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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器装置-CN202010584548.0在审
发明人： 洪暎玉;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上彼此间隔开的第一选择图案和第二选择图案；栅极隔离层，其在第一选择图案和第二选择图案之间在与第一方向交叉的第二方向上延伸；沟道结构，其穿透层叠结构；以及第一位线和第二位线，其在第一方向上延伸，所述第一位线和所述第二位线彼此相邻。沟道结构包括：第一沟道结构，其穿透第一选择图案并在第一方向上与栅极隔离层间隔开第一距离；以及第二沟道结构，其穿透第二选择图案并在第一方向上与栅极隔离层间隔开基本上第一距离。第一沟道结构和第二沟道结构分别连接到第二位线和第一位线。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010823955.2在审
发明人：姜秉佑;高旻圣;金光频;金活杓;朴镇泽;洪暎玉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：基板，其包括外围电路；阶梯状虚设层叠物，其与基板交叠并且包括在第一方向上延伸的多个台阶；多个触点组，其穿过阶梯状虚设层叠物；以及多条上线，其分别连接到触点组。多个触点组包括具有布置在第一方向上的两个或更多个第一接触插塞的第一触点组。多条上线包括共同连接到第一接触插塞的第一上线。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010528107.9在审
发明人： 洪暎玉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：衬底，包括外围电路；互连阵列，设置在外围电路上；单元堆叠结构，设置在互连阵列上，单元堆叠结构包括在垂直方向上堆叠的栅电极，用于形成单元阶梯结构；以及伪堆叠结构，设置在互连阵列上，伪堆叠结构包括在垂直方向上堆叠的牺牲层，用于形成与单元阶梯结构平行的伪阶梯结构。互连阵列包括第一下导电图案，第一下导电图案包括与单元阶梯结构和伪阶梯结构之间的狭缝重叠的中心区域、从中心区域延伸至与伪阶梯结构重叠的第一区域以及从中心区域延伸至与单元阶梯结构重叠的第二区域。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010561455.6在审
发明人：姜秉佑;权世峻;李昇珉;金活杓;朴镇泽;韩承佑;洪暎玉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。例如，一种半导体器件包括：堆叠结构，包括单元区域和接触区域；沟道结构，穿透堆叠结构的单元区域；沟槽，穿透堆叠结构的接触区域以到达不同深度；以及停止结构，穿透堆叠结构的接触区域，停止结构位于沟槽之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202010425050.X在审
发明人：姜秉佑;权世峻;金活杓;朴镇泽;任易硕;洪暎玉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的制造方法。一种制造半导体器件的方法包括：形成包括具有不同深度的沟槽的堆叠结构；在堆叠结构上形成绝缘层以填充沟槽；以及通过对绝缘层进行图案化来形成与沟槽的位置相对应地定位的多个突起。该方法还包括通过对包括多个突起的图案化的绝缘层进行平坦化来分别形成填充沟槽的绝缘图案。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN201911141215.4在审
发明人：金在泽;洪暎玉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：半导体存储器装置。本技术提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括与基板间隔开并设置在基板上的源极膜、贯穿源极膜的导电接触插塞、以及包括在导电接触插塞上交替层叠的虚设层间绝缘膜和牺牲绝缘膜的虚设层叠主体。
半导体存储器装置

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