半导体芯片的半导体晶片的正面形成正面电极层，进而以露出正面电极层的方式形成保护膜。接下来，磨削半导体晶片的背面。接下来，在半导体晶片的磨削后的背面的表面层，形成背面结构。接下来，用支撑基板保护半导体晶片的被磨削的背面。接下来，通过无电解镀覆处理，在半导体晶片的正面的正面电极层上形成电极镀膜。接下来，在半导体晶片的背面形成背面电极。由此，能够防止镀膜的异常析出，提高成品率。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法和制造装置-CN201110340526.0有效
发明人： 浦野裕一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件制造方法和制造装置，当晶片有翘曲时，有可能用短时间的紫外线照射来有效地剥离紫外线可剥离带。即使当晶片有翘曲时，通过用紫外线透射板来校正晶片的翘曲并且用紫外光来均匀地照射附着在晶片上的紫外线可剥离带，有可能减少紫外线光源和紫外线可剥离带之间的距离。同样，通过用紫外线透射板来阻断来自紫外线光源的热量，有可能抑制晶片温度的上升。其结果是，有可能用短时间的紫外线照射来有效地从晶片剥离紫外线可剥离带，而不残留任何粘合剂残余物。
半导体器件制造方法装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110100061.1有效
发明人： 浦野裕一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：根据本发明的半导体装置的制造方法包括以下步骤：在半导体晶片(20)的背面上形成背面电极(4)，半导体晶片(20)由于在半导体晶片(20)的背面上形成的背面电极(4)弯曲成朝正面侧凸出；对半导体晶片(20)的背面进行等离子体处理，用于去除附着在半导体晶片(20)的背面上的沉积物；沿着半导体晶片(20)的翘曲向半导体晶片(20)的背面粘贴可去除胶带(23)，用于在粘贴步骤后，维持半导体晶片(20)的弯曲成朝正面侧凸出的弯曲状态；进行无电极镀覆以在半导体晶片(20)的正面上形成镀膜(26)；从半导体晶片(20)剥离可去除胶带(23)；从半导体晶片(20)切出半导体芯片；通过用焊料进行焊接来安装该半导体芯片，以制造半导体装置。根据本发明的半导体装置的制造方法便于防止背面电极上产生外观异常，提高半导体装置的可靠性，并且制造无缺陷产品成品率较高的半导体装置。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和设备-CN200980116548.X有效
发明人： 浦野裕一;风间健一 -专利权人：富士电机系统株式会社
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：将待处理衬底与支承衬底接合，该支承衬底的外形大于待处理衬底的外形，且在待处理衬底与支承衬底之间设置有光热转换层和粘合层，且即使对待处理衬底的与接合表面相反的表面进行处理，也能防止待处理衬底的被处理表面上产生外观损坏。在待处理衬底(3)的一个表面上形成粘合层(4)，在支承衬底(1)的一个表面上形成光热转换层(2)，该支承衬底(1)的表面的外形大于待处理衬底的该表面的外形，且通过将该衬底(3)接合到光热转换层(2)的该表面上且粘合层(4)设置在该衬底(3)与光热转换层(2)之间获得层叠主体。将层叠主体放置在旋涂机设备的室(8)中的旋转夹盘(9)上，并向光热转换层(2)的从待处理衬底暴露的部分(2a)上滴落碱性水溶液(11)，然后通过高压清洁喷嘴(12)清洁该暴露部分。接着，对衬底(3)的该表面进行抛光、湿法处理等，并制造半导体器件。
用于制造半导体器件方法设备