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[发明专利]含氧金属化合物粉末的制造设备和制造方法以及用该制造方法制成的含氧金属化合物粉末-CN200510055481.7无效
发明人：高松勇吉;桐山晃二;浅野彰良;石井隆史 -专利权人：日本派欧尼株式会社
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C01G1/00 文献下载
摘要：本发明提供了作为光学晶体、非线性晶体或磁光学晶体的原料使用的含氧金属化合物粉末的制造机构，可以以较低的生产成本容易地大批量生产微细的含氧金属化合物粉末。本发明的含氧金属化合物粉末的制造设备配备有：液体流量控制器、气化器、以及反应器，该反应器含有原料和氧的气体供给机构、由该供给机构的侧面加热该气体的机构、设置在该供给机构下游一侧的该气体的冷却机构、以及生成物的收集机构。另外，含氧金属化合物粉末的制造方法是，利用液体流量控制器将选自液体原料以及把固体原料溶解于有机溶剂中的溶液原料中的至少1种原料供给气化器，气化之后添加氧，在加热条件下使之反应，然后用冷却机构使之冷却变成粉末。
金属化合物粉末制造设备方法以及制成

[发明专利]气化器-CN200410033968.0无效
发明人：高松勇吉;浅野彰良;岩田充弘;田山竜规 -专利权人：日本派欧尼株式会社
申请日： 2004-04-20 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种气化器，在即使减少随半导体制造(后简称：CVD)原料一同供给的载气供给量，或者在提高溶解在溶剂中的固体CVD原料浓度来进行气化供给的情况下，也能够防止固体CVD原料析出附着在气化室喷出口周围，并可长时间稳定CVD原料，以期望浓度和流量有效地提供气化供给。气化器构成如下：在CVD原料供给部具备外管的外壁直径朝气化室喷出口渐窄的具有锥形部或曲线部的双层结构的喷出管。
气化

[发明专利]气化器和气化供给装置-CN03123649.9无效
发明人：高松勇吉;十七里和昭;岩田充弘;桐山晃二;浅野彰良 -专利权人：日本派欧尼株式会社
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供即使在减少随CVD原料供给的载气的供给量来进行气化供给时，也能够防止气化室内固体CVD原料的析出和附着，并且能够以所需的浓度和流量极为有效地气化供给的气化器和气化供给装置。制作CVD原料供给部分至少具有CVD原料流路和载气流路，并具备CVD原料的流路产生CVD原料的压力损失的机构的气化器。制作在液体流量控制部分和气化器之间具备产生CVD原料压力损失的机构的气化供给装置。
气化供给装置

[发明专利]供应液体原材料的方法及设备-CN00137392.7无效
发明人：高松勇吉;米山岳夫;石滨义康;浅野彰良 -专利权人：日本派欧尼股份株式会社
申请日： 2000-12-07 - 公布日： 2001-07-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：这里公开了一种供应液体原材料的方法,其中除去液体原材料中的气体,并从液体原材料容器向液流控制部分供应液体原材料,该方法包括使通过第一惰性气体的压力从液体原材料容器供应的液体原材料,在透气合成树脂管中通过,使对合成树脂管的渗透率比第一惰性气体低的第二惰性气体沿所说合成树脂管的外表面通过,从而溶于液体原材料的第一惰性气体能够渗透到合成树脂管外,然后将液体原材料供应到液流控制部分。还公开了一种用于该方法的供应液体原材料的设备。本发明可以保证利用液体原材料的半导体制造期间,可以容易且有效地去除溶于液体原材料中的惰性气体。
供应液体原材料方法设备